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二极管基本参数
  • 品牌
  • 盟科,MENGKE
  • 型号
  • 不限
二极管企业商机

光电二极管的主要部分是P-N结,和普通的二极管一样,P-N结属于单向导电的非线性元件,在P-N结中存在一个从N区指向P区的内电场E。在热平衡的条件下(无光照下),多数载流子(N区的电子和P区的空穴)的扩散作用与少数载流子(N区的空穴和P区的电子)的漂移作用相互抵消,没有净电荷通过P-N结。有光照射在P-N结及附近区域时,如果照射的光子有足够大的能量,那么就会在P-N结及附近区域产生少数光生载流子。少数光生载流子靠扩散作用进入P-N结区,并在内电场E的作用下,电子漂移到N区,空穴漂移到P区,使N区带负电荷,P区带正电荷,进而产生附加电势,我们把这个电势叫做光生电动势。 当有外加偏压,且外加偏压方向与P一结内电场 一致时,光生载流子在势垒区电场作用下漂移过P-N结,形成导电电流。二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。金华电子二极管

金华电子二极管,二极管

二极管种类:恒流二极管(或称定电流二极管,CRD、Current Regulative Diode)被施加顺方向电压的场合,无论电压多少,可以得到一定的电流的元件。通常的电流容量在1~15mA的范围。虽然被称为二极管,但是构造、动作原理都与接合型电场效应电晶体相似。变容二极管施加逆向偏压,二极管PN接合的空乏层厚度会因电压不同而变化,产生静电容量(接合容量)的变化,可当作由电压控制的可变电容器使用。没有机械零件所以可靠度高,普遍应用于压控振荡器或可变电压滤波器,也是电视接收器和行动电话不可缺少的零件。发光二极管(light-emitting diode,LED)施加顺向偏压,可以发光的二极管。由发光种类与特性又有红外线二极管、各种颜色的可见光二极管、紫外线二极管等。湖州整流二极管制造商平面型二极管在脉冲数字电路中作开关管使用时PN结面积小,用于大功率整流时PN结面积较大。

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二极管并联的情况:两只二极管并联、每只分担电路总电流的一半口三只二极管并联,每只分担电路总电流的三分之一。总之,有几只二极管并联,"流经每只二极管的电流就等于总电流的几分之一。但是,在实际并联运用时",由于各二极管特性不完全一致,不能均分所通过的电流,会使有的管子困负担过重而烧毁。因此需在每只二极管上串联一只阻值相同的小电阻器,使各并联二极管流过的电流接近一致。这种均流电阻R一般选用零点几欧至几十欧的电阻器。电流越大,R应选得越小。

二极管的反向电流反向电流是指二极管在常温(25℃)和反向电压作用下,其流过二极管的反向电流。反向电流越小,管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系,大约温度每升高10℃,反向电流增大一倍。例如2AP1型锗二极管,在25℃时反向电流若为250μA,温度升高到35℃,反向电流将上升到500μA,依此类推,在75℃时,它的反向电流已达8mA,不失去了单方向导电特性,还会使管子过热而损坏。又如,2CP10型硅二极管,25℃时反向电流为5μA,温度升高到75℃时,反向电流也不过160μA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。二极管使用中不要超过二极管整流电流值。

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二极管在20世纪20年代由热离子二极管所取代。20世纪50年代,高纯度的半导体材料出现。因为新出现的锗二极管价格便宜,晶体收音机重新开始被大规模使用。贝尔实验室还开发了锗二极管微波接收器。20世纪40年代中后期,美国电话电报公司在美国四处新建的微波塔上开始应用这种微波接收器,主要用于传输电话和网络电视信号。不过贝尔实验室并未研发出效果令人满意的热离子二极管微波接收器。之后随着量子力学和半导体材料的发展和应用,逐渐发展并形成了目前人们使用的半导体二极管结构和配套的应用产业。二极管的电路符号,二极管有两个电极,由P区引出的电极是正极,又叫阳极。深圳光电二极管特点

二极管采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体。金华电子二极管

光电二极管的工作模式可以分为以下两种:零偏压下的光电压模式和反偏压下的光电导模式。光电压模式具有较好的精密度和线性度的特点,光导模式能提供较高的速度,适合于检测高速光脉冲,但是线性度不佳。在有外加反向偏压的情况下,光电二极管即使在没有光照射下也有少量的电流流过,这个电流称为暗电流。光电压模式下没有暗电流,噪声主要是并联电阻产生的热噪声。光电导模式下,噪声除了热噪声外,还有散粒噪声。光电二极管通常在光电压模式和光电导模式中选择较好的设计,而不是二者同时优化使用。金华电子二极管

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