压铸加工件定制

核电站乏燃料处理的注塑加工件，需耐受强辐射与化学腐蚀，选用超高分子量聚乙烯（UHMWPE）与硼纤维复合注塑。添加 10% 碳化硼纤维（直径 10μm）通过冷压烧结工艺（压力 200MPa，温度 180℃）成型，使材料耐辐射剂量达 10²¹n/cm²，在 8mol/L 硝酸溶液中浸泡 30 天后质量损失率≤0.3%。加工时采用水刀切割技术（水压 400MPa），在 20mm 厚板材上加工精度 ±0.1mm 的法兰密封面，表面经等离子体处理后与铅板的粘结强度≥25MPa。成品在乏燃料水池中（温度 80℃，辐射剂量 10⁴Gy/h）使用 10 年后，拉伸强度保留率≥80%，且体积电阻率≥10¹²Ω・cm，为核废料运输容器提供安全绝缘与辐射屏蔽部件。注塑加工件的筋位设计增强结构强度，可承受 20kg 以上的垂直压力。压铸加工件定制

半导体封装用注塑加工件，需达到 Class 10 级洁净标准，选用环烯烃共聚物（COC）与气相二氧化硅复合注塑。将 5% 疏水型二氧化硅（比表面积 300m²/g）混入 COC 粒子，通过真空干燥（温度 80℃，时间 24h）去除水分，再经热流道注塑（模具温度 120℃，注射压力 150MPa）成型，制得粒子析出量≤0.1 个 /ft² 的封装载体。加工时采用激光微雕技术，在 0.2mm 厚薄膜上雕刻出精度 ±2μm 的导电路径槽，槽壁粗糙度 Ra≤0.1μm，避免金属化过程中产生毛刺。成品在 150℃真空环境中放气率≤1×10⁻⁹Pa・m³/s，且通过 1000 次热循环（-40℃~125℃）测试，翘曲量≤50μm，满足高级芯片封装的高精度与低污染要求。出口级加工件加工绝缘加工件通过真空浸漆处理，内部空隙填充充分，绝缘性能更优异。

绝缘加工件在核聚变装置中的应用需抵抗强辐射与极端温度，采用碳化硅纤维增强陶瓷基复合材料（CMC）。通过化学气相渗透（CVI）工艺在 1200℃高温下沉积碳化硅基体，使材料密度达 2.8g/cm³，耐辐射剂量超过 10²¹n/cm²。加工时使用五轴联动激光加工中心，在 0.1mm 薄壁结构上制作微米级透气孔，孔间距精度控制在 ±5μm，避免等离子体轰击下的热应力集中。成品在 ITER 装置中可耐受 1500℃瞬时高温，且体积电阻率在 1000℃时仍≥10¹⁰Ω・cm，同时通过 10 万次热循环测试无裂纹，为核聚变反应的约束系统提供长效绝缘保障。

新能源汽车驱动电机用绝缘加工件，需兼顾高转速下的耐电晕与耐油性能。以聚酰亚胺薄膜复合层压板为例，采用涂覆工艺将纳米陶瓷涂层与薄膜复合，使耐电晕寿命达普通材料的5倍（≥1000小时）。加工中运用激光打孔技术，孔径公差控制在±0.01mm，孔壁粗糙度Ra≤1.6μm，避免漆包线穿线时损伤绝缘层。成品经150℃热油浸泡1000小时后，拉伸强度保留率≥90%，且在100Hz高频脉冲电压（2000V）下，局部放电量≤1pC，有效解决电机高速运转时的绝缘老化问题。这款注塑件通过模温控制技术，内部应力分布均匀，减少开裂风险。

深海电缆接头注塑加工件选用超高分子量聚乙烯（UHMWPE）与纳米蒙脱土复合注塑，添加 8% 有机化蒙脱土（层间距 3nm）通过熔融插层（温度 190℃，转速 350rpm）形成纳米复合材料，使耐海水渗透性提升 60%，水渗透率≤5×10⁻¹³m/s。加工时采用热流道注塑（模具温度 60℃，注射压力 200MPa），在接头密封件上成型双唇形结构（唇边厚度 0.8mm，配合公差 ±0.01mm），表面经等离子体接枝处理（接枝率 1.5%）增强疏水性。成品在 110MPa 水压（模拟 11000 米深海）下保持 72 小时无泄漏，且在海水中浸泡 10 年后，拉伸强度保留率≥80%，为深海探测设备的电缆系统提供可靠的防水绝缘保障。该绝缘件经过老化测试，在高温环境下绝缘性能不衰减，使用寿命长。精密加工件快速打样

绝缘加工件经耐压测试达标，可承受高电压环境下的长期稳定运行。压铸加工件定制

半导体刻蚀腔体注塑加工件采用全氟烷氧基树脂（PFA）与二硫化钼纳米管复合注塑，添加 3% 二硫化钼纳米管（直径 20nm，长度 1μm）通过超临界流体混合（CO₂压力 10MPa，温度 80℃）均匀分散，使材料表面摩擦系数降至 0.08，抗等离子体刻蚀速率≤0.05μm/h。加工时运用精密挤出成型（温度 380℃，口模温度 360℃），在 0.5mm 薄壁部件上成型精度 ±5μm 的气流槽，槽面经电子束抛光后粗糙度 Ra≤0.02μm，减少刻蚀产物沉积。成品在 CF₄/O₂等离子体环境（功率 1000W，气压 10Pa）中使用 1000 小时后，表面腐蚀量≤0.1μm，且颗粒脱落量≤0.01 个 / 片，满足高级半导体刻蚀设备的高纯度与长寿命需求。压铸加工件定制