河北电池片加工厂家

    P2O5在扩散温度下与硅反应，生成二氧化硅和磷原子，生成的P2O5淀积在硅片表面与硅继续反应生成SiO2和磷原子，并在硅片表面形成磷-硅玻璃（PSG），磷原子向硅中扩散,制得N型半导体。3刻蚀在扩散工序，采用背靠背的单面扩散方式，硅片的侧边和背面边缘不可避免地都会扩散上磷原子。当阳光照射，P-N结的正面收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到P-N结的背面，造成短路通路。短路通道等效于降低并联电阻。刻蚀工序是让硅片边缘带有的磷的部分去除干净，避免了P-N结短路并且造成并联电阻降低。湿法刻蚀工艺流程：上片→蚀刻槽（H2SO4HNO3HF）→水洗→碱槽(KOH)→水洗→HF槽→水洗→下片HNO3反应氧化生成SiO2，HF去除SiO2。刻蚀碱槽的作用是为了抛光未制绒面，使电池片变得光滑；碱槽的主要溶液为KOH；H2SO4是为了让硅片在流水线上漂浮流动起来，并不参与反应。干法刻蚀是用等离子体进行薄膜刻蚀。当气体以等离子体形式存在时，一方面等离子体中的气体化学活性会变得相对较强，选择合适的气体，就可以让硅片更快速的进行反应，实现刻蚀；另一方面，可利用电场对等离子体进行引导和加速，使等离子体具有一定能量，当轰击硅片的表面时，硅片材料的原子击出。

     采用丝网印刷法，精配好的银浆印在硅片上做成栅线，经过烧结，同时制成背电极。河北电池片加工厂家

    电池片的生产流程一次清洗制绒工序1清洗抛光片配方1清洗步骤置样品入舟——浸入I号液——漂洗——浸入II号液——漂洗2溶液配方I号液NH4OH:H2O2:H2O=1:1:675oC(70-80)II号液HCL:H2O2:H2O=1:1:675oC(70-80)3实验过程主要是利用两种溶液进行去金属离子；2白斑问题1不出绒面（主要因素）；采取的方法是：①增加时间；②提高温度；③加大NaOH浓度；2绒面较好，只是表面有白斑可能是溶液不均匀，或者Na2SiO3太多，需排液；3硅片因为本身的切割或其他原因出现的表面有规则的白斑，那是无法去掉；解决办法：①粗抛控制；②整体发白或发灰，归结为NaOH浓度不够；适当增加NaOH或延长制绒时间；③测试反射率，太高表示沒有金字塔，因为片子表面有一層較厚的SiO2；④超声清洗；；2NaOH浓度过高（主要因素）；解决办法：①增大IPA量②降低NaOH浓度；4绒面大小均匀性控制分析1与IPA量、温度、时间和溶液的浓度有关；2溶液的均匀性；3槽子里温度场均匀性；4用NaOH控制，绒面大时，少补加NaOH或干脆就不补加；IPA的量保证硅片表面没有小雨点就可以；5液体在硅片表面必须有径向流动；5水纹问题1是粗抛造成的2是在制绒槽提篮时溶液和硅片不亲润造成水纹就是在做成品后用我们眼睛看到的"水印"。

    内蒙古新款电池片用串联和并联的方法构成一定的输出电压和电流。

    常用的超声波频率为20kHz到40kHz左右),液体介质内部会产生疏部和密部，疏部产生近乎真空的空腔泡，当空腔泡消失的瞬间,其附近便产生强大的局部压力，使分子内的化学键断裂，因此使硅片表面的杂质解吸。当超声波的频率和空腔泡的振动频率共振时，机械作用力达到比较大，泡内积聚的大量热能，使温度升高，促进了化学反应的发生。超声波清洗的效果与超声条件（如温度、压力、超声频率、功率等）有关，而且提高超声波功率往往有利于清洗效果的提高，但对于小于1μm的颗粒的去除效果并不太好。该法多用于硅片表面附着的大块污染和颗粒。17硅片清洗中的兆声波技术兆声波清洗不但保存了超声波清洗的优点，而且克服了它的不足。兆声波清洗的机理是由高能(850kHz)频振效应并结合化学清洗剂的化学反应对硅片进行清洗的。在清洗时，由换能器发出波长为1μm频率为。溶液分子在这种声波的推动下作加速运动，比较大瞬时速度可达到30cm/s。因此，形成不了超声波清洗那样的气泡,而只能以高速的流体波连续冲击晶片表面，使硅片表面附着的污染物的细小微粒被强制除去并进入到清洗液中。兆声波清洗抛光片可去掉晶片表面上小于μm的粒子。

