随着3D NAND堆叠层数突破500层，深孔刻蚀后的残留物清洗成为技术瓶颈。RPS远程等离子源利用其优异的自由基扩散能力，可有效清理 深宽比超过60:1结构底部的聚合物残留。通过优化远程等离子体参数，在保持刻蚀选择比大于100:1的同时，将晶圆损伤深度控制在2nm以内。某存储芯片制造商在引入RPS远程等离子源后，将深孔清洗工序的良品率从87%提升至96%，单 wafer 处理成本降低30%。RPS远程等离子源在化合物半导体工艺中的优势在GaN、SiC等宽禁带半导体制造中，RPS远程等离子源展现出独特价值。其低温处理特性（<150℃）有效避免了化合物材料的热分解风险。通过采用Cl2/BCl3混合气体的远程等离子体刻蚀，实现了GaN材料的各向异性刻蚀，侧壁垂直度达89±1°。在HEMT器件制造中，RPS远程等离子源将界面态密度控制在1010/cm²·eV量级，明显 提升了器件跨导和截止频率。在存储芯片制造中提升介质层可靠性。重庆pecvd腔室远程等离子源RPScvd腔体清洗
远程等离子源，是一种基于变压器电感耦合等离子体技术的duli式自由基发生器（RPS），可以有效的解离输入气体。产生清洗或蚀刻所需的自由基(氟、氧原子等)，这些自由基通过腔室压差传输，远程等离子体内的电场保持在较低的水平，避免电荷可能损坏敏感的晶圆结构，利用自由基的强氧化特性，达到腔室清洗(Chamber Clean)或制程（On-Wafer PROCESS）的目的。该产品设计具有先进的HA或PEO涂层plasma block，先进的功率自适应模式，满足多种镀膜和刻蚀工艺需求，小体积的同时最大功率可达10kw。江苏远程等离子电源RPS腔体清洗远程等离子的处理作用，是非常轻微的刻蚀，有一定的活性作用，主要与腔室内部的残余气体发生作用。
传统等离子清洗技术（如直接等离子体）常因高能粒子轰击导致工件损伤，尤其不适用于精密器件。相比之下，RPS远程等离子源通过分离生成区与反应区，只 输送长寿命的自由基到处理区域，从而实现了真正的“软”清洗。这种技术不仅减少了离子轰击风险，还提高了工艺的可控性。例如，在MEMS器件制造中，RPS远程等离子源能够精确去除有机污染物而不影响微结构。此外，其灵活的气体选择支持多种应用，从氧化物刻蚀到表面活化。因此，RPS远程等离子源正逐步取代传统方法，成为高级 制造的优先。
RPS远程等离子源是一款基于电感耦合等离子体技术的自成一体的原子发生器，它的功能是用于半导体设备工艺腔体原子级别的清洁，使用工艺气体三氟化氮（NF3）/O2，在交变电场和磁场作用下，原材料气体会被解离，从而释放出自由基，活性离子进入工艺室与工艺室上沉积的污染材料（SIO/SIN）或者残余气体（H2O、O2、H2、N2）等物质产生化学反应，聚合为高活性气态分子经过真空泵组抽出处理腔室，提高处理腔室内部洁净度；利用原子的高活性强氧化特性，达到清洗CVD或其他腔室后生产工艺的目的，为了避免不必要的污染和工作人员的强度和高风险的湿式清洗工作，提高生产效率。在生物传感器制造中提升检测灵敏度。
RPS远程等离子源在先进封装工艺中的重要性:
先进封装技术（如晶圆级封装或3D集成）对清洁度要求极高，残留污染物可能导致互联失效。RPS远程等离子源提供了一种温和而彻底的清洗方案，去除键合界面上的氧化物和有机杂质，提升封装可靠性。其精确的工艺控制避免了过刻蚀或底层损伤，确保微凸块和TSV结构的完整性。随着封装密度不断增加，RPS远程等离子源的均匀性和重复性成为确保良率的关键。许多前列 的封装厂已将其纳入标准流程，以应对更小尺寸和更高性能的挑战。 RPS用于晶圆清洗、刻蚀和薄膜沉积工艺，去除光刻胶和残留物。河南半导体RPS腔体清洗
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远程等离子体源（Remote Plasma Source，RPS）作为一种先进的表面处理技术，正逐渐在多个工业领域展现其独特的价值。这种装置通过在真空环境中产生等离子体，并将其传输到目标表面进行处理，从而实现了对材料表面的均匀、高效改性。RPS不仅避免了传统等离子体源直接接触处理表面可能带来的热和化学损伤，还因其高度的集成性和灵活性，成为现代真空处理系统中不可或缺的一部分。其工作原理是将气体引入装置中，通过电场或磁场的激发产生等离子体，然后利用特定的传输机制将等离子体输送到需要处理的表面。这种技术广泛应用于半导体制造、光伏产业表面处理等领域。重庆pecvd腔室远程等离子源RPScvd腔体清洗
