三极管极限参数 集电极大允许电流ICM当集电极电流超过一定值时,β就要下降,当β值下降到线性放大区β值的2/3时,所对应的集电极电流称为集电极大允许电流ICM。当IC>ICM时,并不表示三极管会损坏。 集电极大允许功率损耗PCM集电极电流通过集电结时所产生的功耗, PCM= ICUCB≈ICUCE,因发射结正偏,呈低阻,所以功耗主要集中在集电结上。在计算时往往用UCE取代UCB。反向击穿电压U(BR)CEO反向击穿电压U(BR)CEO,U(BR)CEO——基极开路时集电极和发射极间的击穿电压。盟科电子MMBT5401可以用在蓝牙音箱领域。汕头NPN三极管代理价格
三极管有截止、放大、饱和三种工作状态。放大状态主要应用于模拟电路中,且用法和计算方法也比较复杂,而数字电路主要使用的是三极管的开关特性,只用到了截止与饱和两种状态。三极管的用法特点,关键点在于B极(基极)和E级(发射极)之间的电压情况,对于NPN 而言,B 极电压只要高于 E级 0.7V 以上,这个三极管 C 级和E 级之间就可以顺利导通。 同理,PNP型三极管的导通条件是E极比 B极电压高 0.7V。uCE中的交流量 有一部分经过耦合电容到达负载电阻,形成输出电压。完成电路的放大作用。深圳三极管按需定制晶体三极管,是半导体基本元器件之一,也是电子电路的元件。
三极管放大电路的原理:共发射极放大电路共发射极放大器是应用普遍的放大器。所谓的共发射极放大器就是信号输入和信号输出都要依靠发射极完成的放大器。是一种典型的共发射极放大器。在该放大器内,VT是放大管,C1是输入信号耦合电容,C2是输出信号耦合电容,R1、R2是VT基极的直流偏置电阻,R3是VT的集电极负载电阻,VCC是供电电压,Ui是输入信号,Uo是输出信号。直流偏置供电电压VCC通过R1、R2分压后,加到VT的基极,为基极提供直流偏置电压,基极电压Ub≈VCCR2/(R1+R2)。流过R1的电流分两路到地:一路通过R2到地,另一路通过VT的发射极到地。
选用三极管需要了解三极管的主要参数。若手中有一本晶体管特性手册好。三极管的参数很多,其中必须了解的四个极限参数:ICM、BVCEO、PCM、fT、TON TOFF 等,可满足95%以上的使用需要。ICM是集电极大允许电流。三极管工作时当它的集电极电流超过一定数值时,它的电流放大系数β将下降。为此规定三极管的电流放大系数β变化不超过允许值时的集电极大电流称为ICM。所以在使用中当集电极电流IC超过ICM时不至于损坏三极管,但会使β值减小,影响电路的工作性能。 三极管基本的和重要的特性。
三极管的穿透电流ICEO的数值近似等于管子的倍数β和集电结的反向电流ICBO的乘积。ICBO随着环境温度的升高而增长很快,ICBO的增加必然造成ICEO的增大。而ICEO的增大将直接影响管子工作的稳定性,所以在使用中应尽量选用ICEO小的管子。通过用万用表电阻直接测量三极管e-c极之间的电阻方法,可间接估计ICEO的大小,具体方法如下:万用表电阻的量程一般选用R×100或R×1K挡,对于PNP管,黑表管接e极,红表笔接c极,对于NPN型三极管,黑表笔接c极,红表笔接e极。要求测得的电阻越大越好。e-c间的阻值越大,说明管子的ICEO越小;反之,所测阻值越小,说明被测管的ICEO越大。一般说来,中、小功率硅管、锗材料低频管,其阻值应分别在几百千欧、几十千欧及十几千欧以上,如果阻值很小或测试时万用表指针来回晃动,则表明ICEO很大,管子的性能不稳定。 三极管从三个区引出相应的电极,分别为基极b发射极e和集电极c。中山光敏三极管型号
三极管按安装方式:插件三极管、贴片三极管。汕头NPN三极管代理价格
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