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HTOL测试机基本参数
  • 品牌
  • TOP-ICTEST 顶策
  • 型号
  • TH801
  • 基材
  • PCB
HTOL测试机企业商机

    1.试验目的标准试验目的备注JESD22-A108F-2017确定偏置条件和温度对于固态器件随时间的影响。试验可以加速地模拟器件的运行状态,主要用于器件的可靠性测试。本实验在较短时间内对器件施加高温偏置,通常也被称为老化或老炼。,这些器件随着时间和应力变化而产生的失效。GJB548B-2015方法,这些器件随着时间和应力变化而产生的失效。AEC-Q100参照JESD220-A108F-2017————————————————版权声明:本文为CSDN博主「月丶匈」的原创文章,遵循,转载请附上原文出处链接及本声明。原文链接:。 上海顶策科技智能HTOL系统,实时监测并记录环境温度,以及每颗芯片电压,电流,频率,寄存器状态等数据。国内HTOL测试机推荐厂家

发明人检查失效的原因,发现读点失效为读“0”失效,并且进一步研究发现闪存参考单元的输出电流iref在48小时的测试值iref1与在初始的测试值iref0之间有偏移,具体偏移量经测试统计在4μa以内,而且iref1<iref0,即48小时后iref往电流变小的方向偏移。闪存测试中,若iref>i,则读出“0”(即闪存读“0”操作时,iref>i)。闪存判断读“0”的具体操作过程为:将闪存参考单元的输出电流iref与闪存阵列单元的输出电流i的差值经由读出放大器进行比对判断。当差值变弱到由读出放大器无法进行识别时,读“0”失效。当htol可靠性验证经过***时间点例如48小时后,由于闪存参考单元的输出电流iref往电流变小的方向偏移即iref变小,如此一来,闪存参考单元的输出电流iref与闪存阵列单元的输出电流i的差值变小,超出读出放大器识别范围,于是读“0”失效。测试发现经48小时闪存参考单元的输出电流iref往电流变小的方向偏移后,进一步做htol测试,闪存参考单元的输出电流iref在第三时间点例如168小时,第四时间点例如500小时,第五时间点例如1000小时测试均不会进一步偏移。有哪些HTOL测试机市面价上海顶策科技有限公司智能一体化HTOL测试机TH801可以为芯片HTOL测试节省更多时间、FA成本。

闪存参考单元包括:衬底100,位于所述衬底中的导电沟道、位于所述导电沟道两侧的源极101和漏极102,位于导电沟道上方的栅极单元,所述栅极单元从下到上依次包括隧穿氧化层103、浮栅104、栅间介质层105以及控制栅106,所述栅极单元的两侧分布有侧墙107。栅间介质层105例如可以为依次层叠的氧化硅层、氮化硅层和氧化硅层的多层结构,即为ono结构。具体的,闪存在其生产工艺过程中易在闪存参考单元的隧穿氧化层103中捕获(引入)空**3为本发明实施例的对闪存参考单元进行编译示意图,如图3所示,对所述闪存参考单元进行编译,包括:在所述源极101上施加***编程电压vb1,在所述漏极102上施加第二编程电压vb2,在所述控制栅106上施加第三编程电压vb3,在所述衬底100上施加第四编程电压vb4;其中,所述***编程电压vb1小于所述第二编程电压vb2;所述第二编程电压vb2小于所述第三编程电压vb3。所述***编程电压的范围为~0v,所述第二编程电压的范围为~,所述第三编程电压vb3的范围为8v~10v,所述第四编程电压vb4的范围为~-1v,编译过程中的脉冲宽度为100μs~150μs。编译通过热电子注入的方式对所述浮栅104中注入电子。

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一种闪存htol测试方法,包括:提供待测闪存,所述闪存包括闪存参考单元和闪存阵列单元;所述闪存参考单元中捕获有空穴;对所述闪存参考单元循环进行编译和擦除,以在所述闪存参考单元中引入电子;对所述闪存进行htol测试,所述引入电子在所述htol测试过程中部分丢失,以对htol测试过程中所述空穴的丢失形成补偿。具体的,待测闪存在同一闪存芯片(die)中的不同区域分布有闪存参考单元和闪存阵列单元,闪存阵列单元用于存储数据,闪存参考单元用于提供参考阈值电压以区分闪存阵列单元的状态。提供的待测闪存在其生产工艺过程中易在闪存参考单元中捕获。引入)空穴,所述空穴在htol测试过程中存在丢失。图2为本发明实施例的闪存参考单元的结构示意图,国内HTOL测试机推荐厂家

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