苏州致晟光电科技有限公司研发的微光显微镜（Emission Microscopy, EMMI）是一种高灵敏度的光学检测设备，能够捕捉电子器件在通电状态下产生的极微弱光信号。当芯片内部发生电流泄漏、PN结击穿或金属迁移等失效现象时，会释放出极低强度的光子，致晟光电微光显微镜通过高性能光学系统和低噪InGaAs探测器，将这些微光信号精确成像，从而实现非接触、非破坏的缺陷定位。这种技术不仅能够快速识别潜在风险点，还能为后续的失效分析提供可靠依据。微光显微镜在IC封装检测中展现出高对比度成像优势。科研用微光显微镜成像仪
Thermal EMMI显微分辨率是衡量其成像系统性能的重要指标，直接影响缺陷定位的精度，该技术通过采用高精度光学系统和灵敏的InGaAs探测器，实现了微米级的空间分辨能力。不同型号的设备在显微分辨率上有所差异，非制冷型系统能够达到较高的灵敏度和分辨率，适合电路板及分立元器件的检测，而深制冷型系统则具备更优异的分辨率表现，能够满足对半导体晶圆及集成电路的严苛要求。显微分辨率的提升使得细微缺陷如电流泄漏点、击穿区域能够被清晰捕捉，辅助工程师准确判断故障位置。光学系统的设计注重优化成像质量，减少光学畸变和信号损失，确保热图像的清晰度和对比度。显微分辨率的稳定性保障了多次测量的一致性，为实验室提供了可靠的检测数据。Thermal EMMI的显微分辨率优势为芯片级失效分析提供了坚实基础，支持复杂电子器件的高精度热成像需求。苏州致晟光电科技有限公司的设备在这一方面表现突出。锁相微光显微镜用户体验微光显微镜为科研人员提供稳定可靠的成像数据支撑。
在半导体产业加速国产化的浪潮中，致晟光电始终锚定半导体失效分析这一**领域，以技术创新突破进口设备垄断，为国内半导体企业提供高性价比、高适配性的检测解决方案。不同于通用型检测设备，致晟光电的产品研发完全围绕半导体器件的特性展开 —— 针对半导体芯片尺寸微小、缺陷信号微弱、检测环境严苛的特点，其光发射显微镜整合了高性能 InGaAs 近红外探测器、精密显微光学系统与先进信号处理算法，可在芯片通电运行状态下，精细捕捉异常电流产生的微弱热辐射，高效定位从裸芯片到封装器件的各类电学缺陷。
在现代半导体失效分析（Failure Analysis, FA）体系中，微光显微镜占据着不可替代的地位。随着器件尺寸的不断微缩，芯片内部缺陷的电信号特征愈发微弱，而EMMI能直接“看到”缺陷产生的光信号，这一特性使其在前期定位环节中尤为关键。它能够快速锁定芯片内部电气异常区域，为后续的物理剖面分析、扫描电镜（SEM）观察提供方向性依据。无论是功率MOSFET、IGBT，还是高性能逻辑芯片，EMMI都可高效识别短路、漏电等失效点，从而提升分析效率与准确度。技术成熟度和性价比，使国产方案脱颖而出。
微光显微镜与锁相红外（LIT）常被并列提及，但两者的探测机理本质不同。EMMI是“看光”的技术，它追踪电缺陷所释放的光子信号；而LIT是“看热”的技术，通过检测电流流动带来的周期性温升，实现对能量分布的热成像分析。两者的工作波段存在差异：EMMI覆盖可见光至近红外区，适用于识别浅层电性异常；LIT则处于中远红外波段，可观测更深层的热扩散路径。由于光信号响应更直接，EMMI在捕捉瞬态电性故障上反应更快，而LIT则擅长分析电阻异常和功率耗散问题。在现代失效分析中，两种技术常被组合使用，从光信号到热信号形成互为补充的全链路诊断体系，大幅提升分析的准确性与深度。Thermal EMMI 无需破坏封装，对芯片进行无损检测，有效定位 PN 结热漏电故障。微光显微镜设备厂家
在电路调试中，微光显微镜能直观呈现电流异常区域。科研用微光显微镜成像仪
在芯片制造和封测环节中，微光显微镜几乎是失效分析实验室的“标配设备”。它能够在不破坏样品的前提下，实现对晶圆级、芯片级及封装级器件的缺陷定位。尤其在功率器件、逻辑电路及存储芯片中，EMMI可精细检测短路点、击穿区、漏电路径等典型失效模式。通过与探针台联动，工程师可在通电状态下实时观察光信号变化，直观判断缺陷位置和性质。相较于传统的电测试或解封分析，EMMI具有速度快、空间分辨率高、非破坏性强等优势。它不仅用于质量验证与失效溯源，也广泛应用于新产品研发阶段的可靠性验证，是连接电特性测试与物理失效剖析的重要桥梁。科研用微光显微镜成像仪
