企业用户何如去采购适合自己的设备？
功能侧重的差异，让它们在芯片检测中各司其职。微光显微镜的 “专长” 是识别电致发光缺陷，对于逻辑芯片、存储芯片等高密度集成电路中常见的 PN 结漏电、栅氧击穿、互连缺陷等细微电性能问题，它能提供的位置信息，是芯片失效分析中定位 “电故障” 的工具。
例如，在 7nm 以下先进制程芯片的检测中，其高灵敏度可捕捉到单个晶体管异常产生的微弱信号，为工艺优化提供关键依据。
热红外显微镜则更关注 “热失控” 风险，在功率半导体、IGBT 等大功率器件的检测中表现突出。这类芯片工作时功耗较高，散热性能直接影响可靠性，短路、散热通道堵塞等问题会导致局部温度骤升，热红外显微镜能快速生成热分布图谱，直观呈现热点位置与温度梯度，帮助工程师判断散热设计缺陷或电路短路点。在汽车电子等对安全性要求极高的领域，这种对热异常的敏锐捕捉，是预防芯片失效引发安全事故的重要保障。
介电层漏电时，微光显微镜可检测其光子定位位置，保障电子器件绝缘结构可靠，防止电路故障。低温热微光显微镜工作原理
当芯片内部存在漏电缺陷，如结漏电、氧化层漏电时，电子-空穴对复合会释放光子，微光显微镜(EMMI)能捕捉并定位。对于载流子复合异常情况，像闩锁效应、热电子效应引发的失效，以及器件在饱和态晶体管、正向偏置二极管等工作状态下的固有发光，它也能有效探测，为这类与光子释放相关的失效提供关键分析依据。
而热红外显微镜则主要用于排查与热量异常相关的芯片问题。金属互联短路、电源与地短接会导致局部过热，其可通过检测红外辐射差异定位。对于高功耗区域因设计缺陷引发的电流集中导致的热分布异常，以及封装或散热结构失效造成的整体温度异常等情况，它能生成温度分布图像，助力找出热量异常根源。 国产微光显微镜选购指南我司微光显微镜探测芯片封装打线及内部线路短路产生的光子，快速定位短路位置，优势独特。
通过对这些微光信号的成像与定位，它能直接“锁定”电性能缺陷的物理位置，如同在黑夜中捕捉萤火虫的微光，实现微米级的定位。而热红外显微镜则是“温度的解读师”，依托红外热成像技术，它检测的是芯片工作时因能量损耗产生的温度差异。电流通过芯片时的电阻损耗、电路短路时的异常功耗，都会转化为局部温度的细微升高，这些热量以红外辐射的形式散发，被热红外显微镜捕捉并转化为热分布图。通过分析温度异常区域，它能间接推断电路中的故障点，尤其擅长发现与能量损耗相关的问题。
需要失效分析检测样品，我们一般会在提前做好前期的失效背景调查和电性能验证工作，能够为整个失效分析过程找准方向、提供依据，从而更高效、准确地找出芯片失效的原因。
1.失效背景调查收集芯片型号、应用场景、失效模式（如短路、漏电、功能异常等）、失效比例、使用环境（温度、湿度、电压）等。确认失效是否可复现，区分设计缺陷、制程问题或应用不当（如过压、ESD）。
2.电性能验证使用自动测试设备（ATE）或探针台（ProbeStation）复现失效，记录关键参数（如I-V曲线、漏电流、阈值电压偏移）。对比良品与失效芯片的电特性差异，缩小失效区域（如特定功能模块）。 晶体管和二极管短路或漏电时，微光显微镜依其光子信号判断故障类型与位置，利于排查电路故障。
随着器件尺寸的逐渐变小，MOS器件的沟道长度也逐渐变短。短沟道效应也愈发严重。短沟道效应会使得MOS管的漏结存在一个强电场，该电场会对载流子进行加速，同时赋予载流子一个动能，该载流子会造成中性的Si原子被极化，产生同样带有能量的电子与空穴对，这种电子与空穴被称为热载流子，反映在能带图中就是电位更高的电子和电位更低的空穴。一部分热载流子会在生成后立马复合，产生波长更短的荧光，另一部分在电场的作用下分离。电子进入栅氧层，影响阈值电压，空穴进入衬底，产生衬底电流。归因于短沟道效应能在MOS管的漏端能看到亮点，同样在反偏PN结处也能产生强场，也能观察到亮点。我司微光显微镜能检测内部缺陷，通过分析光子发射评估性能，为研发、生产和质量控制提供支持。半导体失效分析微光显微镜内容
针对氮化镓等宽禁带半导体，它能适应其宽波长探测需求，助力宽禁带器件的研发与应用。低温热微光显微镜工作原理
致晟光电将热红外显微镜（Thermal EMMI）与微光显微镜 (EMMI) 集成的设备，在维护成本控制上展现出优势。对于分开的两台设备，企业需配备专门人员分别学习两套系统的维护知识，培训内容涵盖不同的机械结构、光学原理、软件操作，还包括各自的故障诊断逻辑与校准流程，往往需要数月的系统培训才能确保人员熟练操作，期间产生的培训费用、时间成本居高不下。而使用一套集成设备只需一套维护体系，维护人员只需掌握一套系统的维护逻辑与操作规范，无需在两套差异化的设备间切换学习，培训周期可缩短近一半，大幅降低了培训方面的人力与资金投入。
低温热微光显微镜工作原理
