固态继电器（过零触发电路）MOC3061实物图：电路如图3所示，图中MOC3061为光电耦合双向可控硅驱动器，也属于光电耦合器的一种，用来驱动双向可控硅BCR并且起到隔离的作用，R6为触发限流电阻，R7为BCR门极电阻，防止误触发，提高抗干扰能力。当单片机80C51的，MOC3061导通，触发BCR导通，接通交流负载。另外，若双向可控硅接感**流负载时，由于电源电压超前负载电流一个相位角，因此，当负载电流为零时，电源电压为反向电压，加上感性负载自感电动势el作用，使得双向可控硅承受的电压值远远超过电源电压。虽然双向可控硅反向导通，但容易击穿，故必须使双向可控硅能承受这种反向电压。一般在双向可控硅两极间并联一个RC阻容吸收电路，实现双向可控硅过电压保护，图3中的C2、R8为RC阻容吸收电路。样鉴别测试可控硅的好坏？鉴别可控硅三个极分别是什么？具体的方法和步骤如下：鉴别可控硅三个极的方法很简单，根据P-N结的原理，只要用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以。阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上，阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上（它们之间有两个P-N结，而且方向相反，因此阳极和控制极正反向都不通）。通常把电流容量在1安以下的器件称为整流二极管，1安以上的称为整流器。逆导可控硅
应当G-S极间短路一下。这是因为G-S结电容上会充有少量电荷，建立起ＶGＳ电压，造成再进行测量时表针可能不动，只有将G-S极间电荷短路放掉才行。（4）用测电阻法判别无标志的场效应管首先用测量电阻的方法找出两个有电阻值的管脚，也就是源极Ｓ和漏极Ｄ，余下两个脚为***栅极G1和第二栅极G2。把先用两表笔测的源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻值记下来，对调表笔再测量一次，把其测得电阻值记下来，两次测得阻值较大的一次，黑表笔所接的电极为漏极Ｄ；红表笔所接的为源极Ｓ。用这种方法判别出来的Ｓ、Ｄ极，还可以用估测其管的放大能力的方法进行验证，即放大能力大的黑表笔所接的是Ｄ极；红表笔所接地是８极，两种方法检测结果均应一样。当确定了漏极Ｄ、源极Ｓ的位置后，按Ｄ、Ｓ的对应位置装人电路，一般G1、G2也会依次对准位置，这就确定了两个栅极G1、G2的位置，从而就确定了Ｄ、S、G1、G2管脚的顺序。（5）用测反向电阻值的变化判断跨导的大小对ＶＭＯＳＮ沟道增强型场效应管测量跨导性能时，可用红表笔接源极Ｓ、黑表笔接漏极Ｄ，这就相当于在源、漏极之间加了一个反向电压。此时栅极是开路的，管的反向电阻值是很不稳定的。将万用表的欧姆档选在R×10kΩ的高阻档。逆导可控硅为了减小器件因过压击穿造成损坏的可能性和提高整流装置的可靠性，可采用硅雪崩整流器。
正是由于它将电子管与功率晶体管之优点集于一身，因此在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。VMOS场效应功率管具有极高的输入阻抗及较大的线性放大区等优点，尤其是其具有负的电流温度系数，即在栅-源电压不变的情况下，导通电流会随管温升高而减小，故不存在由于“二次击穿”现象所引起的管子损坏现象。因此，VMOS管的并联得到广泛应用。众所周知，传统的MOS场效应管的栅极、源极和漏极**致处于同一水平面的芯片上，其工作电流基本上是沿水平方向流动。VMOS管则不同，从图1上可以看出其两大结构特点:***，金属栅极采用V型槽结构；第二，具有垂直导电性。由于漏极是从芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流动，而是自重掺杂N+区（源极S）出发，经过P沟道流入轻掺杂N-漂移区，***垂直向下到达漏极D。电流方向如图中箭头所示，因为流通截面积增大，所以能通过大电流。由于在栅极与芯片之间有二氧化硅绝缘层，因此它仍属于绝缘栅型MOS场效应管。国内生产VMOS场效应管的主要厂家有877厂、天津半导体器件四厂、杭州电子管厂等，典型产品有VN401、VN672、VMPT2等。下面介绍检测VMOS管的方法。
