陶瓷电容器的分类:陶瓷电容器根据介质的种类主要可以分为两种，即I类陶瓷电容器和II类陶瓷电容器。Ⅰ类陶瓷电容器，原名高频陶瓷电容器，是指由陶瓷介质制成的电容器，具有低介质损耗，高绝缘电阻，介电常数随温度线性变化。特别适用于谐振电路和其它损耗低、电容稳定的电路，或用于温度补偿。Ⅱ类陶瓷电容器过去称为低频陶瓷电容器，是指以铁电陶瓷为电介质的电容器，所以又称为铁电陶瓷电容器。这种电容器比电容大，电容随温度非线性变化，损耗大。常用于电子设备中对损耗和电容稳定性要求不高的旁路、耦合或其他电路。电容器外壳、辅助引出端子与正、负极 以及电路板间必须完全隔离。浙江钽电容品牌
MLCC电容生产工艺流程包含倒角：将烧结好的瓷介电容器、水和研磨介质装入倒角槽中，通过球磨和行星研磨的方式移动，形成光滑的表面，保证产品内部电极充分暴露，内外电极连接。端接：在倒角芯片露出的内电极两端涂上端糊，同侧的内电极连接形成外电极。老化：只有在低温烧结终止产品后，才能确保内外电极之间的连接。并使端头与瓷有一定的粘结强度。末端处理：表面处理过程是电沉积过程，是指电解液中的金属离子(或络合离子)在直流电的作用下，在阴极表面还原成金属(或合金)的过程。电容器通常在端子(银端子或铜端子)上镀一层镍，然后镀锡。外观选择：借助放大镜或显微镜选择有表面缺陷的产品。测试：电容器产品电性能分类：容量、损耗、绝缘、电阻、耐压100%测量分级，排除不良品。捆扎：根据尺寸和数量要求，用纸带或塑料袋包装电容器。北京电感规格液态电解电容采用的介电材料为电解液，而固态电容采用的是导电性高分子。
陶瓷电容器的起源：1900年，意大利人L.longbadi发明了陶瓷介质电容器。20世纪30年代末，人们发现在陶瓷中加入钛酸盐可以使介电常数加倍，从而制造出更便宜的陶瓷介质电容器。1940年左右，人们发现陶瓷电容器的主要原料BaTiO3(钛酸钡)具有绝缘性，随后陶瓷电容器开始用于尺寸小、精度要求高的电子设备中。陶瓷叠层电容器在1960年左右开始作为商品开发。到1970年，随着混合集成电路、计算机和便携式电子设备的发展，它迅速发展起来，成为电子设备中不可缺少的一部分。目前，陶瓷介质电容器的总数量约占电容器市场的70%。
类陶瓷电容器类稳定陶瓷介质材料，如美国电气工程协会(EIA)标准的X7R、X5R和中国标准的CT系列(温度系数为15.0%)，不适用于定时、振荡等温度系数较高的场合。然而，因为介电系数可以做得非常大(高达1200)，所以电容可以做得相对较大。一般1206贴片封装的电容可以达到10F或者更高；类可用的陶瓷介质材料如美国电气工程协会(EIA)标准的Z5U、Y5V和中国标准的CT系列低档产品(温度系数为22%、-56%的Z5U和22%、-82%的Y5V)，这种介质的介电系数随温度变化很大，不适用于定时、振荡等高温度系数的场合。但由于其介电系数可以做得很大(可达1000~12000)，电容比可以做得更大，适用于一般工作环境温度要求(-25~85)的耦合、旁路和滤波。一般1206表贴Z5U和Y5V介质电容甚至可以达到100F，从某种意义上说是取代钽电容的有力竞争者。电容的本质：两个相互靠近的导体，中间夹一层不导电的绝缘介质，这就构成了电容器。
电容允许偏差：这个上期我们讲安规电容的作用时又提起过，顾名思义，这就是电容的较大允许偏差范围。常用的容量误差为：J表示允许偏差±5%,K表示允许偏差±10%,M表示允许偏差±20%。额定工作电压：在电路中能长时间稳定、可靠地工作，并能承受较大直流电压，也叫耐压。对结构、容量一样的电子器件，耐压越高，体积越大。损耗：贴片陶瓷电容在电场的作用下，由于每单位时间产生热量而消耗能量。这种损失主要来源于介质损失和金属损失。一般都是以损耗角正切值表示的。上述就是关于贴片陶瓷电容的一些基本常识，想要了解更多电容相关咨询的，可关注江苏芯声微电子科技。MLCC电容特点：热脆性：MLCC内部应力很复杂，所以耐温度冲击的能力很有限。南京压电陶瓷电容厂家
钽电容在电源滤波、交流旁路等用途上少有竞争对手。浙江钽电容品牌
MLCC除有电容器“隔直通交”的通性特点外，其还有体积小，比容大，寿命长，可靠性高，适合表面安装等特点。随着世界电子行业的飞速发展，作为电子行业的基础元件，片式电容器也以惊人的速度向前发展，每年以10%～15%的速度递增。目前，世界片式电容的需求量在2000亿支以上，70%出自日本（如MLCC大厂村田muRata），其次是欧美和东南亚（含中国）。随着片容产品可靠性和集成度的提高，其使用的范围越来越广，普遍地应用于各种军民用电子整机和电子设备。如电脑、电话、程控交换机、精密的测试仪器、雷达通信等。浙江钽电容品牌
