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场效应管基本参数
  • 品牌
  • 盟科,MENGKE
  • 型号
  • 齐全
  • 加工定制
  • 工作电压
  • 20-700
  • 产品用途
  • 消费类电子,小家电
  • 厂家
  • 深圳盟科电子
  • 产地
  • 广东
  • 封装
  • SOT系列 TO系列
  • MOS类型
  • N管 P管 N+P 双N 双P
  • 塑封料
  • 无卤
  • 环保认证
  • SGS认证
  • 样品
  • 支持
场效应管企业商机

用测电阻法判别场效应管的好坏:测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法:首先将万用表置于R×10或R×100档,测量源极S与漏极D之间的电阻,通常在几十欧到几千欧范围(在手册中可知,各种不同型号的管,其电阻值是各不相同的),如果测得阻值大于正常值,可能是由于内部接触不良;如果测得阻值是无穷大,可能是内部断极。然后把万用表置于R×10k档,再测栅极G1与G2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值,当测得其各项电阻值均为无穷大,则说明管是正常的;若测得上述各阻值太小或为通路,则说明管是坏的。要注意,若两个栅极在管内断极,可用元件代换法进行检测。场效应晶体管的栅极在允许条件下,比较好接入保护二极管。浙江常用场效应管生产商

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场效应管与晶体管的比较:(1)场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管。(2)场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。(3)有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好。(4)场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了普遍的应用。珠海双极场效应管厂家盟科有TO-252封装形式的MOS管。

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场效应管注意事项:为了防止场效应管栅极感应击穿,要求一切测试仪器、工作台、电烙铁、线路本身都必须有良好的接地;管脚在焊接时,先焊源极;在连入电路之前,管的全部引线端保持互相短接状态,焊接完后才把短接材料去掉;从元器件架上取下管时,应以适当的方式确保人体接地如采用接地环等;当然,如果能采用先进的气热型电烙铁,焊接场效应管是比较方便的,并且确保安全;在未关断电源时,好不要不可以把管插人电路或从电路中拔出。以上安全措施在使用场效应管时必须注意。

用测电阻法判别无标志的场效应管:首先用测量电阻的方法找出两个有电阻值的管脚,也就是源极S和漏极D,余下两个脚为点栅极G1和栅极G2。把先用两表笔测的源极S与漏极D之间的电阻值记下来,对调表笔再测量一次,把其测得电阻值记下来,两次测得阻值较大的一次,黑表笔所接的电极为漏极D;红表笔所接的为源极S。用这种方法判别出来的S、D极,还可以用估测其管的放大能力的方法进行验证,即放大能力大的黑表笔所接的是D极;红表笔所接地是8极,两种方法检测结果均应一样。当确定了漏极D、源极S的位置后,按D、S的对应位置装人电路,一般G1、G2也会依次对准位置,这就确定了两个栅极G1、G2的位置,从而就确定了D、S、G1、G2管脚的顺序。场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。

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场效应管估测放大能力:将万用表拨到R×100档,红表笔接源极S,黑表笔接漏极D,相当于给场效应管加上1.5V的电源电压。这时表针指示出的是D-S极间电阻值。然后用手指捏栅极G,将人体的感应电压作为输入信号加到栅极上。由于管子的放大作用,UDS和ID都将发生变化,也相当于D-S极间电阻发生变化,可观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极时表针摆动很小,说明管子的放大能力较弱;若表针不动,说明管子已经损坏。由于人体感应的50Hz交流电压较高,而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同,因此用手捏栅极时表针可能向右摆动,也可能向左摆动。少数的管子RDS减小,使表针向右摆动,多数管子的RDS增大,表针向左摆动。无论表针的摆动方向如何,只要能有明显地摆动,就说明管子具有放大能力。场效应管极间电容场效应管三个电极之间的电容,它的值越小表示管子的性能越好。宁波半自动场效应管用途

场效应管它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(107~1015Ω)。浙江常用场效应管生产商

场效应晶体管可以由各种半导体制成,其中硅是目前常见的。大多数场效应晶体管是使用传统的批量半导体加工技术并由单晶半导体晶片作为有源区或沟道制造而成。特殊的基体材料包括非晶硅、多晶硅、其他非晶半导体以及薄膜晶体管、有机半导体基有机晶体管(OFET)。有机晶体管的栅极绝缘体和电极通常是由有机材料制成。这种特殊的场效应晶体管使用各种材料制造,例如碳化硅(SiC)、砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)和砷化铟镓(InGaAs)。2011年6月,IBM宣布已成功地将石墨烯基场效应晶体管应用于集成电路中。这些晶体管的频率上限约为2.23 GHz,比标准硅基场效应晶体管高得多。浙江常用场效应管生产商

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