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IGBT自动化设备基本参数
  • 品牌
  • 福和大 福和达 FHD,IGBT真空共晶机,DBC覆铜板,高
  • 型号
  • 齐全
  • 基材
  • PVC,泡棉,BOPP,纤维布,金属箔,聚酯,聚酰亚胺,美纹纸,牛皮纸
  • 加工定制
IGBT自动化设备企业商机

基于双基板堆叠和面互连,采用上下双基板堆叠的无键合线平面互连封装。该封装采用Wolfspeed第三代10kVSiCMOSFET芯片构建。芯片焊接在下堆叠基板上,芯片正面电极采用金属Mo柱连接,Mo柱上方连接带有通孔的上堆叠基板。在上堆叠基板的上表面,采用高密度弹簧销端子,将芯片电极连接到PCB母线。Mo柱互连取代键合线连接,提高了机械可靠性,降低了封装杂散电感和电阻。该封装在芯片的两侧均采用平面连接,少部分热量可通过芯片上表面传递给上部堆叠基板,但由于上基板上表面为弹簧端子连接,不利于热量传递,芯片耗散热主要从下堆叠基板散热,使该封装只具有单一散热通路。通过在下堆叠基板底部集成定制的直接射流喷射冷却器,模块结到环境热阻达到0.38℃/W。IGBT自动化设备的动态测试具备实时监测和报警功能。陕西网带式气氛烤炉

BeO的热导率虽与AlN相当,但热膨胀系数过高,且BeO粉体有毒性,吸入人体后会导致慢性铍肺病,世界上大多数国家早已停止使用BeO。相比而言,AlN陶瓷基板具有高的导热性(理论值319W/(m·K))与Si等半导体材料较匹配的热导率、宽的操作温度(工作温度范围和耐高温方面)和优良的绝缘性能,在大功率电力半导体模块、智能功率组件、汽车电子、高密度封装载板和发光二极管(LED)等方面有很好的发展前景,是先进集成电路陶瓷基板重要的材料之一。AlN基板金属化技术主要有厚膜法(TFC)、薄膜法(DPC)、直接覆铜法(DBC)及活性金属钎焊法(AMB)等方法。动态测试真空炉厂家IGBT自动化设备实现了对IGBT静态参数的高效测试,确保产品质量。

芯片下表面焊接连接,上表面采用载银硅树脂连接,以进一步降低热机械应力。栅极端子与聚酰亚胺柔性电路板连接。通过空气实现散热器与环境间的电气绝缘。芯片两侧的基板表面为翅片状热沉的连接提供了平台,可使用介电流体(如空气)进行冷却,该PCoB双面风冷模块具有与液冷等效的散热性能。研究表明,采用该封装的1200V/50ASiC肖特基二极管在空气流速为15CFM的条件下测试得到模块结到环境的热阻只为0.5℃/W。在没有散热措施时,结到环境的热阻也低于5℃/W。而对于类似大小的芯片,采用25mil的AlN陶瓷基板和12mil的镀镍铜底板封装的传统功率模块的结壳热阻已达到约0.4℃/W。将该模块通过导热脂连接在液冷散热板上,结到冷却液体的热阻为0.6~1℃/W。表明该PCoB双面空冷模块具有与传统液冷模块相当的热性能。

IGBT模块封装的流程大致如下:X-ray空洞检测,需要检测在敢接过程中出现的气泡情况,即空洞,空洞的存在将会严重影响器件的热阻和散热效率,以致出现过温、烧坏等问题。一般汽车IGBT模块要求空洞率低于1%;接下来是wire bonding工艺,用金属线将die和DBC键合,使用较多的是铝线,其他常用的包括铜线、铜带、铝带;中间会有一系列的外观检测、静态测试,过程中有问题的模块直接报废;重复以上工序将DBC焊接和键合到铜底板上,然后是灌胶、封壳、激光打码等工序;出厂前会做功能测试,包括电气性能的动态测试、绝缘测试、反偏测试等等。在自动贴片过程中,IGBT自动化设备能够高效地完成芯片的贴装工作。

采用烧结银工艺将芯片倒装烧结到DBC基板上,芯片背面采用铜夹连接,铜夹上连接散热器,形成芯片上表面的热通路。采用聚合物热界面材料在模块的上下表面连接两个陶瓷散热器,进行双面散热。由于芯片倒装键合面积只占芯片面积的很小一部分,接触面积较小成为限制该封装散热性能的关键。该封装中倒装芯片键合层和铜夹连接层对模块热性能的影响比连接散热器的热界面材料的影响更加明显。增大倒装芯片的键合面积有助于降低倒装芯片键合层的热阻,有利于降低芯片结温。研究表明,通过增大芯片电极金属化面积,如将芯片电极面积占比从22%提高到88%,采用倒装键合,芯片结温可降低20-30℃。建议可以通过采用扩大芯片电极金属化面积,增大键合面积的方式来降低热阻。IGBT自动化设备提高了功率半导体器件封装的一致性和可靠性。高精度DBC底板贴装机生产厂家

通过自动化设备,IGBT模块的工作原理得以实现,确保快速开断和电流流向的精确控制。陕西网带式气氛烤炉

SiC宽禁带半导体功率器件更高的开关频率,可以降低无源器件的重量,占用的封装体积也更小,因此可以提高功率器件的功率密度,同时SiC器件具有更高的热导率,可以更高效的把芯片耗散热排出。然而,SiC器件越来越高的电压等级和开关速度也给器件封装带来巨大的挑战。目前现有封装技术的不适配是摆在高压SiC器件应用面前的一道屏障。SiC芯片尺寸小,厚度更薄,而电压等级提高,需要特别关注封装中涉及芯片、基板以及输出端子等薄弱点的电气绝缘问题,如10kVSiCMOSFET的芯片厚度只有100μm,平均电场强度达到100kV/mm,而对于1.7kV的SiIGBT,芯片厚度为210μm,而平均电场强度只有8.1kV/mm。陕西网带式气氛烤炉

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