ESD5451N:双向瞬态电压保护神
ESD5451N是一款高效的双向瞬态电压抑制器,专为保护电子设备免受静电放电、电气快速瞬变和雷电等瞬态电压侵害而设计。它能承受高达±30kV的接触和空气放电,以及峰值脉冲电流达8A(8/20μs),为低速数据线和控制线提供强大的保护
这款抑制器采用DFN1006-2L封装,具有无铅和无卤素等环保特性。其反向截止电压为±5VMax,电容典型值为17.5pF,漏电流极低,典型值小于1nA。此外,其低钳位电压特性使其在电流脉冲下仍能保持稳定的电压输出。
ESD5451N适用于多种应用场景,包括手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备,以及网络通信设备等。其出色的瞬态电压抑制能力和稳定性,为电子设备提供了可靠的保障。
安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销,可以提供样品供您测试。如有关于ESD5451N的进一步问题或需求,请随时与我们联系。我们期待与您合作,为您提供优异的产品和服务。 ESD5304D-10/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:UDFN-10(1x2.5)。代理分销商WILLSEMI韦尔ESD73051N
ESD5311X是一款极低电容的瞬态电压抑制器(TVS),专为保护高速数据接口而设计。它特别用于保护连接到数据和传输线的敏感电子组件,免受由静电放电(ESD)引起的过应力影响。ESD5311X包含一个极低电容的转向二极管对和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准,ESD5311X可提供高达±20kV(接触放电)的ESD保护,并根据IEC61000-4-5标准,能承受高达4A(8/20μs)的峰值脉冲电流。ESD5311X采用WBFBP-02C-C封装,为标准无铅且无卤素产品。
主要特性:
截止电压:5V
根据IEC61000-4-2(ESD)的每条线瞬态保护:±20kV(接触放电)
根据IEC61000-4-5(浪涌)的瞬态保护:4A(8/20μs)
极低电容:CJ=0.25pF(典型值)
极低漏电流:IR<1nA(典型值)
低钳位电压:VCL=22V(典型值)@IPP=16A(TLP)
固态硅技术
应用领域:
USB2.0和USB3.0
HDMI1.3和HDMI1.4
SATA和eSATA
DVI
IEEE 1394
PCI Express
便携式电子设备
笔记本电脑
ESD5311X是一款专为高速数据接口设计的瞬态电压抑制器,可承受高达±20kV的静电放电和4A的峰值脉冲电流,保护电子组件免受损害。适用于USB、HDMI、SATA等接口,确保数据传输的稳定性。紧凑、环保,广泛应用于便携式设备和笔记本电脑。如需更多信息,请查阅手册或联系我们。 中文资料WILLSEMI韦尔WNM4153AESD9X7V-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD) 封装:FBP-02C。
ESD5341N:单线、单向、低电容瞬态电压抑制器
ESD5341N是一款低电容的瞬态电压抑制器(TVS),专为保护高速数据接口而设计。它被特别用来保护连接到数据和传输线的敏感电子组件,以防止由静电放电(ESD)引起的过度压力。ESD5341N包含一个低电容的转向二极管对和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准,它可以提供高达±20kV(接触放电)的ESD保护,并根据IEC61000-4-5标准承受高达4A(8/20μs)的峰值脉冲电流。ESD5341N采用DFN1006-2L封装,为标准产品,无铅且不含卤素。
其主要特性包括:
· 截止电压:5V
· 根据IEC61000-4-2(ESD)的每条线瞬态保护:±20kV(接触放电)
· 根据IEC61000-4-4(EFT)的瞬态保护:40A(5/50ns)
· 根据IEC61000-4-5(浪涌)的瞬态保护:4A(8/20μs)
· 低电容:CJ=1.0pF(典型值)
· 极低漏电流:IR<1nA(典型值)
· 低箝位电压:VCL=18V(典型值)@IPP=16A(TLP)
· 固态硅技术
应用领域包括:
· USB接口
· HDMI接口
· DVI
· 便携式电子设备
· 笔记本电脑
