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三极管基本参数
  • 品牌
  • 盟科,MENGKE
  • 型号
  • 三极管
  • 应用范围
  • 功率,放大,达林顿,开关
  • 材料
  • 硅(Si),锗(Ge)
  • 封装形式
  • 贴片型,直插型,功率型
  • 极性
  • NPN型,PNP型
  • 频率特性
  • 高频,中频,低频
  • 功率特性
  • **率,小功率
  • 营销方式
  • 厂家直销,现货,库存
三极管企业商机

正向放大区(或简称放大区):当发射结正向偏置,集电结反向偏置时,晶体管工作在放大区。大多数双极性晶体管的设计目标,是为了在正向放大区得到大的共射极电流增益。晶体管工作在这一区域时,集电极-发射极电流与基极电流近似成线性关系。由于电流增益的缘故,当基极电流发生微小的扰动时,集电极-发射极电流将产生较为有名变化。反向放大区:当发射结反向偏置,集电结正向偏置时,晶体管工作在反向放大区。此时发射区和集电区的作用与正向放大区正好相反,但由于集电区的掺杂浓度低于发射区,反向放大区产生的放大效果小于正向放大区。而大多数双极性晶体管的设计目标是尽可能得到大正向放大电流增益,因此在实际这种工作模式几乎不被采用。硅三极管是常用的三极管,具有高稳定性、高可靠性、高温度稳定性和高频特性等优点。徐州贴片三极管批发价

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BVCEO是三极管基极开路时,集电极-发射极反向击穿电压。如果在使用中加在集电极与发射极之间的电压超过这个数值时,将可能使三极管产生很大的集电极电流,这种现象叫击穿。三极管击穿后会造成性损坏或性能下降。 PCM是集电极大允许耗散功率。三极管在工作时,集电极电流在集电结上会产生热量而使三极管发热。若耗散功率过大,三极管将烧坏。在使用中如果三极管在大于PCM下长时间工作,将会损坏三极管。需要注意的是大功率三极管给出的大允许耗散功率都是在加有一定规格散热器情况下的参数。 东莞放大三极管批量定制三极管的集电极电流与基极电流成正比。

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三极管基极的判别:根据三极管的结构,我们知道三极管的基极是三极管中两个PN结的公共极,因此,在判别三极管的基极时,只要找出两个PN结的公共极,即为三极管的基极。具体方法是将多用电表调至电阻挡的R×1k挡,先用红表笔放在三极管的一只脚上,用黑表笔去碰三极管的另两只脚,如果两次全通,则红表笔所放的脚就是三极管的基极。如果一次没找到,则红表笔换到三极管的另一个脚,再测两次;如还没找到,则红表笔再换一下,再测两次。如果还没找到,则改用黑表笔放在三极管的一个脚上,用红表笔去测两次看是否全通,若一次没成功再换。这样多量12次,总可以找到基极。

制造三极管时,有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的,同时基区做得很薄,而且,要严格控制杂质含量,这样,一旦接通电源后,由于发射结正偏,发射区的多数载流子(电子)及基区的多数载流子(空穴)很容易地越过发射结互相向对方扩散,但因前者的浓度基大于后者,所以通过发射结的电流基本上是电子流,这股电子流称为发射极电流子。由于基区很薄,加上集电结的反偏,注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电极电流Ic,只剩下很少(1-10%)的电子在基区的空穴进行复合,被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给。三极管可以作为振荡器,产生高频信号,用于无线电通信、雷达等领域。

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三极管是一种控制元件,主要用来控制电流的大小,以共发射极接法为例(信号从基极输入,从集电极输出,发射极接地),当基极电压UB有一个微小的变化时,基极电流IB也会随之有一小的变化,受基极电流IB的控制,集电极电流IC会有一个很大的变化,基极电流IB越大,集电极电流IC也越大,反之,基极电流越小,集电极电流也越小,即基极电流控制集电极电流的变化。但是集电极电流的变化比基极电流的变化大得多,这就是三极管的放大作用。IC 的变化量与IB变化量之比叫做三极管的放大倍数β(β=ΔIC/ΔIB, Δ表示变化量),三极管的放大倍数β一般在几十到几百倍。 三极管全称半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,在电路中主要起开关和放大电流的作用。泰州贴片三极管分类

三极管是现代电子技术中重要的元件之一,大范围的应用于电子设备中。徐州贴片三极管批发价

数字三极管数字三极管:Digital Transistor。是内部已经集成了电阻的三极管,属于集成电路元件。俗称带阻三极管,也就是内部自带电阻,常用来做电子开关,和同反相器功能相同。这样做的好处是,集成度高,省掉了电阻的组装,方便、减少用户的使用成本。但是数字三极管配的电阻一般都是固定的,和普通三极管相比,使用灵活性要稍微差一些。电阻集成:一般集成一到两个电阻。有的在基极上串联一只电阻, 一般称为R1; 有的在基极与发射极之间还并联一只电阻R2 。电阻R1 与电阻R2 可按多种方式搭配,因此数字晶体管的品种很多。徐州贴片三极管批发价

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