◆设备简介:技术高、进步快、种类多、价值大。半导体行业技术高、进步快，一代产品需要一代工艺，而一代工艺需要一代设备。IC制造设备主要分为光刻机、刻蚀机、薄膜设备、扩散\离子注入设备、湿法设备、买入()过程检测等六大类，其中光刻机约占总体设备销售额的18%，刻蚀机约占20%，薄膜设备约占20%。◆市场规模:2020全球预计超700亿美元，中国大陆约占20%。SEMI预计2020年半导体设备市场将增长，达到719亿美元，创历史新高。2017年中国大陆市场需求规模约占全球的15%左右，2020年预计占比将达到20%，约170亿美元。◆竞争格局:从总体到局部，市场集中度高。半导体设备市场集中度高，主要有美日荷厂商垄断。总体上看，半导体设备市场CR10超60%，名分别为应用材料、拉姆研究、东京电子、阿斯麦和科磊半导体;局部上看，每一大类设备市场均呈现寡头竞争格局，前两名厂商占据一半以上的市场份额。光刻机进口清关代理，二手半导体设备清关代理公司，进口二手设备报关服务公司。苏州有名的半导体设备进口报关检测要求
定义:集成电路、光伏、LED为半导体设备主要构成半导体设备指生产半导体相关产品的设备。以中国电子设备工业协会的分类口径，半导体设备主要包括集成电路设备、光伏设备、LED设备。其中，集成电路设备附加值比较高，包括前端集成电路制造设备与后端集成电路封测设备，终品为应用于电子、通信等各行业领域的芯片。光伏设备包含硅片设备、电池片设备、组件设备等，平价上网倒逼产业链企业加快技术革新，制造设备迭代速度同步提速。另一方面，国内单晶炉、切断机、清洗机、扩散炉等均已实现国产化，国产化比例超过90%。LED设备相对而言技术壁垒比较低，已基本实现国产化。2、全球:2018年全球半导体设备行业产值约1,007亿美元2018年全球半导体设备行业产值约1,007亿美元。赛迪研究院将全球半导体设备行业分为集成电路、光伏、新型显示、LED四类，2018年，其分别实现产值649亿美元、48亿美元、280亿美元、30亿美元，价值占比分别为、、、。集成电路设备价值占比比较高，2018年市场规模同比增长约。作为半导体设备行业重要的构成，2018年集成电路设备增速有所放缓。SEMI的统计数据显示，2018年全球集成电路设备市场规模，同比增长，增速较上年同期下降，中国市场，同比增长。瑞士实力的半导体设备进口报关检测要求由于半导体设备的特殊性，需要选择有经验的物流公司进行运输和报关，以确保设备的安全和顺利进口。
2016年，印发《“十三五”国家战略性新兴产业发展规划。规划提出，到2020年，战略性新兴产业增加值(含半导体产业)占国内生产总值比重达到15%。半导体设备具备极高的门槛和壁垒，全球半导体设备主要被日美所垄断，设备如光刻、刻蚀、PVD、CVD、氧化/扩散等设备的top3市占率普遍在90%以上。目前光刻机、刻蚀、镀膜、量测、清洗、离子注入等设备的国产率普遍较低。经过多年培育，国产半导体设备已经取得较大进展，整体水平达到28nm，并在14nm和7nm实现了部分设备的突破。具体来讲，28nm的刻蚀机、薄膜沉积设备、氧化扩散炉、清洗设备和离子注入机已经实现量产；14nm的硅/金属刻蚀机、薄膜沉积设备、单片退火设备和清洗设备已经开发成功。8英寸的CMP设备也已在客户端进行验证；7nm的介质刻蚀机已被中微半导体开发成功；上海微电子已经实现90nm光刻机的国产化。在中低端制程，国产化率有望得到提升，先进制程产线为保证产品良率，目前仍将以采购海外设备为主。光刻机：高精度光刻机被ASML、尼康、佳能三家垄断，上海微电子是国内前列的光刻机制造商，公司封装光刻机国内市占率80%，全球40%，光刻机实现90nm制程，并有望延伸至65nm和45nm。