选用具有温度补偿特性的2CW234系列硅稳压管作为基准源，并选择其稳定电压为6．4V。由特性较好的三端集成稳压器供电，限流电阻采用精密金属膜电阻R（温度系数约为±1×10－5／℃）。为了减小噪声的影响，将稳压管封装在盛油的小容器里，噪声指标将会有明显的改善。电压取样如图2所示。分别将调整管的集－射极电压经电阻分压，并将分压后的射极电压通过一电阻送入比较放大器反相端；在集电极电压的取样电路中串入一稳压管，由该管决定调整管压降大小。此处选3．3V。并将集电极电压减去稳压管稳压值后分压送入比较放大器的同相端。为保证取样精度，应使集－射极采样电阻完全对称，并选取温度特性较好、同一型号的精密金属膜电阻。比较放大器采用集成运放并接成负反馈。令R1＝R3，R2＝R4；设分压系数n＝R2／（R1＋R2）；集成运算放大器输出为Uo；放大系数为K；调整管集电极电压为UC；调整管发射极电压为UE；A点电压为UA；B点电压为UB；有：当调整管压降增大，UcE上升，使Uo增大，即触发器的控制电压Ub增大，而集成触发器KJ785是负极型的：控制电压增大，导通角减小。因此，触发脉冲后移，整流输出减小。可控硅整流担任***步的稳压工作。整流器常用的冷却方式有自然冷却、纯风扇冷却、自然冷却和风扇冷却相结合三种。
散热系统采用高.效散热器、低噪音风机。整机带有控制板所有的功能。该电力调整器与带0-5V、4-20mA的智能PID调节器或PLC配套使用；主要用与工业电炉的加热控制。一．技术规格*功率元件：进口单向反并联可控硅（晶闸管）模块*负载电源：单相220、380VAC±10%50HZ*电流容量：25A50A、100A150A200A250A350AAC*控制板电源与功耗：220或380VAC±10%50HZ通用,功耗：2W比较大*风扇电源(根据型号配备)：电压：220VAC电流：A以下*控制输入：4~20mADC输入,接收阻抗120Ω；（默认输入信号）0~5VDC输入,输入电阻>20KΩ（定货时需说明）0~10VDC输入,输入电阻>20KΩ（订货声明）*LED状态显示LED名称功能状态颜色现象含义STATE三色状态指示状态1绿色正常运行（有输出）状态2红绿交替闪烁散热器超温报警（无输出）状态3黄色闪烁待机状态4黄色闪烁三次后变绿自检通过IN绿色输入指示状态1绿色亮控制信号大于0状态2绿色灭控制信号为0*控制方式：调相控制：连续调压；调功控制：阻性过零调功*调节输出分辨率：调相°；调功10ms*移相范围：0～180°；*驱动输出：可变宽度脉冲：8°~120°触发可控硅模块：驱动电流300mA*手动方式：外接10KΩ电位器调整*软启动软关断时间：相角控制时。可控硅触发板用于同步机励磁控制、汽轮发电机机励磁控制等。山东可控硅调压器
因为贮存时间ts过长，电路的振荡频率将下降，整机的工作电流增大易导致三极管的损坏。逆导可控硅
若在晶闸管被触发导通后断开G极，T2、T1极间不能维持低阻导通状态而阻值变为无穷大，则说明该双向晶闸管性能不良或已经损坏。若给G极加上正(或负)极性触发信号后，晶闸管仍不导通(T1与T2间的正、反向电阻值仍为无穷大)，则说明该晶闸管已损坏，无触发导通能力。对于工作电流在8A以上的中、大功率双向晶闸管，在测量其触发能力时，可先在万用表的某支表笔上串接1～3节1．5V干电池，然后再用R×1档按上述方法测量。对于耐压为400V以上的双向晶闸管，也可以用220V交流电压来测试其触发能力及性能好坏。图6是双向晶闸管的测试电路。电路中，FL为60W／220V白炽灯泡，VT为被测双向晶闸管，R为100Ω限流电阻，S为按钮。将电源插头接入市电后，双向晶闸管处于截止状态，灯泡不亮(若此时灯泡正常发光，则说明被测晶闸管的T1、T2极之间已击穿短路；若灯泡微亮，则说明被测晶闸管漏电损坏)。按动一下按钮S，为晶闸管的门极G提供触发电压信号，正常时晶闸管应立即被触发导通，灯泡正常发光。若灯泡不能发光，则说明被测晶闸管内部开路损坏。若按动按钮s时灯泡点亮，松手后灯泡又熄灭，则表明被测晶闸管的触发性能不良。逆导可控硅
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