当负载频率上升到电容器中流动的交流电流的额定电流值时，即使负载电压没有达到额定交流电压，也需要降低电容器的负载交流电压，以保证流经电容器的电流不超过额定电流值，即左图曲线开始下降；但是，负载频率不断上升，电容器损耗因数引起的发热成为电容器负载电压的主要限制因素，即负载电压会随着频率的增加而急剧下降，即左中图中曲线的急剧下降部分与负载交流电压相反。当电容器加载的交流电流频率较低时，即使电流没有达到额定电流，电容器上的交流电压也已经达到其额定值，即加载交流电流受到电容器额定电压的限制，加载交流电流随着频率的增加而增加。液态电解电容采用的介电材料为电解液，而固态电容采用的是导电性高分子。常州温度补偿型电容规格
软端电容（SoftTerminationCapacitor）是一种抗机械应力型多层陶瓷贴片电容（MLCC），其重心设计在于端电极结构的柔性化，通过引入柔性导电材料或树脂缓冲层，减少电路板弯曲、振动或热冲击导致的内部陶瓷介质裂纹风险。结构特点：基础架构：由多层陶瓷介质（如氧化铝、钛酸钡基材料）与金属内电极交替堆叠，外覆金属端电极。柔性端电极：在传统铜镀层（Cu）外增加树脂层或柔性导电材料（如高分子复合材料），形成弹性缓冲结构，分散外部应力。泰州高频陶瓷电容规格常用陶瓷电容容量范围：0.5pF~100uF。
陶瓷电容器的起源：1900年，意大利人L.longbadi发明了陶瓷介质电容器。20世纪30年代末，人们发现在陶瓷中加入钛酸盐可以使介电常数加倍，从而制造出更便宜的陶瓷介质电容器。1940年左右，人们发现陶瓷电容器的主要原料BaTiO3(钛酸钡)具有绝缘性，随后陶瓷电容器开始用于尺寸小、精度要求高的电子设备中。陶瓷叠层电容器在1960年左右开始作为商品开发。到1970年，随着混合集成电路、计算机和便携式电子设备的发展，它迅速发展起来，成为电子设备中不可缺少的一部分。目前，陶瓷介质电容器的总数量约占电容器市场的70%。
钽电容器成本高。看看我们的淘宝就知道100uF钽电容和100uF陶瓷电容的价格差了。钽电容的价格是陶瓷电容的10倍左右。如果电容要求小于100uF，大多数情况下，如果满足耐压，我们通常需要陶瓷电容。陶瓷电容器的封装大于1206大容量或高耐压时尽量慎重选择。片式陶瓷电容器的主要失效形式是断裂(封装越大越容易失效):片式陶瓷电容器常见的失效形式是断裂，这是由片式陶瓷电容器本身介质的脆性决定的。由于片式陶瓷电容焊接直接在电路板上，直接承受来自电路板的各种机械应力，而铅制陶瓷电容可以通过引脚吸收来自电路板的机械应力。因此，对于片式陶瓷电容器，由于热膨胀系数不同或电路板弯曲，铝电解电容是电容中非常常见的一种。
电容容量,普通陶瓷电容的电容范围：0.5pF~100uF。陶瓷的电容从0.5pF开始可以达到100uF，根据不同的电容封装(尺寸)电容会有所不同。在选择电容器时，不能盲目选择大容量。选对了才是对的。比如0402电容可以做到10uF/10V，0805电容可以做到47uF/10V。但为了采购好，成本低，一般不选择电容。一般建议0402选用4.7uF-6.3V，0603选用22uF/6.3，0805选用47uF/6.3V。其他更高的耐受电压需要相应降低。如果满足要求，选择主要看是否常用，价格是否低廉。额定电压陶瓷电容器常见的额定电压有：2.5V、4V、6.3V、10V、16V、25V、50V、63V、100V、200V、250V、450V、500V、630V、1KV、1.5KV、2KV、2.5KV、3KV等。电容器的两个极板之间加上电压时，电容器就会储存电荷。扬州高压电容价格
电解电容器多数采用卷绕结构，很容易扩大体积，因此单位体积电容量非常大，比其它电容大几倍到几十倍。常州温度补偿型电容规格
无极性电容体积小，价格低，高频特性好，但它不适合做大容量。像瓷片电容、独石电容、聚乙烯(CBB)电容等都是，瓷片电容一般用在高频滤波、震荡电路中比较多。磁介电容是以陶瓷材料为介子，并在表面烧上银层作为电极的电容器。磁介电容器性能稳定。损耗，漏电都很小，适合于高频高压电路中应用。一般而言，电容两极间的绝缘材料，介电常数大的(如铁电陶瓷，电解液)适合于制作大容量小体积的电容，但损耗也大。介电常数小的(如陶瓷)损耗小，适合于高频应用。常州温度补偿型电容规格
