薄膜沉积设备:应用材料在PVD领域优势明显集成电路薄膜材料制造采用的工艺为物相沉积PVD(PhysicalVaporDeposition)与化学气相沉积CVD(ChemicalVaporDeposition)等。物相沉积指将材料源表面气化并通过低压气体/等离子体在基体表面沉积，包括蒸发、溅射、离子束等。化学气相沉积指将含有薄膜元素的气体通过气体流量计送至反应腔晶片表面反应沉积，包括低压化学气相沉积LPCVD、金属有机化合物气相沉积MOCVD、等离子体增强化学气相沉积PECVD等。原子层沉积ALD属于化学气相沉积的一种，区别在于化学吸附自限制(CS)与顺次反应自限制(RS)，每次反应只沉积一层原子，从而具备成膜均匀性好、薄膜密度高、台阶覆盖性好、低温沉积等优点，适用于具有高深宽比、三维结构基材。全球竞争格局:集成电路PVD领域主要被美国应用材料(AppliedMaterials)、瑞士Evatec、日本爱发科(Ulvac)所垄断，其中应用材料占比约85%;CVD领域全球主要供应商为美国应用材料(AppliedMaterials)、东京电子(TokyoElectron)、泛林半导体(LamResearch)，其中应用材料占比约30%。国内竞争格局:国内集成电路领域沉积设备供应商主要为沈阳拓荆与北方华创。沈阳拓荆:两次承担国家“02专项”。常见进口二手半导体设备清关的有： 离子注入机、固晶机、冲孔机、等离子清洗机、探针台、晶圆切割机等。杭州半导体设备进口报关放心省心
二手半导体设备进口相关政策一：二手半导体设备种类比较多，根据不同原料不同用途品牌规格不同，因二手半导体设备是国家鼓励的项目，所以大部分品牌的半导体设备都是0%关税的，只有17%的增值税。二：《装运期检验检疫备案证书》是进口旧机电产品备案是在产品进口前采取的一项管理措施，是一种事前审批。自2015年北京公布取消备案行政审批并不意味着淡化对进口旧机电质量安全管理，更需加强事中事后监管。为保障进口旧机电产品的质量安全，促进产业结构调整和升级、优化，加强对进口旧机电产品的检验监管，总局启动了《中华共和国进出口商品检验法实施条例》第二十二条第二款及第五十一条第三款涉及进口旧机电产品备案条文的修改；发布了《质检总局关于调整进口旧机电产品检验监管的公告》。公告明确告知行政相对人，取消进口旧机电产品备案行政审批，明确进口旧机电产品的检验监管由装运前检验环节开始，具体包括装运前检验、口岸查验、目的地检验及监管三个环节。二手半导体设备进口报关报检注意事项1、旧半导体设备铭牌保持清晰可见，海关主要是查验时主要是看设备铭牌。根据我司操作经验，发现很多设备铭牌上信息与资料信息不一致，导致海关查验不通过。杭州半导体设备进口报关放心省心后道封装测试：切割机、固晶机、焊线机、引线键合装置、测试机、探针台。
国产化情况:国产自给率低，技术加速追赶。根据中国电子设备工业协会数据，预计2018年国产泛半导体设备销售额约109亿元，但真正的IC设备国内市场自给率有5%左右，国产替代空间巨大。在02专项的统筹规划下，国内半导体厂商分工合作研发不同设备，涵盖了主要设备种类。国内厂商仍处于技术追赶期，但随着摩尔定律趋近极限，技术进步放缓，国内厂商与全球技术差距正在逐渐缩短，我们认为未来3-5年将是半导体设备国产替代黄金战略机遇期。、设备简介:技术高、进步快、种类多、价值大半导体行业技术高、进步快，一代产品需要一代工艺，而一代工艺需要一代设备。半导体产业技术进步主要有两大方向:一是制程越小→晶体管越小→相同面积上的元件数越多→性能越高→产品越好;二是硅片直径越大→硅片面积越大→单个晶圆上芯片数量越多→效率越高→成本越低。半导体工艺流程主要包括单晶硅片制造、IC设计、IC制造和IC封测。单晶硅片制造需要单晶炉等设备，IC制造需要光刻机、刻蚀机、薄膜设备、扩散\离子注入设备、湿法设备、过程检测等六大类设备。半导体设备中，晶圆代工厂设备采购额约占80%，检测设备约占8%，封装设备约占7%，硅片厂设备等其他约占5%。一般情况下。