ESD5341N为高速数据接口提供了出色的静电放电保护,特别适用于需要高数据传输速率和严格ESD防护的应用。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系制造商。
WD3139:高效38V升压型白色LED驱动器
产品描述
WD3139是一款恒定电流、高效率的LED驱动器。其内部MOSFET可以驱动高达10个串联的白色LED,电流限制为1.2A,过压保护为38V。可以将脉冲宽度调制(PWM)信号应用于EN引脚以实现LED调光。该设备以1MHz的固定开关频率运行,以减少输出纹波、提高转换效率,并允许使用小型外部组件。
封装与环保信息:WD3139采用TSOT-23-6L封装,标准产品为无铅和无卤素。
产品特性:
输入电压范围:2.7~5.5V
开路LED保护:38V(典型值)
参考电压:200mV(±5%)
开关频率:1MHz(典型值)
效率:高达92%
主开关电流限制:1.2A(典型值)
PWM调光频率:5KHz至200KHzPWM
调光占空比:0.5%~100%
应用领域:
智能手机
平板电脑
便携式游戏机
WD3139是一款专为串联白色LED设计的高效驱动器。提供1.2A电流限制和38V过压保护,确保LED稳定安全。支持PWM调光,1MHz开关频率提升转换效率并减少输出纹波。适用于智能手机、平板等便携设备的LED背光或指示灯。小巧封装且环保,是理想选择。详情请查阅数据手册或联系我们。 ESD5471X-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:FBP-02C。
WPM1481:单P沟道、-12V、-5.1A功率MOSFET
产品描述:
WPM1481是一款P沟道增强型MOS场效应晶体管。它采用了先进的沟槽技术和设计,以提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这款器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WPM1481为无铅产品。小型DFN2*2-6L封装。
产品特性:
· 沟槽技术
· 超高密度单元设计
· 出色的导通电阻
· 适用于更高的直流电流
· 极低的阈值电压
应用领域:
· 继电器、电磁阀、电机、LED等的驱动器
· DC-DC转换电路
· 电源开关
· 负载开关
· 充电应用
WPM1481是一款高性能的P沟道功率MOSFET,专为高电流应用而设计。其出色的RDS(ON)和极低的阈值电压使其成为DC-DC转换、电源开关和充电电路的理想选择。同时,其小型DFN2*2-6L封装使得它在空间受限的应用中也能发挥出色。WPM1481作为无铅产品,还符合环保要求。无论是用于驱动继电器、电磁阀、电机还是LED,WPM1481都能提供可靠且高效的性能。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 WSB5524D-2/TR 肖特基二极管 封装:FBP1608-2L。代理分销商WILLSEMI韦尔ESD73251CZ
WL2836E08-5/TR 线性稳压器(LDO) 封装:SOT-23-5L。代理分销商WILLSEMI韦尔ESD73051N
WL2805N33-3/TR:高效且可靠的瞬态电压抑制器
WL2805N33-3/TR是一款高性能的瞬态电压抑制器,专为保护电子设备免受瞬态电压的侵害而设计。在现代电子设备中,由于雷电、静电放电和其他电气瞬态事件,电路中的敏感组件经常面临损坏的风险。而WL2805N33-3/TR的出现,为这些设备提供了可靠的防护。
这款抑制器具有出色的瞬态抑制能力和低漏电流特性,能够在瞬态事件发生时迅速响应,将电压限制在安全范围内,从而保护电路中的敏感组件免受损坏。
此外,WL2805N33-3/TR还具有低钳位电压和低电容值,确保了信号传输的准确性和稳定性。 其紧凑的封装设计使得它非常适合用于各种电子设备中,如通信设备、计算机、医疗设备和消费电子产品等。无论是对于工业应用还是日常消费应用,WL2805N33-3/TR都能提供优异的瞬态电压保护,确保设备的稳定运行和延长使用寿命。
安美斯科技作为专业的电子元器件代理分销商,致力于为客户提供优异的产品和服务。我们非常荣幸能为您推荐WL2805N33-3/TR这款瞬态电压抑制器,并愿意提供样品供您测试。如需了解更多信息或支持,请随时联系我们。 代理分销商WILLSEMI韦尔ESD73051N