ALD:海外供应商包括韩国NCD、荷兰SolayTec、荷兰Levitech等;国内主要为理想能源、无锡微导、无锡松煜等。PERC电池技术在BSF基础上增加了背面钝化与激光开槽两道工序，相应增加了背钝化沉积设备与激光划线设备的使用。主流的PERC钝化工艺方案包括:板式PECVD方案:背面:采用板式二合一PECVD(氧化铝+氮化硅)一次性完成沉积;正面:采用管式/板式PECVD(氮化硅)完成沉积。?管式PECVD方案:背面:采用管式二合一PECVD(氧化铝+氮化硅)一次性完成沉积;?正面:采用管式/板式PECVD(氮化硅)完成沉积。ALD方案:背面:采用ALD(氧化铝)+PECVD(氮化硅)完成沉积;正面:采用PECVD(氮化硅)完成沉积。价值构成:PERC技术需在现有BSF基础上做部分设备的采购即可实现产线升级，其与现有设备的良好兼容性也是使其在众多技术中脱颖而出的原因之一。以采购国产设备为前提假设，PERC电池技术单位(1GW)设备投资规模约2亿元~3亿元，其中，薄膜沉积设备占比约30%~35%，印刷烧结设备占比约20%。在进口半导体设备前，需要了解中国的相关法规和标准。
HJT:未来增长潜力无限异质结电池作为N型单晶双面电池的一员，早由日本三洋公司于1990年成功研发。2015年，三洋关于异质结的**保护结束，行业迎来大发展时期。异质结电池的特性包括以下几点:优点:(a)工艺流程短，工序少;(b)无光致衰减;(c)双面发电;(d)采用低温工艺从而热耗减少;(e)对称结构更利于薄片化.待改进点:(a)虽然电池效率相较于P型电池具有优势，但初期投资成本过高。目前，异质结单位投资额约为10亿元/GW，同期PERC为4亿元左右。(b)异质结电池的生产设备与现有常规晶硅电池不兼容。(c)无法采用常规晶硅电池的后续高温封装工艺，取而代之的为低温组件封装工艺。异质结电池生产工序包括:硅片→清洗→制绒→正面沉积非晶硅薄膜→背面沉积非晶硅薄膜→正反面沉积TCO薄膜→丝网印刷电极→边缘隔离→测试。概括来说，主要的四个工艺步骤为:制绒清洗→非晶硅薄膜沉积→TCO制备→电极制备。其中，非晶硅薄膜沉积、TCO制备工艺要求较高，目前以海外供应商为主。非晶硅薄膜沉积领域:主要用到的设备为等离子化学气相沉积(PECVD)与热丝化学气相沉积(Cat-CVD/HWCVD)。非晶硅沉积设备主流供应商包括美国应用材料、瑞士梅耶博格、韩国周星、日本爱发科、日本真空等。了解目的地国家的相关法规和标准：不同国家对半导体设备的进口有不同的规定和标准。重庆服务好的半导体设备进口报关公司
半导体设备进口报关将越来越自动化，海关将采用更多的自动化设备和技术，提高报关效率和准确性。苏州有名的半导体设备进口报关检测要求
我国半导体设备市场空间大，增长动力强劲。半导体设备主要用于半导体制造和封测流程，分为晶圆加工设备（为光刻机、刻蚀机、薄膜沉积设备）、封装设备和检测设备。2018年全球半导体设备市场达到，其中大陆市场为，占比20%，是全球第二大市场。随着半导体产能向大陆转移、制程和硅片尺寸升级、政策的大力支持，大陆半导体设备增长强劲。2018年大陆半导体设备增速为46%，远高于全球的14%，是全球市场增长的主要动力。全球竞争格局集中，国产替代加速。全球半导体设备竞争格局高度集中（CR5占比75%）、企业收入体量大（营收超过百亿美元）、产品布局丰富。相比而言，国内设备公司体量较小、产品线相对单一。在“02专项”等政策的推动下，大陆晶圆厂设备自制率提升意愿强烈，国内设备公司迎来了国产替代的关键机遇。目前，在刻蚀设备、薄膜沉积设备、清洗设备、检测设备等领域，国内企业正奋力追赶并取得了一定的成绩。技术突破由易到难，终实现弯道超车。我们认为：1.清洗设备、后道检测设备有望率先突破，建议关注长川科技、至纯科技、盛美半导体、华峰测控（科创板拟上市公司）等。2.晶圆加工设备技术难度高，但在国家大力支持与企业持续不断的研发投入下。苏州有名的半导体设备进口报关检测要求
