在半导体行业飞速发展的现在，芯片集成度不断提升，器件结构日益复杂，失效分析的难度也随之大幅增加。传统检测设备往往难以兼顾微观观测与微弱信号捕捉，导致许多隐性缺陷成为 “漏网之鱼”。苏州致晟光电科技有限公司凭借自主研发实力，将热红外显微镜与锁相红外热成像系统创造性地集成一体，推出 Thermal EMMI P 热红外显微镜系列检测设备（搭载自主研发的 RTTLIT （实时瞬态锁相红外系统），为半导体的失效分析提供了全新的技术范式。
锁相热成像系统让电激励下的缺陷无所遁形。缺陷定位锁相红外热成像系统范围
电子产业的存储器芯片检测中，电激励的锁相热成像系统发挥着独特作用，为保障数据存储安全提供了有力支持。存储器芯片如 DRAM、NAND Flash 等，是电子设备中用于存储数据的关键部件，其存储单元的质量直接决定了数据存储的可靠性。存储单元若存在缺陷，如氧化层击穿、接触不良等，会导致数据丢失、读写错误等问题。通过对存储器芯片施加电激励，进行读写操作，缺陷存储单元会因电荷存储异常而产生异常温度。锁相热成像系统能够定位这些缺陷单元的位置，帮助制造商在生产过程中筛选出合格的存储器芯片，提高产品的合格率。例如，在检测固态硬盘中的 NAND Flash 芯片时，系统可以发现存在坏块的存储单元区域，这些区域在读写操作时温度明显升高。通过标记这些坏块并进行屏蔽处理，能够有效保障数据存储的安全，推动电子产业存储领域的健康发展。热发射显微镜锁相红外热成像系统厂家电话锁相热成像系统缩短电激励检测的响应时间。
致晟光电推出的多功能显微系统，创新实现热红外与微光显微镜的集成设计，搭配灵活可选的制冷/非制冷模式，可根据您的实际需求定制专属配置方案。这套设备的优势在于一体化集成能力：只需一套系统，即可同时搭载可见光显微镜、热红外显微镜及InGaAs微光显微镜三大功能模块。这种设计省去了多设备切换的繁琐，更通过硬件协同优化提升了整体性能，让您在同一平台上轻松完成多波段观测任务。相比单独购置多套设备，该集成系统能大幅降低采购与维护成本，在保证检测精度的同时，为实验室节省空间与预算，真正实现性能与性价比的双重提升。
光束诱导电阻变化（OBIRCH）功能与微光显微镜（EMMI）技术常被集成于同一检测系统，合称为光发射显微镜（PEM，PhotoEmissionMicroscope）。二者在原理与应用上形成巧妙互补，能够协同应对集成电路中绝大多数失效模式，大幅提升失效分析的全面性与效率。OBIRCH技术的独特优势在于，即便失效点被金属层覆盖形成“热点”，其仍能通过光束照射引发的电阻变化特性实现精细检测——这恰好弥补了EMMI在金属遮挡区域光信号捕捉受限的不足。锁相热成像系统通过提取电激励产生的周期性热信号相位信息，能有效抑制环境噪声带来的干扰。
通过大量海量热图像数据，催生出更智能的数据分析手段。借助深度学习算法，构建热图像识别模型，可快速准确地从复杂热分布中识别出特定热异常模式。如在集成电路失效分析中，模型能自动比对正常与异常芯片的热图像，定位短路、断路等故障点，有效缩短分析时间。在数据处理软件中集成热传导数值模拟功能，结合实验测得的热数据，反演材料内部热导率、比热容等参数，从热传导理论层面深入解析热现象，为材料热性能研究与器件热设计提供量化指导。电激励为锁相热成像系统提供稳定的热激励源。缺陷定位锁相红外热成像系统范围
非接触式检测在不破坏样品的情况下实现成像，适用于各种封装状态的样品，包括未开封的芯片和PCBA。缺陷定位锁相红外热成像系统范围
锁相热成像系统凭借电激励在电子产业的芯片封装检测中表现出的性能，成为芯片制造过程中不可或缺的质量控制手段。芯片封装是保护芯片、实现电气连接的关键环节，在封装过程中，可能会出现焊球空洞、引线键合不良、封装体开裂等多种缺陷。这些缺陷会严重影响芯片的散热性能和电气连接可靠性，导致芯片在工作过程中因过热而失效。通过对芯片施加特定的电激励，使芯片内部产生热量，缺陷处由于热传导受阻，会形成局部高温区域。锁相热成像系统能够实时捕捉芯片表面的温度场分布，并通过分析温度场的相位和振幅变化，生成清晰的缺陷图像，精确显示出缺陷的位置、大小和形态。例如，在检测 BGA 封装芯片时，系统能准确识别出焊球中的空洞，即使空洞体积占焊球体积的 5%，也能被定位。这一技术的应用，帮助芯片制造企业及时发现封装过程中的问题，有效降低了产品的不良率，提升了芯片产品的质量。缺陷定位锁相红外热成像系统范围
