现行有两种命名方法。第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母J代结型场效应管，O代绝缘栅场效应管。第二位字母代材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。例如,3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三极管。第二种命名方法是CS××#，CS代场效应管，××以数字代型号的序号，#用字母代同一型号中的不同规格。例如CS14A、CS45G等。场效应管的作用：场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。场效应管可以用作可变电阻。场效应管可以方便地用作恒流源。场效应管可以用作电子开关。功率mos管盟科电子做得很不错。中山中压场效应管推荐厂家
场效应管注意事项:用25W电烙铁焊接时应迅速，若用45～75W电烙铁焊接，应用镊子夹住管脚根部以帮助散热。结型场效应管可用表电阻档定性地检查管子的质量（检查各PN结的正反向电阻及漏源之间的电阻值），而绝缘栅场效管不能用万用表检查，必须用测试仪，而且要在接入测试仪后才能去掉各电极短路线。取下时，则应先短路再取下，关键在于避免栅极悬空。在要求输入阻抗较高的场合使用时，必须采取防潮措施，以免由于温度影响使场效应管的输入电阻降低。如果用四引线的场效应管，其衬底引线应接地。陶瓷封装的芝麻管有光敏特性，应注意避光使用。东莞好的场效应管推荐厂家盟科有TO封装形式的场效应管。
VMOS场效应管:VMOS场效应管（VMOSFET）简称VMOS管或功率场效应管，其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。它不光继承了MOS场效应管输入阻抗高（≥108W）、驱动电流小（左右0.1μA左右），还具有耐压高（较高可耐压1200V）、工作电流大（1.5A～100A）、输出功率高（1～250W）、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。正是由于它将电子管与功率晶体管之优点集于一身，因此在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得普遍应用。
场效应管是只要一种载流子参与导电，用输入电压控制输出电流的半导体器件。有N沟道器件和P沟道器件。有结型场效应三极管JFET(JunctionFieldEffectTransister)和绝缘栅型场效应三极管FET之分。FET也称金属-氧化物-半导体三极管MOSFET。MOS场效应管有增强型（EnhancementMOS或EMOS）和耗尽型(MOS或DMOS）两大类，每一类有N沟道和P沟道两种导电类型。场效应管有三个电极：D(Drain)称为漏极，相当双极型三极管的集电极；G(Gate)称为栅极，相当于双极型三极管的基极；S(Source)称为源极，相当于双极型三极管的发射极。增强型MOS(EMOS)场效应管MOSFET根本上是一种左右对称的拓扑构造，它是在P型半导体上生成一层SiO2薄膜绝缘层，然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区，从N型区引出电极，一个是漏极D，一个是源极S。在源极和漏极之间的绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G。P型半导体称为衬底(substrat)，用符号B表示。工作原理1．沟道构成原理当Vgs=0V时，漏源之间相当两个背靠背的二极管，在D、S之间加上电压，不会在D、S间构成电流。当栅极加有电压时，若0＜Vgs＜Vgs(th)时（VGS(th)称为开启电压），经过栅极和衬底间的电容作用，将靠近栅极下方的P型半导体中的空穴向下方排挤。盟科MK3401参数是可以替代万代AO3401的参数。
用感应信号输人法估测场效应管的放大能力具体方法：用万用表电阻的R×100档，红表笔接源极Ｓ，黑表笔接漏极Ｄ，给场效应管加上1.5Ｖ的电源电压，此时表针指示出的漏源极间的电阻值。然后用手捏住结型场效应管的栅极Ｇ，将人体的感应电压信号加到栅极上。这样，由于管的放大作用，漏源电压VDS和漏极电流Iｂ都要发生变化，也就是漏源极间电阻发生了变化，由此可以观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极表针摆动较小，说明管的放大能力较差；表针摆动较大，表明管的放大能力大；若表针不动，说明管是坏的。盟科MK6803参数是可以替代AO6803的。深圳SMD场效应管加工厂
漏极(D)，载流子通过漏极离开沟道。通常，在漏极处进入通道的电流由ID表示。中山中压场效应管推荐厂家
场效应管电极：所有的FET都有栅极（gate）、漏极（drain）、源极（source）三个端，分别大致对应BJT的基极（base）、集电极（collector）和发射极（emitter）。除JFET以外，所有的FET也有第四端，被称为体（body）、基（base）、块体（bulk）或衬底（substrate）。这个第四端可以将晶体管调制至运行；在电路设计中，很少让体端发挥大的作用，但是当物理设计一个集成电路的时候，它的存在就是重要的。在图中栅极的长度（length）L，是指源和漏的距离。宽度（width）是指晶体管的范围，在图中和横截面垂直。通常情况下宽度比长度大得多。长度1微米的栅极限制较高频率约为5GHz，0.2微米则是约30GHz。中山中压场效应管推荐厂家
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