AEC-Q1001.对于非易失性存储器样品，在HTOL之前进行预处理：等级0：150℃，1000h等级1：125℃，1000h等级2：105℃，1000h等级3：85℃，1000h2.各等级温度对应的时间是比较低要求，通过计算或测量获取HTOL的Tj（结温）；3.当进行HTOL的器件Tj大于或等于最高工作温度时的Tj，那么Tj可以代替Ta（环境温度），但是要低于***比较大Tj；4.如果Tj被用来作为HTOL的条件，在Ta和1000h条件下的器件需要使用；(max)需要保证交直流参数。————————————————版权声明：本文为CSDN博主「月丶匈」的原创文章，遵循，转载请附上原文出处链接及本声明。原文链接：。 上海顶策科技智能HTOL系统，通过监测数据，可实时发现问题并介入分析，大幅度提高HTOL效率。国内HTOL测试机市面价
本发明实施例的闪存参考单元未经过编译和擦除的电荷分布示意图；发明实施例的闪存参考单元经过编译和擦除后的电荷分布示意图。图8为本发明实施例的闪存参考单元经过编译和擦除循环后再进行htol测试的输出电流iref分布图。其中，具体标号如下：100-衬底；101-源极；102-漏极；103-隧穿氧化层；104-浮栅；105-栅间介质层；106-控制栅；107-侧墙；具体实施方式本发明提供一种闪存htol测试方法，以下结合附图和具体实施例作进一步详细说明。根据下面说明，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精细的比例，*用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。图1为本发明实施例的闪存htol测试方法流程图，智能HTOL测试机市面价上海顶策科技智能HTOL系统，通过监测数据，可实时发现问题并介入分析,节省更多时间、FA成本。
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本发明实施例的闪存参考单元经过编译和擦除循环后再进行htol测试的输出电流iref分布图。闪存参考单元进行编译和擦除循环后，htol测试过程中。闪存参考单元的输出电流iref在48小时的测试值iref1与在初始的测试值iref0之间偏移量减小，实际验证多个型号的闪存产品采用本实施例的方法后，htol可靠性验证通过，而且测试可靠，使闪存产品较短时间内进入客户样品量产阶段。综上所述，本发明所提供的一种闪存htol测试方法，对闪存参考单元进行编译和擦除循环后，再进行闪存htol可靠性验证，编译和擦除循环会在闪存参考单元中引入电子，引入的电子在闪存htol可靠性验证过程存在丢失，进而对空穴在htol测试过程中的丢失形成补偿，降低了闪存参考单元的输出电流iref的偏移量，从而使闪存htol读“0”通过，解决了闪存htol测试中读点失效的问题，提高闪存质量。显然，本领域的技术人员可以对发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些改动和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包括这些改动和变动在内。TH801智能老化系统，监测数据异常自动报警，实时发现问题并介入分析，大幅度提高HTOL效率。闵行区HTOL测试机市面价
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