刻蚀的目的在于去除硅片上不需要的材料，从而雕琢出精细的电路结构。在这一精细操作过程中，温度的波动都会如同“蝴蝶效应”般，干扰刻蚀速率的均匀性。当温度不稳定时，硅片不同部位在相同时间内所经历的刻蚀程度将参差不齐，有的地方刻蚀过度，有的地方刻蚀不足，直接破坏芯片的电路完整性，严重影响芯片性能。湿度方面，一旦出现不稳定状况，刻蚀环境中的水汽会与刻蚀气体发生复杂的化学反应，生成一些难以预料的杂质。这些杂质可能会附着在芯片表面，或是嵌入刚刚刻蚀形成的微观电路结构中，给芯片质量埋下深深的隐患，后续即便经过多道清洗工序，也难以彻底根除这些隐患带来的负面影响。主要由设备主柜体、控制系统、气流循环系统、洁净过滤器、制冷(热)系统、照明系统、局部气浴等组成。芯片恒温恒湿厂房
激光干涉仪用于测量微小位移，精度可达纳米级别。温度波动哪怕只有 1℃，由于仪器主体与测量目标所处环境温度不一致，二者热胀冷缩程度不同，会造成测量基线的微妙变化，导致测量位移结果出现偏差，在高精度机械加工零件的尺寸检测中，这种偏差可能使零件被误判为不合格品，增加生产成本。高湿度环境下，水汽会干扰激光的传播路径，使激光发生散射，降低干涉条纹的对比度，影响测量人员对条纹移动的精确判断，进而无法准确获取位移数据，给精密制造、航空航天等领域的科研与生产带来极大困扰。0.002℃恒温恒湿波动度精密环境控制设备内部温度规格设定为 22.0°C 且可灵活调节，以满足不同控温需求。
超高精度温度控制是精密环控柜的一大突出亮点。其自主研发的高精密控温技术，使得控制输出精度达到惊人的 0.1% ，这意味着对温度的调控能够精细到极小的范围。设备内部温度稳定性在关键区域可达 +/-2mK (静态) ，无论外界环境如何变化，都能保证关键部位的温度处于极其稳定的状态。内部温度规格可在 22.0°C (可调) ，满足不同用户对温度的个性化需求。而且温度水平均匀性小于 16mK/m ，确保柜内各个角落的温度几乎一致，避免因温度差异导致的实验误差或产品质量问题。再加上设备内部湿度稳定性可达 ±0.5%@8h ，以及压力稳定性可达 +/-3Pa ，连续稳定工作时间大于 144h ，为对温湿度、压力要求苛刻的实验和生产提供了可靠的环境保障，让长时间的科研实验和精密制造得以顺利进行。
光刻设备对温湿度的要求也极高，光源发出的光线需经过一系列复杂的光学系统聚焦到硅片表面特定区域，以实现对光刻胶的曝光，将设计好的电路图案印制上去。当环境温度出现极其微小的波动，哪怕只是零点几摄氏度的变化，光刻机内部的精密光学元件就会因热胀冷缩特性而产生细微的尺寸改变。这些光学元件包括镜片、反射镜等，它们的微小位移或形状变化，会使得光路发生偏差。原本校准、聚焦于硅片特定坐标的光线，就可能因为光路的改变而偏离预定的曝光位置，出现曝光位置的漂移。提供培训服务，让用户熟练掌握设备操作与维护要点。
在光学镜片研磨这一精细入微的工艺里，温湿度波动无疑是如影随形的 “大敌”，对镜片质量的影响堪称致命。就研磨设备而言，即便是零点几摄氏度的细微温度变化，也会迅速让研磨盘与镜片材料的热膨胀系数差异暴露无遗。这一差异会直接导致镜片在研磨过程中受力不均，研磨效果参差不齐，镜片的曲率精度因此大打折扣，进而严重影响其光学性能。而当处于高湿度环境时，空气中弥漫的水汽就像隐匿的破坏者，极易在镜片表面悄然凝结成水渍。这些水渍会在后续镀膜工艺中成为棘手难题，极大地干扰镀膜均匀性，致使镜片的透过率和抗反射能力双双下滑，成品镜片根本无法契合光学仪器所要求的严苛标准。针对设备运维，系统实时同步记录运行、故障状态，快速查询回溯，定位问题根源。0.002℃恒温恒湿波动度
高精密环境控制设备主要由主柜体、控制系统、气流循环系统、洁净过滤器、制冷(热)系统、照明系统等组成。芯片恒温恒湿厂房
在计量校准实验室中，高精度的电子天平用于精确称量微小质量差异，对环境温湿度要求极高。若温度突然升高 2℃，天平内部的金属部件受热膨胀，传感器的灵敏度随之改变，原本能测量到微克级别的质量变化，此时却出现读数偏差，导致测量结果失准。湿度方面，当湿度上升至 70% 以上，空气中的水汽容易吸附在天平的称量盘及内部精密机械结构上，增加了额外的重量，使得测量数据偏大，无法反映被测量物体的真实质量，进而影响科研实验数据的可靠性以及工业生产中原材料配比度。芯片恒温恒湿厂房
