进一步的,对所述闪存参考单元进行编译,包括:在所述源极上施加***编程电压,在所述漏极上施加第二编程电压,在所述控制栅上施加第三编程电压,在所述衬底上施加第四编程电压;其中,所述***编程电压小于所述第二编程电压;所述第二编程电压小于所述第三编程电压。进一步的,所述***编程电压的范围为~0v,所述第二编程电压的范围为~,所述第三编程电压的范围为8v~10v,所述第四编程电压的范围为~-1v。进一步的,编译过程中的脉冲宽度为100μs~150μs。进一步的,对所述闪存参考单元进行擦除,包括:将所述源极和漏极均悬空,在所述控制栅上施加***擦除电压,在所述衬底上施加第二擦除电压;其中,所述***擦除电压为负电压,所述第二擦除电压为正电压。进一步的,所述***擦除电压的范围为-10v~-8v,所述第二擦除电压的范围为8v~10v。进一步的,擦除过程中的脉冲宽度为10ms~20ms。进一步的,对所述闪存参考单元进行编译和擦除,循环次数为10次~20次。进一步的,对所述闪存进行htol测试包括:对所述闪存依次进行***时间点读点、第二时间点读点、第三时间点读点至第n时间点读点。
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发明人检查失效的原因,发现读点失效为读“0”失效,并且进一步研究发现闪存参考单元的输出电流iref在48小时的测试值iref1与在初始的测试值iref0之间有偏移,具体偏移量经测试统计在4μa以内,而且iref1<iref0,即48小时后iref往电流变小的方向偏移。闪存测试中,若iref>i,则读出“0”(即闪存读“0”操作时,iref>i)。闪存判断读“0”的具体操作过程为:将闪存参考单元的输出电流iref与闪存阵列单元的输出电流i的差值经由读出放大器进行比对判断。当差值变弱到由读出放大器无法进行识别时,读“0”失效。当htol可靠性验证经过***时间点例如48小时后,由于闪存参考单元的输出电流iref往电流变小的方向偏移即iref变小,如此一来,闪存参考单元的输出电流iref与闪存阵列单元的输出电流i的差值变小,超出读出放大器识别范围,于是读“0”失效。测试发现经48小时闪存参考单元的输出电流iref往电流变小的方向偏移后,进一步做htol测试,闪存参考单元的输出电流iref在第三时间点例如168小时,第四时间点例如500小时,第五时间点例如1000小时测试均不会进一步偏移。上海顶策科技TH801智能老化系统,芯片状态实时参数正态分布图,散点图等显示,多维度分析芯片状态。虹口区HTOL测试机供应
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1.试验目的标准试验目的备注JESD22-A108F-2017确定偏置条件和温度对于固态器件随时间的影响。试验可以加速地模拟器件的运行状态,主要用于器件的可靠性测试。本实验在较短时间内对器件施加高温偏置,通常也被称为老化或老炼。,这些器件随着时间和应力变化而产生的失效。GJB548B-2015方法,这些器件随着时间和应力变化而产生的失效。AEC-Q100参照JESD220-A108F-2017————————————————版权声明:本文为CSDN博主「月丶匈」的原创文章,遵循,转载请附上原文出处链接及本声明。原文链接:。 一体化HTOL测试机性能
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