图5示出了如图4那样信号磁场b1、b2输入到各磁传感器11、12的情况下的电流传感器1的动作状态。在输入了图4的信号磁场b1、b2时，在磁传感器11中，节点14p(图3)的电位变得比中点电位vdd/2高，另一方面，节点14m的电位变得比中点电位vdd/2低。两个磁传感器11之中的一个磁传感器11如下式(1)、(2)那样生成两个传感器信号s1p、s1m。s1p＝vdd/2+δs1/2…(1)s1m＝vdd/2-δs1/2…(2)在上式(1)、(2)中，δs1是磁传感器11的传感器信号s1p、s1m间的信号差。信号差δs1例如在输入了图4的例子的信号磁场b1的情况下成为正。此外，与上述的磁传感器11同样地，另一个磁传感器12如下式(3)、(4)那样生成两个传感器信号s2p、s2m。s2p＝vdd/2+δs2/2…(3)s2m＝vdd/2—δs2/2…(4)在上式(3)、(4)中，δs2是磁传感器12的传感器信号s2p、s2m间的信号差。信号差δs2例如在输入了图4的例子的信号磁场b2的情况下成为正。在运算装置3中，第1运算部31输入来自一个磁传感器11的传感器信号s1p和来自另一个磁传感器12的传感器信号s2m，并如下式(5)那样对传感器信号s1p、s1m间的减法进行运算。so1＝a1×(s1p-s2m)…(5)＝a1×(δs1+δs2)/2…(5a)在上式(5)中，a1是第1运算部31的增益，例如是1倍以上。上式。在宽范围使用时要注意灵敏度温度特性，使用适宜的电路，以确保传感器的精度。镇江交直流电流传感器生产厂家
磁传感器11例如通过电源电压vdd进行恒压驱动。各个磁阻元件13a～13d例如为amr(anisotropicmagnetoresistance，各向异性磁阻)元件。在本例中，四个磁阻元件13a～13d之中的第1以及第2磁阻元件13a、13b的串联电路、和第3以及第4磁阻元件13c、13d的串联电路被并联连接。第1以及第4磁阻元件13a、13d具有相对于输入到磁传感器11的磁场而增减倾向相同的磁阻值mr1、mr4。第2以及第3磁阻元件13b、13c具有增减倾向与第1以及第4磁阻元件13a、13d的磁阻值mr1、mr4相反的磁阻值mr2、mr3。磁传感器11的电源电压vdd被供给至第1以及第3磁阻元件13a、13c间的连接点。第2以及第4磁阻元件13b、13d间的连接点被接地。第1以及第2磁阻元件13a、13b间的节点14p与两个传感器信号s1p、s1m之中的一个传感器信号s1p的输出端子连接。第3以及第4磁阻元件13c、13d间的节点14m与另一个传感器信号s1m的输出端子连接。各节点14p、14m的电位例如以vdd/2为中点电位而变动。以上的磁传感器11的结构为一例，不特别限定于此。例如，磁传感器11、12的磁阻元件13a～13d不限于amr元件，也可以是例如gmr(giantmagnetoresistance，巨磁阻)、tmr(tunnelmagnetoresistance，隧道磁阻)、bmr(balisticmagnetoresistance。天津功率分析仪电流传感器单价汽车工业：电流传感器在汽车工业中也被***使用。
的运算结果的第1运算信号so1如式(5a)那样包含两个磁传感器11、12所产生的贡献(δs1+δs2)。另一方面，第2运算部32输入来自一个磁传感器11的传感器信号s1m和来自另一个磁传感器12的传感器信号s2p，并如下式(6)那样对传感器信号s1m、s2p间的减法进行运算。so2＝a2×(s1m-s2p)…(6)＝-a2×(δs1+δs2)/2…(6a)在上式(6)中，a2是第2运算部32的增益，例如是1倍以上。上式(6)的运算结果的第2运算信号so2如式(6a)那样关于两个磁传感器11、12包含与第1运算信号so1同样的贡献(δs1+δs2)。第3运算部33基于来自第1运算部31的第1运算信号so1和来自第2运算部32的第2运算信号s02对下式(7)进行运算，生成作为基于电流传感器1的检测结果的输出信号sout。sout＝a3×(so1-so2)…(7)＝a3×(a1+a2)×(δs1+δs2)/2…(7a)在上式(7)中，a3是第3运算部33的增益，例如是1倍以上。如以上那样算出的电流传感器1的输出信号sout如式(7a)那样关于两个磁传感器11、12包含与各运算信号so1、so2同样的贡献(δs1+δs2)。在此，在输入到各磁传感器11、12的磁场中包含成为噪声的外部磁场的情况下，各磁传感器11、12的信号差δs1、δs2如下式(8)、(9)那样可能包含信号分量δsg和噪声分量δnz。
