场效应管的主要参数：① 开启电压VGS（th） （或VT）开启电压是MOS增强型管的参数，栅源电压小于开启电压的好不要值，场效应管不能导通。② 夹断电压VGS（off） （或VP）夹断电压是耗尽型FET的参数，当VGS=VGS（off） 时，漏极电流为零。③ 饱和漏极电流IDSS耗尽型场效应三极管，当VGS=0时所对应的漏极电流。④ 输入电阻RGS场效应三极管的栅源输入电阻的典型值，对于结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107Ω，对于绝缘栅场型效应三极管，RGS约是109～1015Ω。高压mos管盟科电子做得很不错。中山SOT-23场效应管供应
场效应管注意事项:结型场效应管的栅源电压不能接反，可以在开路状态下保存，而绝缘栅型场效应管在不使用时，由于它的输入电阻非常高，须将各电极短路，以免外电场作用而使管子损坏。焊接时，电烙铁外壳必须装有外接地线，以防止由于电烙铁带电而损坏管子。对于少量焊接，也可以将电烙铁烧热后拔下插头或切断电源后焊接。特别在焊接绝缘栅场效应管时，要按源极－漏极－栅极的先后顺序焊接，并且要断电焊接。对于功率型场效应管，要有良好的散热条件。因为功率型场效应管在高负荷条件下运用，必须设计足够的散热器，确保壳体温度不超过额定值，使器件长期稳定可靠地工作。中山SOT-23-3L场效应管MOS盟科电子MOS管可应用于放大。
场效应管无标示管的判别:首先用测量电阻的方法找出两个有电阻值的管脚，也就是源极S和漏极D，余下两个脚为点栅极G1和栅极G2。把先用两表笔测的源极S与漏极D之间的电阻值记下来，对调表笔再测量一次，把其测得电阻值记下来，两次测得阻值较大的一次，黑表笔所接的电极为漏极D；红表笔所接的为源极S。用这种方法判别出来的S、D极，还可以用估测其管的放大能力的方法进行验证，即放大能力大的黑表笔所接的是D极；红表笔所接地是S极，两种方法检测结果均应一样。当确定了漏极D、源极S的位置后，按D、S的对应位置装人电路，一般G1、G2也会依次对准位置，这就确定了两个栅极G1、G2的位置，从而就确定了D、S、G1、G2管脚的顺序。
场效应管MOSFET运用：MOSFET普遍使用在模拟电路与数字电路中，和我们的生活密不可分。MOSFET的优势在于：首先驱动场效应管应用电路电路比较简单。MOSFET需要的驱动电流比 BJT则小得多，而且通常可以直接由CMOS或者集电极开路TTL驱动电路驱动；其次MOSFET的开关速度比较迅速，能够以较高的速度工作，因为没有电荷存储效应；另外MOSFET没有二次击穿失效机理，它在温度越高时往往耐力越强，而且发生热击穿的可能性越低，还可以在较宽的温度范围内提供较好的性 能。MOSFET已经得到了大量应用，在消费电子、工业产品、机电设备、智能手机以及其他便携式数码电子产品中随处可见。场效应晶体管的沟道是掺杂n型半导体或p型半导体的结果。
场效应管判定栅极:用万用表黑表笔碰触管子的一个电极，红表笔分别碰触另外两个电极。若两次测出的阻值都很大，说明均是反向电阻，该管属于N沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。制造工艺决定了场效应管的源极和漏极是对称的，可以互换使用，并不影响电路的正常工作，所以不必加以区分。源极与漏极间的电阻约为几千欧。注意不能用此法判定绝缘栅型场效应管的栅极。因为这种管子的输入电阻极高，栅源间的极间电容又很小，测量时只要有少量的电荷，就可在极间电容上形成很高的电压，容易将管子损坏。场效应管的失真多为偶次谐波失真，听感好。深圳开关场效应管
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贴片场效应管:1：场效应管是电压控制器件，管子的导电情况取决于栅极电压的高低。晶体管是电流控制器件，管子的导电情况取决于基极电流的大小。 2：场效应管漏源静态伏安特性以栅极电压UGS为参变量，晶体管输出特性曲线以基极电流Ib 为参变量。3：场效应管电流IDS与栅极UGS之间的关系由跨导Gm 决定，晶体管电流Ic与Ib 之间的关系由放大系数β决定。也就是说，场效应管的放大能力用Gm 衡量，晶体管的放大能力用β衡量。4：场效应管的输入阻抗很大，输入电流极小；晶体管输入阻抗很小，在导电时输入电流较大。5：一般场效应管功率较小，晶体管功率较大。中山SOT-23场效应管供应
深圳市盟科电子科技有限公司主营品牌有盟科,MENGKE，发展规模团队不断壮大，该公司生产型的公司。盟科电子是一家有限责任公司企业，一直“以人为本，服务于社会”的经营理念;“诚守信誉，持续发展”的质量方针。公司业务涵盖MOSFETs,场效应管，开关二极管，三极管 ，三端稳压管 LDO，集成电路IC 整流器，价格合理，品质有保证，深受广大客户的欢迎。盟科电子自成立以来，一直坚持走正规化、专业化路线，得到了广大客户及社会各界的普遍认可与大力支持。