获取报告请登录未来智库。，MOCVD实现国产替代公司深耕刻蚀设备，技术比肩国际巨头。中微公司成立于2004年，前身为中微有限。公司主营业务为半导体等离子刻蚀设备（Etch）和用于LED的金属气相沉积设备（MOCVD），刻蚀设备方面，公司自成立以来便着手开发等离子刻蚀设备，目前已涵盖CCP、ICP和深硅刻蚀三大领域，刻蚀设备已在海内外前列客户芯片生产线进行65纳米到5纳米工艺的芯片加工制造。由于公司开发出与美国设备公司具有同等质量和相当数量的等离子体刻蚀设备并实现量产，美国商务部在2015年宣布解除了对我国等离子体刻蚀设备多年的出口管制。CCP刻蚀设备：自成立伊始公司就着手开发甚高频去耦合等离子体刻蚀设备PrimoD-RIE（CCP刻蚀设备），到目前为止已成功开发了双反应台PrimoD-RIE、双反应台PrimoAD-RIE和单反应台PrimoSSCAD-RIE三代刻蚀设备，以及用于存储芯片的PrimoHD-RIE，涵盖65-5纳米微观器件的众多刻蚀应用。ICP刻蚀设备：2012年公司开发电感性等离子体刻蚀设备（ICP刻蚀设备），2018年发布代电感耦合等离子体刻蚀设备Primonanova，该设备不仅能够用于多种导体刻蚀工艺，比如浅沟槽隔离刻蚀（STI）、多晶硅栅极刻蚀；同时可用于介质刻蚀，如间隙壁刻蚀。上海进口制造半导体生产线清关服务公司，二手设备进口报关注意问题。
PERC:与现有常规产线具备较高兼容性钝化发射极和背面(PassivatedEmitterandRearCell，PERC)电池技术指利用钝化材料对电池背面进行钝化，从而克服了常规电池背表面光学和电学损失，电池转换效率获得有效提升。目前，PERC已成为主流高效电池技术。PERC技术与常规电池产线具备较高兼容性，增加两道额外工序，分别为:(a)背面钝化层的沉积;(b)激光开槽。背钝化设备为PERC电池技术的关键生产设备。目前，PERC电池钝化膜沉积主要使用两种方法，分别为等离子化学气相沉积法(PECVD)与原子层沉积法(ALD)，其中PECVD占比约九成。根据设备形态的不同，PECVD沉积设备可分为板式PECVD与管式PECVD;ALD沉积设备可分为管式ALD、板式ALD、单片ALD。PECVD沉积设备与ALD沉积设备各有优势。其中，PECVD优势主要体现为一次性沉积氧化铝与氮化硅，硅片上下料工序有所减少，生产具备连续性;ALD优势主要体现为氧化铝结构缺陷小，膜厚可控(相对较薄)。竞争格局:根据设备形态划分，背钝化设备供应商主要包括:板式PECVD:海外供应商主要为MeyerBurger公司的MAIA;管式PECVD:海外供应商主要为Centrotherm公司等;国内包括无锡松煜、深圳捷佳伟创等。韩国、日本半导体制造设备进口清关公司，进口晶圆加工设备报关公司。保税区实力的半导体设备进口报关打包运输
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2016财年的订单均占该公司销售收入的10%以上。2014和2015财年，Lam在韩国半导体设备销售额比较高，占整体销售比例为24%和27%，在中国台湾地区销售额高达，同比增长，占比为25%。由于中国大陆半导体产业的快速发展，2016财年，中国大陆成为Lam半导体设备销售的第二大市场。东京电子东京电子是日本前列的半导体设备提供商，主要从事半导体设备和平板显示器设备制造。英文简写为TEL，全称为TokyoElectronLimited。1963年在日本东京成立，公司名为东京电子研究所。1968年东京电子与ThermcoProductsCorp合作开始生产半导体设备。1978年公司正式改名为东京电子有限公司。1983年，东京电子与美国公司拉姆研究合作，引进当时前列的美国技术，在日本本土开始生产刻蚀机。公司在2018财年营业收入增长，净利润增长。公司十分注重研发投入，2018财年的计划研发费用约1200亿日元（约合80亿人民币），设备投资510亿日元（约合30亿人民币），东京电子业务分为两大板块：工业机械制造和电子计算机组件，其中工业机械设备制造又细分为半导体制造和平板显示器以及光伏设备制造。根据公司年报，从2015财年开始，半导体制造已经成为公司发展业务，占公司总营收90%以上。杭州半导体设备进口报关放心省心
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