新旧半导体海关审价流程：1.进口货物以海关审定的成交价格为基础的到岸价格作为完税价格。其成交价格经海关审查未能确定的，应以该货物的同一出口国或地区购进的相同或者类似货物的成交价格为基础；再未能确定的，应以相同或类似进口货物在国内市场的批发价格，减去进口关税、进口环节其他税收以及进口后的运输、仓储、营业费用及利润作为完税价格。2.对一些特殊进口货物，应以海关审定的修理费和料件费作为完税价格；对运往加工的货物，出境时已向海关报明并在规定期限内复运进境的，应以加工后的货物进境时的到岸价格与原出境货物或者相同、类似的货物在进境时的到岸价格之间的差额，作为完税价格；对于租赁，包括租借方式进口的货物，以海关审定的货物的租金作为完税价格.3.海关对进出口人所申报价格的真实性、完整性有怀疑，需要进出口人进一步解释说明的，海关会制发“价格质疑通知书”并送达进出口人，通知其就存在的疑点进行解释。进出口人应当提供“价格质疑通知书”所要求补充提供的资料，如实填写“价格补充申报单”，配合海关验估人员确定应税货物实际状态和完税价格的工作。如果进出口人的解释说明仍不能解除海关的疑虑。晶圆倒角机进口清关代理，晶圆研磨机进口清关服务，扩散炉进口报关服务。英国实力的半导体设备进口报关经验丰富
ASML2017年光刻机全球市占率，其EUV光刻机实现全球垄断;Nikon2017年光刻机全球市占率，相较ASML在价格方面具备一定优势;?Canon主要集中于面板等领域，**光刻机市场参与不多;SMEE为全球LED光刻机主要供应商，作为国内**光刻机的**，2018年3月其所承担的“02专项”“90nm光刻机”通过国家验收，为全球第四家掌握光刻机系统设计与系统集成技术的企业，但相较于ASML**的先进水平仍有差距。2）刻蚀机:芯片线宽的缩小以及新制造工艺的采用使刻蚀机使用量有所增加刻蚀机为晶圆制造三大主要设备之一，包括两种基本的刻蚀工艺，分别为干法刻蚀与湿法腐蚀。其中，干法刻蚀(**为等离子体干法刻蚀)为主流刻蚀技术，湿法腐蚀常用于尺寸较**于3微米)场景或去除干法刻蚀后的残留物。根据被刻蚀材料的不同，干法刻蚀还可以进一步分为金属刻蚀、介质刻蚀、硅刻蚀。竞争格局:根据TheInformationNetwork的统计数据，2017年全球刻蚀机主要供应商包括泛林半导体(LamResearch)、东京电子(TokyoElectron)、应用材料(AppliedMaterials)，其全球市占率分别为55%、20%、19%。国内供应商以中微公司、北方华创为**，预计国内市占率接近20%。韩国半导体设备进口报关在进口后，要及时进行清关手续，如办理进口货物报关单、支付关税等。
国内集成电路12英寸、28纳米制程主要设备已成功进入量产线，具体包括薄膜沉积设备、CMP抛光设备、刻蚀机、清洗设备、离子注入机等，其中，刻蚀机已具备一定的国际竞争力。1）光刻机:ASML垄断超市场光刻机为大规模集成电路设备。光源作为光刻机的构成，很大程度上决定了光刻机的工艺水平。光源的变迁先后经历:(a)紫外光源(UV:UltravioletLight)，波长小缩小至365nm;(b)深紫外光源(DUV:DeepUltravioletLight)，其中ArFImmersion实际等效波长为134nm;(c)极紫外光源(EUV:ExtremeUltravioletLight)，目前大部分比较高工艺制程半导体芯片均采用EUV光源。竞争格局:全球为荷兰ASML，其他包括日本Nikon、日本Canon等。国内从事集成电路光刻机生产制造的企业主要为上海微电子(SMEE)与中国电科(CETC)旗下的电科装备。
