在具体检测过程中，设备首先通过热红外显微镜对样品进行全局扫描，快速锁定潜在的可疑区域；随后，RTTLIT 系统的锁相功能被使用，通过施加周期性电信号激励，使得潜在缺陷点产生与激励频率一致的微弱热响应。锁相模块则负责对环境噪声进行有效抑制与过滤，将原本难以分辨的细微热信号进行增强和成像。通过这种“先宏观定位、再局部聚焦”的操作模式，检测过程兼顾了效率与精度，并突破了传统热检测设备在微弱信号识别方面的瓶颈，为工程师开展高分辨率失效分析提供了强有力的技术支撑。热异常点在幅值图中呈现亮区，而相位图则能显示热传播路径和深度信息。热红外成像锁相红外热成像系统仪器
在实际应用中，致晟光电的锁相红外检测方案大多用于IC芯片、IGBT功率器件、MEMS器件以及复合材料等多个领域。例如，在芯片失效分析中，锁相红外能够快速识别引脚短路与漏电流路径，并通过相位分析定位至具体区域，帮助研发人员在短时间内找到失效根因。在功率器件检测中，该技术可识别IGBT模块中的局部热点，防止因热失控导致的器件击穿，从而为新能源汽车、电力电子设备的可靠运行提供保障。在材料研究中，锁相红外能够探测肉眼不可见的分层与微裂纹，辅助科研人员优化材料工艺。通过这些落地场景，致晟光电不仅为客户节省了研发与测试成本，更推动了整个行业的质量标准向更高层次发展。直销锁相红外热成像系统型号结合显微光学，实现微米级热图像。
锁相热成像系统的电激励检测方式，在多层电路板质量检测中展现出优势。多层电路板由多个导电层与绝缘层交替叠加组成，层间通过过孔实现电气连接，结构复杂，极易在生产过程中出现层间短路、盲孔堵塞、绝缘层破损等缺陷，进而影响电气性能，甚至引发故障。通过电激励方式，可在不同层级的线路中施加电流，使其在多层结构中流动，缺陷区域因电流分布异常而产生局部温升。锁相热成像系统则可高灵敏度地捕捉这种细微温度差异，实现对缺陷位置与类型的定位。例如，在检测层间短路时，短路点处的温度会高于周围区域；盲孔堵塞则表现为局部温度分布异常。相比传统X射线检测技术，锁相热成像系统检测速度更快、成本更低，且能直观呈现缺陷位置，助力企业提升多层电路板的质量控制效率与良率。
作为国内半导体失效分析设备领域的原厂，苏州致晟光电科技有限公司（简称“致晟光电”）专注于ThermalEMMI系统的研发与制造。与传统热红外显微镜相比，ThermalEMMI的主要差异在于其功能定位：它并非对温度分布进行基础测量，而是通过精确捕捉芯片工作时因电流异常产生的微弱红外辐射，直接实现对漏电、短路、静电击穿等电学缺陷的定位。该设备的重要技术优势体现在超高灵敏度与微米级分辨率上：不仅能识别纳瓦级功耗所产生的局部热热点，还能确保缺陷定位的精细度，为半导体芯片的研发优化与量产阶段的品质控制，提供了可靠的技术依据与数据支撑。锁相红外热像技术是半导体失效分析领域的重要检测手段，能捕捉微小发热缺陷的温度信号。
相较于传统静态热成像技术，锁相红外技术在检测原理、抗干扰能力与适用场景上实现了***升级，彻底改变了热成像 “粗略温度测绘” 的局限。传统静态热成像的**局限在于 “瞬时性” 与 “易干扰性”：它*能捕捉检测对象某一时刻的静态温度分布，无法持续追踪温度变化规律，且极易受环境因素影响 —— 比如周围环境的热辐射、气流扰动带来的温度波动，都会掩盖检测对象的真实温度信号，导致对微小缺陷或深层问题的判断出现偏差，尤其在检测精度要求高的场景中，传统静态热成像往往难以满足需求。致晟光电的锁相红外解决方案支持自定义检测参数，可适配不同封装类型的半导体器件，兼容性更强。制冷锁相红外热成像系统图像分析
锁相成像助力微电子热异常快速定位。热红外成像锁相红外热成像系统仪器
具体工作流程中，当芯片处于通电工作状态时，漏电、短路等异常电流会引发局部焦耳热效应，产生皮瓦级至纳瓦级的极微弱红外辐射。这些信号经 InGaAs 探测器转换为电信号后，通过显微光学系统完成成像，再经算法处理生成包含温度梯度与空间分布的高精度热图谱。相较于普通红外热像仪，Thermal EMMI 的技术优势体现在双重维度：一方面，其热灵敏度可低至 0.1mK，能捕捉传统设备无法识别的微小热信号；另一方面，通过光学系统与算法的协同优化，定位精度突破至亚微米级，可将缺陷精确锁定至单个晶体管乃至栅极、互联线等更细微的结构单元，为半导体失效分析提供了前所未有的技术支撑。热红外成像锁相红外热成像系统仪器
