贵州智能电阻测试系统

金属离子迁移过程此失效样品灌封胶有机物与电路板上电阻存在一定缝隙，未能完全隔绝两端电极，缝隙的存在为电化学迁移提供了迁移通道。因此密封电阻与电路板间缝隙能够抑制金属离子的迁移过程。针对金属离子的迁移过程，可以加入络合剂，使其与金属正离子形成带负电荷的络合物，带负电的络合物将不会往阴极方向迁移和在阴极处发生还原沉积，由此达到抑制金属离子往阴极迁移的目的。同时，随着外电场强度增大，会加快阳极溶解、离子迁移和离子沉积过程。根据文献[10]报道，当外电压不超过2V时，形成的树枝状沉积物数目较少，且外加电压的增加会使得电化学迁移造成的短路失效时间会***缩短。因此，尽量在设计阶段中，设置元件在工作状态时为较低的外电场，也能避免由于快速发生电化学迁移而导致的短路失效，延长使用寿命。SIR表面绝缘电阻测试的目的之一：考核裸板供应商资质。贵州智能电阻测试系统

金属离子在阴极沉积过程在阴极区，阳极溶解生成的金属离子（主要为锡离子和铅离子）在电场的作用下，在电解液中迁移到阴极得到电子直接生成金属单质；或者与阴极生成的氢氧根离子相遇而生成氢氧化物的沉淀物，氢氧化物的沉淀物发生脱水分解为氧化物，氧化物继续还原为金属单质。伴随着枝晶的生长过程，阴极区还发生的反应为电解质中溶解氧气的还原反应及水的还原反应，反应方程式如下：Pb2++2e-→PbSn2++2e-→SnSn4++4e-→SnO2+2H2O+4e-→4OH-2H2O+2e-→H2+2OH-Pb2++2OH-→Pb(OH)2→PbO+H2OSn2++2OH-→Sn(OH)2→SnO+H2OSn4++4OH-→Sn(OH)4→SnO2+2H2O为建立可抑制电化学迁移中阴极还原沉积过程，可能的有效途径为可以在阴极表面添加不同的活性剂，使阴极沉积物由树枝状结构变为分散在阴极表面，由此可有效避免由树枝状枝晶的生长而造成的短路失效。江西供应电阻测试以客为尊广州维柯GWHR-256 产品优势：、接口友好：软件可定制，或开放数据接口，或接入实验室 LIMS 系统!

CAF形成过程：1、常规FR4 P片是由玻璃丝编辑成玻璃布，然后涂环氧树脂半固化后制成；2、树脂与玻纤之间的附著力不足，或含浸时亲胶性不良，两者之间容易出现间隙；3、钻孔等机械加工过程中，由于切向拉力及纵向冲击力的作用对树脂的粘合力进一步破坏；4、距离较近的两孔若电势不同，则正极部分铜离子在电压驱动下逐渐向负极迁移。CAF产生的原因：1、原料问题1) 树脂身纯度不良，如杂质太多而招致附著力不佳 ；2) 玻纤束之表面有问题，如耦合性不佳，亲胶性不良 ；3) 树脂之硬化剂不良，容易吸水 ；4) 胶片含浸中行进速度太快；常使得玻纤束中应有的胶量尚未全数充实填饱  造成气泡残存。

阳极溶解过程从材料热力学观点看，通过金属材料的标准电极电位可以判断其腐蚀的倾向，常见的电子金属材料发生电化学迁移的优先顺序为：Ag>Mo>Pb>Sn>Cu>Zn[8]。因此，当电阻贴装的焊料为Sn-Pb合金时，在电化学迁移过程中，Pb比Sn更容易发生电化学迁移。在电化学迁移过程中，在阳极区主要发生电极溶解生成金属离子的反应，同时伴有少量氧气和氯气的生成，反应方程式如下：Pb→Pb2++2e-Sn→Sn2++2e-Sn2+→Sn4++2e-2H2O→4H++O2+4e-2Cl-→Cl2+2e-从上述反应过程可知，通过抑制阳极溶解可以改善电化学迁移的敏感性。首先阳极溶解必须在电解液中发生，因此避免工作面潮湿显的尤为重要，而此产品的灌封胶工艺存在缺陷，给潮湿水汽的进入留有空间，提供了电化学迁移的通道，构成了电化学迁移的必要条件之一。与其它方法比较，SIR的优点是除了可侦测局部的污染之外，还可以测量离子与非离子污染物对PCB可靠性的影响。

在96个小时的静置时间后，测试电压和偏置电压的极性必须是始终一致的。在整个测试过程中，建议每24到100个小时需要换用另外的电阻检测器，确保测试电压和偏置电压的极性始终一致。在电阻测量过程中，为了保证测试的准确性，如果观察到周期性的电阻突降，也应该被算作一次失效。因为阳极导电丝是很细的，很容易被破坏掉。当50%的部分已经失效了，测试即可停止。当CAF发生时，电阻偏小，施加到CAF失效两端的电压会下降。当测试网络的阻值接近限流电阻的阻值时，显得尤为明显。所以在整个测试过程中，并不需要调整电压。9、500个小时的偏置电压后（一共596个小时），像之前一样重新进行绝缘电阻的测量。10、在500小时的偏压加载后，可以进行额外的T/H/B条件。然而，**少要进行500小时加载偏置电压的测试，来作为CAF测试的结果之一。SIR测试目的变动电路板设计或布局。浙江销售电阻测试售后服务

SIR测试参考标准：JIS Z 3197 Test methods for soldering fluxes钎焊熔剂的试验方法。贵州智能电阻测试系统

可靠性试验中，有一项，叫做高加速应力试验(简称HAST)，主要是在测试IC封装体对温湿度的抵抗能力，藉以确保产品可靠性。这项试验方式是需透过外接电源供应器，将DC电压源送入高压锅炉机台设备内，再连接到待测IC插座(Socket)与测试版(HASTboard)，进行待测IC的测试。然而这项试验，看似简单，但在宜特20多年的可靠性验证经验中，却发现客户都会遇到一些难题需要克服。特别是芯片应用日益复杂，精密度不断提升，芯片采取如球栅数组封装(Ball Grid Array，简称BGA)和芯片尺寸构装(Chip Scale package，简称CSP）封装比例越来越高，且锡球间距也越来越小，在执行HAST时，非常容易有电化学迁移(简称ECM）现象的产生，造成芯片于可靠性实验过程中发生电源短路异常。贵州智能电阻测试系统

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