电容基本参数
  • 品牌
  • 芯声
  • 型号
  • 齐全
  • 介质材料
  • 高频瓷介,半导体瓷,低频瓷介
  • 工作电压
  • 高压,中压,低压
  • 用途
  • 谐振,温度补偿,旁路,滤波,隔直流,耦合,放大信
  • 调节方式
  • 固定,微调,可变
  • 厂家
  • 江苏芯声微电子科技有限公司
电容企业商机

类陶瓷电容器类稳定陶瓷介质材料,如美国电气工程协会(EIA)标准的X7R、X5R和中国标准的CT系列(温度系数为15.0%),不适用于定时、振荡等温度系数较高的场合。然而,因为介电系数可以做得非常大(高达1200),所以电容可以做得相对较大。一般1206贴片封装的电容可以达到10F或者更高;类可用的陶瓷介质材料如美国电气工程协会(EIA)标准的Z5U、Y5V和中国标准的CT系列低档产品(温度系数为22%、-56%的Z5U和22%、-82%的Y5V),这种介质的介电系数随温度变化很大,不适用于定时、振荡等高温度系数的场合。但由于其介电系数可以做得很大(可达1000~12000),电容比可以做得更大,适用于一般工作环境温度要求(-25~85)的耦合、旁路和滤波。一般1206表贴Z5U和Y5V介质电容甚至可以达到100F,从某种意义上说是取代钽电容的有力竞争者。片式铝电解电容是没有套管的,所以在铝壳的底部印有容量、电压、正负极等相关信息。南通射频电容规格

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陶瓷电容器品种繁多,外形尺寸相差甚大从0402(约1×0.5mm)封装的贴片电容器到大型的功率陶瓷电容器。按使用的介质材料特性可分为Ⅰ型、Ⅱ型和半导体陶瓷电容器;按无功功率大小可分为低功率、高功率陶瓷电容器;按工作电压可分为低压和高压陶瓷电容器;按结构形状可分为圆片形、管型、鼓形、瓶形、筒形、板形、叠片、独石、块状、支柱式、穿心式等。陶瓷电容器的温度特性应用陶瓷电容器首先要注意的就是其温度特性;不同材料的陶瓷介质,其温度特性有极大的差异。南通射频电容规格铝电解电容,常见的电性能测试包括:电容量,损耗角正切,漏电流,额定工作电压,阻抗等等。

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无极性电容体积小,价格低,高频特性好,但它不适合做大容量。像瓷片电容、独石电容、聚乙烯(CBB)电容等都是,瓷片电容一般用在高频滤波、震荡电路中比较多。磁介电容是以陶瓷材料为介子,并在表面烧上银层作为电极的电容器。磁介电容器性能稳定。损耗,漏电都很小,适合于高频高压电路中应用。一般而言,电容两极间的绝缘材料,介电常数大的(如铁电陶瓷,电解液)适合于制作大容量小体积的电容,但损耗也大。介电常数小的(如陶瓷)损耗小,适合于高频应用。

根据经验,在电路的总电源原理图中,设计原理图时把这些电容画在一起,因为是同一个网络,而在设计实际PCB时,这些电容分别放在各自的ic上。电容越大,信号频率越高,电容的交流阻抗越小。电源(或信号)或多或少会叠加一些交流高频和低频信号,对系统不利。IC电源的引脚与地之间并联放置电容,一般是为了滤除对系统不利的交流信号。10uf和0.1uf的电容配合使用,使电源(或信号)对地的交流阻抗在很宽的频率范围内很小,这样可以更干净地滤除交流分量。想使电容容量大,有三种方法: ①使用介电常数高的介质 ②增大极板间的面积 ③减小极板间的距离。

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一般来说,它是一个去耦电容。或者数字电路通断时,对电源影响很大,造成电源波动,需要用电容去耦。通常,容量是芯片开关频率的倒数。如果频率为1MHz,选择1/1M,即1uF。你可以拿一个大一点的。比较好有芯片和去耦电容,电源处应该有,用的量还是蛮大的。在一般设计中,提到通常使用0.1uF和10uF、2.2uF和47uF进行电源去耦。在实际应用中如何选择它们?根据不同的功率输出或后续电路?通常并联两个电容就够了,但在某些电路中并联更多的电容可能会更好。不同电容值的电容器并联可以在很宽的频率范围内保证较低的交流阻抗。在运算放大器的电源抑制(PSR)能力下降的频率范围内,电源旁路尤为重要。电容可以补偿放大器PSR的下降。在很宽的频率范围内,这种低阻路径可以保证噪声不进入芯片。MLCC的结构主要包括三大部分:陶瓷介质,内电极,外电极。泰州100uf钽电容批发

电解电容被普遍应用在各类电路中。南通射频电容规格

电解电容器在电子电路中是必不可少的。而且随着电子设备的小型化,越来越要求电解电容器具有更好的频率特性、更低的ESR、更低的阻抗、更低的ESL、更高的耐压和无铅,这也是电解电容器未来的发展方向。采用铌、钛等新型介电材料,改进结构,可以实现电容器的小型化和大容量化。通过开发和优化新型电解质的工艺和结构,可以实现低ESR和低ESL,产品将向更高电压方向发展。在日新月异的信息技术领域,电容永远是关键元件之一。我们将应用新技术和新材料,不断开发高性能电容器,以满足信息时代的需求。南通射频电容规格

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