2016年，印发《“十三五”国家战略性新兴产业发展规划。规划提出，到2020年，战略性新兴产业增加值(含半导体产业)占国内生产总值比重达到15%。半导体设备具备极高的门槛和壁垒，全球半导体设备主要被日美所垄断，设备如光刻、刻蚀、PVD、CVD、氧化/扩散等设备的top3市占率普遍在90%以上。目前光刻机、刻蚀、镀膜、量测、清洗、离子注入等设备的国产率普遍较低。经过多年培育，国产半导体设备已经取得较大进展，整体水平达到28nm，并在14nm和7nm实现了部分设备的突破。具体来讲，28nm的刻蚀机、薄膜沉积设备、氧化扩散炉、清洗设备和离子注入机已经实现量产；14nm的硅/金属刻蚀机、薄膜沉积设备、单片退火设备和清洗设备已经开发成功。8英寸的CMP设备也已在客户端进行验证；7nm的介质刻蚀机已被中微半导体开发成功；上海微电子已经实现90nm光刻机的国产化。在中低端制程，国产化率有望得到提升，先进制程产线为保证产品良率，目前仍将以采购海外设备为主。光刻机：高精度光刻机被ASML、尼康、佳能三家垄断，上海微电子是国内前列的光刻机制造商，公司封装光刻机国内市占率80%，全球40%，光刻机实现90nm制程，并有望延伸至65nm和45nm。半导体设备进口报关的复杂性和技术性，需要专业的报关服务机构进行操作。瑞士专业的半导体设备进口报关中检服务
PERC:与现有常规产线具备较高兼容性钝化发射极和背面(PassivatedEmitterandRearCell，PERC)电池技术指利用钝化材料对电池背面进行钝化，从而克服了常规电池背表面光学和电学损失，电池转换效率获得有效提升。目前，PERC已成为主流高效电池技术。PERC技术与常规电池产线具备较高兼容性，增加两道额外工序，分别为:(a)背面钝化层的沉积;(b)激光开槽。背钝化设备为PERC电池技术的关键生产设备。目前，PERC电池钝化膜沉积主要使用两种方法，分别为等离子化学气相沉积法(PECVD)与原子层沉积法(ALD)，其中PECVD占比约九成。根据设备形态的不同，PECVD沉积设备可分为板式PECVD与管式PECVD;ALD沉积设备可分为管式ALD、板式ALD、单片ALD。PECVD沉积设备与ALD沉积设备各有优势。其中，PECVD优势主要体现为一次性沉积氧化铝与氮化硅，硅片上下料工序有所减少，生产具备连续性;ALD优势主要体现为氧化铝结构缺陷小，膜厚可控(相对较薄)。竞争格局:根据设备形态划分，背钝化设备供应商主要包括:板式PECVD:海外供应商主要为MeyerBurger公司的MAIA;管式PECVD:海外供应商主要为Centrotherm公司等;国内包括无锡松煜、深圳捷佳伟创等。广州代理半导体设备进口报关服务自动曝光机报关、匀胶/显影设备报关、离子刻蚀机报关、等离子切割设备报关、PECVD系统报关。
公司半导体设备等规模持续扩张。长川科技是国内集成电路封装测试、晶圆制造及芯片设计环节测试设备主要供应商。半导体测试设备主要包括分选机、测试机和探针台三大类。自2008年4月成立以来，该公司率先实现了半导体测试设备（分选机和测试机）的国产化，并获得国内外众多前列集成电路企业的使用和认可。该公司于2012年2月承担并完成国家“十二五”规划重大专项“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”中的封装设备与材料应用工程项目，并于2015年3月获得国家集成电路产业基金投资。该公司的测试机和分选机在性能指标上已达到国内、接近国外先进水平，同时售价低于国外同类型号产品，具备较高的性价比优势。公司产品已进入国内主流封测企业，如天水华天、长电科技、杭州士兰微、通富微电等。2017年，该公司对外积极开拓市场，设立中国台湾办事处，拓展中国台湾市场。