    电池片工艺流程:制绒(INTEX)→扩散(DIFF)→后清洗(刻边/去PSG)→镀减反射膜(PECVD)→丝网、烧结(PRINTER)→测试、分选(TESTER+SORTER)→包装(PACKING)。一、制绒制绒的目的是在硅片表面形成绒面面，以减少电池片的反射率，绒面凹凸不平可以增加二次反射，改变光程及入射方式。通常情况下用碱处理单晶，可以得到金字塔状绒面；用酸处理多晶，可以得到虫孔状无规则绒面。处理方式区别主要在与单多晶性质的区别。工艺流程：制绒槽→水洗→碱洗→水洗→酸洗→水洗→吹干。一般情况下，硅与HF、HNO3（硅表面会被钝化）认为是不反应的。当存在于两种混合酸的体系中，硅与混合溶液的反应是持续性的。二、扩散扩散是为电池片制造心脏，是为电池片制造P-N结，POCl3是当前磷扩散用较多的选择。POCl3为液态磷源，液态磷源扩散具有生产效率较高、稳定性好、制得PN结均匀平整及扩散层表面良好等优点。POCl3在大于600℃的条件下分解生成五氯化磷（PCl5）和五氧化二磷（P2O5），PCl5对硅片表面有腐蚀作用，当有氧气O2存在时，PCl5会分解成P2O5且释放出氯气，所以扩散通氮气的同时通入一定流量的氧气。 这只要我们在制绒后及时进行酸洗，也可提高HF的浓度.

    原位掺杂:PECVD制备多晶硅膜并原位掺杂工艺优势:沉积速度快，沉积温度低，轻微的绕镀，可以用PECVD直接制备多晶硅层，流程相对简化劣势:厚度均匀性较差，纯度低，存在气泡爆膜问题，导致致密度和良率较低目前产业化程度较慢，根据Solarzoom，目前拉普拉斯、捷佳伟创、金辰股份、无锡微导等国内设备厂商已经布局该方法原则上没有绕镀问题，与PERC产线不兼容，更适合新的产线，后续有望通过工艺的成熟改善镀膜稳定性，成为主流技术3.离子注入:LPCVD制备多晶硅膜结合扩硼及离子注入磷工艺优势:离子注入技术是单面工艺，掺杂离子无需绕镀，工艺温度低，成膜速度快劣势:扩硼工艺要比扩磷工艺难度大，需要更多的扩散炉和两倍的LPCVD，设备成本高，靶材用量大，方阻均匀性有偏差目前主要是隆基绿能有布局，因占地面积较大，几乎没有绕镀问题但是设备成本昂贵，正逐渐被边缘化成本分析，大部分的TOPCon产线可以从PERC产线升级得来，极大降低设备投资成本TOPCon产线延长了PERC产线生命周期，有助于降低折旧费用主要新增的设备包括:多晶硅/非多晶硅沉积的LPCVD/PECVD/PVD设备、硼扩散设备等。 目前太阳能电池主要包括晶体硅电池和薄膜电池两种。黑龙江电池片打磨

原始的解决方法是用强碱来粗剥一下，但随着原材料变薄也可用低一些的浓度与IPA混合溶液处理，5~6分钟即可。河北电池片加工厂家

    太阳能光伏发电一般指能利用半导体直接将光能转换为电能的一种能源形式。晶硅类太阳能电池是普遍的一种形式，太阳能电池起源于1839年，法国贝克勒尔是首先个发现了液态电解质的光生伏特现象的科学家。其一般构造如图所示，在基体硅中渗入棚原子以后，便会产生空穴。同理，在基体硅中掺入磷原子以后，由于磷原子相比于硅原子，其外层是具有五个电子的特殊结构，相比于硅原子的四电子结构就会有多出来的一个电子变得非常活跃，叫做N型半导体。晶体硅太阳能电池片主要是用硅半导体材料作为基体制成较大面积的平面PN结，即在规格大约为15cm×15cm的P型硅片上经扩散炉扩散磷原子，扩散出一层很薄的经过重掺杂的N型层。然后经刻蚀到达PECVD在整个N型层表面上镀上一层减反射膜用来减少太阳光的反射损失，达到丝网在扩散面印刷上金属栅线作为太阳能电池片的正面接触电极。在刻蚀面印刷金属膜，作为太阳能电池片的背面欧姆接触电极，并烧结封装。 河北电池片加工厂家