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HTOL测试机基本参数
  • 品牌
  • TOP-ICTEST 顶策
  • 型号
  • TH801
  • 基材
  • PCB
HTOL测试机企业商机

集成电路可靠性测试方案制定,自主研发的可靠性测试设备,可以满足各类芯片可靠性测试需求。上海顶策科技有限公司TH801智能一体化老化测试机,自主研发在线实时单颗监测技术,通过监测数据,可以实时发现问题并介入分析,大幅提高HTOL效率。上海顶策科技有限公司,拥有20年以上的丰富测试技术积累及运营经验,以及多项发明专利及软件著作权,自成立以来已经为超过500家半导体公司提供高质量,高效率,低成本,一条龙测试解决方案!上海顶策科技智能HTOL系统,自主研发在线实时单颗监测技术。闵行区HTOL测试机哪里有卖的

    进一步的,对所述闪存参考单元进行编译,包括:在所述源极上施加***编程电压,在所述漏极上施加第二编程电压,在所述控制栅上施加第三编程电压,在所述衬底上施加第四编程电压;其中,所述***编程电压小于所述第二编程电压;所述第二编程电压小于所述第三编程电压。进一步的,所述***编程电压的范围为~0v,所述第二编程电压的范围为~,所述第三编程电压的范围为8v~10v,所述第四编程电压的范围为~-1v。进一步的,编译过程中的脉冲宽度为100μs~150μs。进一步的,对所述闪存参考单元进行擦除,包括:将所述源极和漏极均悬空,在所述控制栅上施加***擦除电压,在所述衬底上施加第二擦除电压;其中,所述***擦除电压为负电压,所述第二擦除电压为正电压。进一步的,所述***擦除电压的范围为-10v~-8v,所述第二擦除电压的范围为8v~10v。进一步的,擦除过程中的脉冲宽度为10ms~20ms。进一步的,对所述闪存参考单元进行编译和擦除,循环次数为10次~20次。进一步的,对所述闪存进行htol测试包括:对所述闪存依次进行***时间点读点、第二时间点读点、第三时间点读点至第n时间点读点。

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导致偏移量发生的原因是在htol可靠性验证过程中闪存参考单元会有空穴丢失,而丢失的空穴是在制作闪存的生产工艺过程中捕获(引入)的,短期内无法消除。而闪存产品从工程样品(es,engineeringsample)到客户样品(cs,customersample)的时间不容延期。从测试端找出解决方案非常迫在眉睫。本发明实施例的闪存htol测试方法对所述闪存参考单元循环进行编译和擦除,以在所述闪存参考单元中引入电子;对所述闪存进行htol测试,所述引入电子在所述htol测试过程中存在丢失,以对htol测试过程中所述空穴的丢失形成补偿。

    HTOL的注意要点高温工作寿命的测试条件主要遵循JESD22-A108进行,除了给器件合适的偏置与负载外,主要包括温度应力和电压应力,这两者都属于加速因子。合理设置温度应力和电压应力,以便在合理的时间和成本下完成寿命评估。对于硅基产品,温度应力一般设置在结温>=125℃,GaAs等其它耐高温材料则可以设置更高的温度,具体根据加速要求而定。但无论哪种材料,均需要结温小于材料的极限工作温度或者热关断(thermalshutdown)温度。HTOL硬件的散热设计有利于加速因子的提高,这样可以节省试验时间。电压应力一般采用最高工作电压进行,如果需要提高加速度,则可以采用更高的电压进行试验,但是无论电压应力还是温度应力都不允许器件处于过电应力的状态。 集成电路动态老化设备,上海顶策科技有限公司自主研发TH801智能一体化HTOL测试机。

包括:将所述源极101和漏极102均悬空,在所述控制栅106上施加***擦除电压vc1,在所述衬底100上施加第二擦除电压vc2;其中,所述***擦除电压vc1为负电压,所述第二擦除电压vc2为正电压。所述***擦除电压vc1的范围为-10v~-8v,本实施例中例如为-9v;所述第二擦除电压vc2的范围为8v~10v,本实施例中例如为9v;擦除过程中的脉冲宽度为10ms~20ms。本实施例中,闪存参考单元的擦除原理是基于fowler-nordheim隧穿(简称为fn隧穿),通过在衬底100上施加正电压,在控制栅106上施加负电压,以在隧穿氧化层103中注入空穴,同时减少浮栅104中的电子。上海顶策科技自主研发TH801智能一体化HTOL测试机,拥有多项发明专利及软件著作权。普陀区有哪些HTOL测试机

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一种闪存htol测试方法,包括:提供待测闪存,所述闪存包括闪存参考单元和闪存阵列单元;所述闪存参考单元中捕获有空穴;对所述闪存参考单元循环进行编译和擦除,以在所述闪存参考单元中引入电子;对所述闪存进行htol测试,所述引入电子在所述htol测试过程中部分丢失,以对htol测试过程中所述空穴的丢失形成补偿。具体的,待测闪存在同一闪存芯片(die)中的不同区域分布有闪存参考单元和闪存阵列单元,闪存阵列单元用于存储数据,闪存参考单元用于提供参考阈值电压以区分闪存阵列单元的状态。提供的待测闪存在其生产工艺过程中易在闪存参考单元中捕获。引入)空穴,所述空穴在htol测试过程中存在丢失。图2为本发明实施例的闪存参考单元的结构示意图,闵行区HTOL测试机哪里有卖的

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