采用特定的化学药液和去离子水，对圆片表面进行无损伤清洗，以去除集成电路制造过程中的颗粒、自然氧化层、有机物、金属污染、层、抛光残留物等物质。清洗机主要分为槽式清洗机和单圆片清洗机。槽式清洗技术是由美国无线电公司(RCA)于1970年提出的，它是通过多个化学槽体、去离子水槽体和干燥槽体的配合使用，完成圆片清洗工艺。随着28nm及更先进工艺的湿法清洗对圆片表面小颗粒的数量及刻蚀均匀性的要求越来越高，同时必须达到图形无损干燥。而槽式圆片清洗机的槽体内部化学药液的差异性、干燥方式，以及与圆片接触点过多，导致无法满足这些工艺需求，现已逐渐被单圆片清洗机取代，目前槽式圆片清洗机在整个清洗流程中约占20%的步骤。槽式圆片清洗机主要厂商有日本的迪恩士(SCREEN)、东京电子(TokyoElectron)和JET，三家约占全球75%以上的市场份额。韩国的SEMES和KCTECH主要供给韩国市场。单圆片清洗设机主要厂商有日本的迪恩士、东京电子和美国泛林集团提供，三家约占全球70%以上的市场份额。在国内的单圆片湿法设备厂商中，盛美半导体开发的空间交变相位移(SAPS)兆声波清洗设备和时序气穴振荡控制。半导体设备进口报关准备好必要的进口许可证和证明文件。
HJT:未来增长潜力无限异质结电池作为N型单晶双面电池的一员，早由日本三洋公司于1990年成功研发。2015年，三洋关于异质结的**保护结束，行业迎来大发展时期。异质结电池的特性包括以下几点:优点:(a)工艺流程短，工序少;(b)无光致衰减;(c)双面发电;(d)采用低温工艺从而热耗减少;(e)对称结构更利于薄片化.待改进点:(a)虽然电池效率相较于P型电池具有优势，但初期投资成本过高。目前，异质结单位投资额约为10亿元/GW，同期PERC为4亿元左右。(b)异质结电池的生产设备与现有常规晶硅电池不兼容。(c)无法采用常规晶硅电池的后续高温封装工艺，取而代之的为低温组件封装工艺。异质结电池生产工序包括:硅片→清洗→制绒→正面沉积非晶硅薄膜→背面沉积非晶硅薄膜→正反面沉积TCO薄膜→丝网印刷电极→边缘隔离→测试。概括来说，主要的四个工艺步骤为:制绒清洗→非晶硅薄膜沉积→TCO制备→电极制备。其中，非晶硅薄膜沉积、TCO制备工艺要求较高，目前以海外供应商为主。非晶硅薄膜沉积领域:主要用到的设备为等离子化学气相沉积(PECVD)与热丝化学气相沉积(Cat-CVD/HWCVD)。非晶硅沉积设备主流供应商包括美国应用材料、瑞士梅耶博格、韩国周星、日本爱发科、日本真空等。半导体后道设备进口清关代理公司，进口二手研磨机清关服务。英国实力的半导体设备进口报关经验丰富
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中国:2018年我国半导体设备行业销售规模约为。根据中国电子设备工业协会的统计口径，2018年我国半导体设备行业实现销售收入，同比增长。其中，光伏设备、集成电路设备、LED设备分别实现收入、，，较上年同期增长、、。光伏设备行业收入占比比较高。2018年，集成电路设备、光伏设备、LED设备分别占我国半导体设备行业收入总额约42%、36%、20%。收入占比趋势方面，集成电路设备行业一改自2016年以来占比下降的趋势，2018年收入占比回升至，较上年同期提升。出货值逐年攀升，与收入增速基本同步。2018年，我国半导体设备行业实现出货值，同比增长，增速快于同期国内市场销售收入。回溯过去4年我国半导体设备行业规模扩张步伐，国内市场销售收入与出货值年均增速分别为、，基本为同幅度变动。国内半导体设备行业三强分别为北方华创、晶盛机电、中微半导体。根据中国电子设备工业协会的统计口径，半导体设备行业供应商中:规模化效应有望在企业逐年展现:北方华创、晶盛机电收入体量相当，2018年销售额均突破20亿元。随着收入规模的扩大，预计后期净利润增速将超越收入，有望迎来加速成长期。企业收入均呈现正增长:2018年行业大供应商收入增速虽有分化，整体看均呈现扩张态势。英国实力的半导体设备进口报关经验丰富
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