例如顺时针方向)。由此，如图4所示，在第1以及第2流路21、22间的第1流路21附近的区域r1和第2流路22附近的区域r2，通过各自的信号磁场b1、b2的x分量彼此成为相反朝向。因此，在本实施方式的电流传感器1中，在如上述那样的第1流路21附近的区域r1配置一个磁传感器11，在第2流路22附近的区域r2配置另一个磁传感器12。由此，在两个磁传感器11、12会输入彼此反相的信号磁场b1、b2。在此，可设想在输入到各磁传感器11、12的磁场中，不*包含信号磁场b1、b2，还包含如干扰磁场那样的噪声。可认为这样的噪声通过使两个磁传感器11、12的配置位置接近从而对各磁传感器11、12以同相(相同朝向并且同等程度的大小)被输入。因此，在本实施方式涉及的电流传感器1中，运算装置3对两个磁传感器11、12的感测结果的差动放大进行运算，算出表示电流的检测结果的输出信号sout。由此，能够将各个磁传感器11、12的感测结果中可能以同相包含的噪声抵消，使基于信号磁场b1、b2的电流的检测精度良好。以下，对电流传感器1的动作的详情进行说明。2-2.动作的详情关于本实施方式涉及的电流传感器1的动作的详情，利用图5进行说明。图5是用于说明电流传感器1的动作的图。用于监测和记录电网中的电流数据，以确保电力系统的稳定运行。
两个磁传感器11、12之中的一个磁传感器11配置在与具有流过电流i的两个流路21、22的汇流条2中的第2流路22相比更靠近第1流路21的位置。另一个磁传感器12配置在与第1流路21相比更靠近第2流路22的位置。由此，在两个磁传感器11、12输入彼此反相的信号磁场b1、b2，能够使电流的检测时的s/n(信号-噪声)比良好。(实施方式2)在实施方式2中，关于具有根据温度来调整输出信号的功能的电流传感器，利用图7进行说明。图7是表示实施方式2涉及的电流传感器1a的结构的框图。在本实施方式涉及的电流传感器1a中，在与实施方式1的电流传感器1同样的结构中(参照图2)，还具备温度检测部34、传感器调整部35和运算调整部36。上述各部34、35、36例如设置于电流传感器1a的运算装置3a。温度检测部34例如是半导体温度传感器，对周围的温度进行检测。温度检测部34的种类没有特别限定，例如，可以使用热敏电阻、热电偶、线性正温度系数电阻器、铂测温电阻体等。传感器调整部35例如包含磁传感器11、12的电源电压vdd等的调整电路。根据传感器调整部35，例如两个磁传感器11、12的磁电变换增益以及/或者偏移(或者中点电位)等被适当调整为在容许误差的范围内相同。以下是一些重要的里程碑。天津功率分析仪电流传感器单价
而电流互感器有铁芯，适用于固定频段的测试，如45~66Hz。镇江交直流电流传感器生产厂家
生成表示运算结果的输出信号sout。第3运算部33将输出信号sout作为电流传感器1对电流i的检测结果从输出端子输出。第3运算部33是本实施方式中的电流传感器1的输出部的一例。在本实施方式中，通过如以上那样的两个磁传感器11、12和第1～第3运算部31～33的连接关系，使得容易确保电流传感器1中的外部磁场耐性(详情后述)。此外，两个磁传感器11、12和运算装置3在如图2所示的电流传感器1中例如配置在同一封装件内。两个磁传感器11、12例如配置在一个集成芯片内。通过将两个磁传感器11、12在同一芯片内接近配置，从而能够提高外部磁场在空间上不均匀的情况下的外部磁场耐性。进而，在电流传感器1的周围温度存在梯度的情况下，能够抑制相对于磁传感器11、12间的温度的磁电变换增益偏差，能够提高外部磁场耐性。第1以及第2运算部31、32例如在电流传感器1内部在同一集成芯片内接近配置。由此，在电流传感器1的周围温度存在梯度的情况下，能够抑制相对于第1以及第2运算部31、32间的温度的增益偏差，能够提高外部磁场耐性。可设想在磁传感器11、12与运算装置3之间存在环形布线的情况下，交流的外部磁场发生交链而产生电动势，由此导致电流的检测误差。相对于此。镇江交直流电流传感器生产厂家
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