国内集成电路12英寸、28纳米制程主要设备已成功进入量产线，具体包括薄膜沉积设备、CMP抛光设备、刻蚀机、清洗设备、离子注入机等，其中，刻蚀机已具备一定的国际竞争力。1）光刻机:ASML垄断超市场光刻机为大规模集成电路设备。光源作为光刻机的构成，很大程度上决定了光刻机的工艺水平。光源的变迁先后经历:(a)紫外光源(UV:UltravioletLight)，波长小缩小至365nm;(b)深紫外光源(DUV:DeepUltravioletLight)，其中ArFImmersion实际等效波长为134nm;(c)极紫外光源(EUV:ExtremeUltravioletLight)，目前大部分比较高工艺制程半导体芯片均采用EUV光源。竞争格局:全球为荷兰ASML，其他包括日本Nikon、日本Canon等。国内从事集成电路光刻机生产制造的企业主要为上海微电子(SMEE)与中国电科(CETC)旗下的电科装备。晶圆制造设备企业，深圳半导体报关公司，进口晶圆设备报关代理公司。
得益于储存芯片和逻辑芯片对10/7nm先进工艺的强劲需求，早些的预测都看好2018年半导体设备的稳健增长。2017年半导体设备支出将达到创纪录的历史比较高水平，截止目前看来，这种势头很可能会持续到2018年。今年，由于对3DNAND闪存和程度稍小的DRAM的巨大需求，半导体设备制造商发现自己正处于一个意想不到的繁荣周期之中。但在逻辑/代工业务方面，2017年的设备需求却相对温和。尽管该行业在2018年将难以超过2017年创纪录的增长数字，不过对设备需求看起来仍很强劲。事实上根据目前的预测，预计集成电路设备市场将会有一点降温，在2018年看到更正常一点的增长模式。据VLSIResearch的数据显示，2017年半导体设备市场总值预计达704亿美元，较2016年上升％。同样根据VLSIResearch的预测，到2018年IC设备市场预计将达到735亿美元，比2017年增长％。图1：半导体设备市场增长数据来源：VLSIResearch当然，预测很可能变化，因为有许多可能会影响半导体设备行业的因素。和以前一样，经济因素和问题在这个领域扮演着重要的角色。不过，半导体设备供应商仍很乐观。应用材料公司市场和业务发展副总裁ArthurSherman说：“我们预计2018年是WFE。中国台湾半导体设备进口清关代理服务公司，进口半导体设备报关代理公司。英国专业的半导体设备进口报关电话多少
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国产化情况:国产自给率低，技术加速追赶。根据中国电子设备工业协会数据，预计2018年国产泛半导体设备销售额约109亿元，但真正的IC设备国内市场自给率有5%左右，国产替代空间巨大。在02专项的统筹规划下，国内半导体厂商分工合作研发不同设备，涵盖了主要设备种类。国内厂商仍处于技术追赶期，但随着摩尔定律趋近极限，技术进步放缓，国内厂商与全球技术差距正在逐渐缩短，我们认为未来3-5年将是半导体设备国产替代黄金战略机遇期。、设备简介:技术高、进步快、种类多、价值大半导体行业技术高、进步快，一代产品需要一代工艺，而一代工艺需要一代设备。半导体产业技术进步主要有两大方向:一是制程越小→晶体管越小→相同面积上的元件数越多→性能越高→产品越好;二是硅片直径越大→硅片面积越大→单个晶圆上芯片数量越多→效率越高→成本越低。半导体工艺流程主要包括单晶硅片制造、IC设计、IC制造和IC封测。单晶硅片制造需要单晶炉等设备，IC制造需要光刻机、刻蚀机、薄膜设备、扩散\离子注入设备、湿法设备、过程检测等六大类设备。半导体设备中，晶圆代工厂设备采购额约占80%，检测设备约占8%，封装设备约占7%，硅片厂设备等其他约占5%。一般情况下。瑞士专业的半导体设备进口报关中检服务
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