TC=℃）------通态平均电流VTM=V-----------通态峰值电压VDRM=V-------------断态正向重复峰值电压IDRM=mA-------------断态重复峰值电流VRRM=V-------------反向重复峰值电压IRRM=mA------------反向重复峰值电流IGT=mA------------门极触发电流VGT=V------------门极触发电压执行标准：QB-02-091．晶闸管关断过电压（换流过电压、空穴积蓄效应过电压）及保护晶闸管从导通到阻断，线路电感（主要是变压器漏感LB）释放能量产生过电压。由于晶闸管在导通期间，载流子充满元件内部，在关断过程中，管子在反向作用下，正向电流下降到零时，元件内部残存着载流子。这些载流子在反向电压作用下瞬时出现较大的反向电流，使残存的载流子迅速消失，这时反向电流减小即diG/dt极大，产生的感应电势很大，这个电势与电源串联，反向加在已恢复阻断的元件上，可导致晶闸管反向击穿。这就是关断过电压（换相过电压）。数值可达工作电压的5~6倍。保护措施：在晶闸管两端并接阻容吸收电路。2．交流侧过电压及其保护由于交流侧电路在接通或断开时出现暂态过程，会产生操作过电压。高压合闸的瞬间，由于初次级之间存在分布电容，初级高压经电容耦合到次级，出现瞬时过电压。淄博正高电气产品适用范围广，产品规格齐全，欢迎咨询。广西小功率晶闸管移相调压模块价格
可控硅从外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三种）。螺旋式的应用较多。可控硅有三个电极----阳极（A）阴极（C）和控制极（G）。它有管芯是P型导体和N型导体交迭组成的四层结构，共有三个PN结。其结构示意图和符号。从图表-26中可以看到，可控硅和只有一个PN结的硅整流二极度管在结构上迥然不同。可控硅的四层结构和控制极的引用，为其发挥“以小控大”的优异控制特性奠定了基础。在应用可控硅时，只要在控制极加上很小的电流或电压，就能控制很大的阳极电流或电压。目前已能制造出电流容量达几百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。可控硅为什么其有“以小控大”的可控性呢？下面我们用图表-27来简单分析可控硅的工作原理。首先，我们可以把从阴极向上数的、二、三层看面是一只NPN型号晶体管，而二、三四层组成另一只PNP型晶体管。对可控硅来说，触发信号加入控制极，可控硅立即导通。导通的时间主要决定于可控硅的性能。可控硅一经触发导通后，由于循环反馈的原因，流入BG1基极的电流已不只是初始的Ib1，而是经过BG1、BG2放大后的电流（β1*β2*Ib1）这一电流远大于Ib1，足以保持BG1的持续导通。广西小功率晶闸管移相调压模块价格淄博正高电气锐意进取，持续创新为各行各业提供专业化服务。
可控硅这一晶体管元件，在上个世纪七十年代，就已得到了的应用，主要用于大功率的整流和逆变设备，所承受的电流从一安培到一千安培，耐压值由一百伏到一千五百伏，二千五百伏，关断速度快的只有五微秒。它的特点是由较小的电流和较低的电压去控制较大电流和较高的电压，实际上他也就是一个无触点开关。这可控硅实际上就是一只二极管，只不过比二极管多了一个控制极，由控制极控制可控硅的通断。大功率的可控硅，电流在200安培以上这通常采用强制性冷却，冷却的方式有风冷水冷，和油冷，但是由于风冷不那么理想，油冷其费用较高，都不宜采用。因而普遍采用水冷的方式，给可控硅降温，但对水质的要求比较高，其ph值小于或等于8，否则碱性过高，容易使水的通道结洉，酸度过高容易腐蚀冷却器材。冷却跟不上，极容易造成热量的集中，而造成可控硅工作温度较高而击穿。可控硅这种电子元件，它是一个故障性较高的元件。它的主要故障是阴阳极间击穿，控制极与阳极击穿，控制即失效，不能控制可控硅的通断，耐压值下降，造成软击穿现象。我们判断他的方式，只需一只万用表，或者九伏以上的直流电源，外加一指示灯。如若可控硅阴阳极击穿，控制极未加信号，其电阻值就是零。
压接式和焊接式可控硅模块有哪些区别？可控硅模块属于一种使用模块封装形式，拥有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，这种可控硅模块的体积非常的小，结构也十分的紧凑，对于维修与安装都有很大的作用，可控硅模块的类型非常的多，比方说压接式可控硅模块、焊接式可控硅模块等，很多人不是很清楚两者之间的差异，下面详细的进行区分一下。①从电流方面来讲，焊接式可控硅模块可以做到160A电流，同时压接式模块的电流就能够达到1200A，这就是讲低于160A的模块，不只是有焊接式的，同时也有压接式的。可控硅模块②从外形方面来讲，焊接式的可控硅模块远远没有压接式的外形比较好，压接式的属于一体成型，技术十分的标准，焊接式的局部地区可能有焊接的痕迹，但是在使用的时候是没有任何的影响的。③众所周知，压接式可控硅模块的市场占有率是非常大的，有不少的公司都会使用压接式可控硅模块，这其中的原因可能使由于其外形十分的美观，除此之外从价格方面来讲，焊接式可控硅模块的成本远远要比压接式可控硅模块的成本低。淄博正高电气以快的速度提供好的产品质量和好的价格及完善的售后服务。
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可控硅模块的作用主要体验在电路中，在电路中经常会见到可控硅模块的身影，由此可见它的应用是多么的强大，可控硅模块的其中一个作用就是触发电路，但是触发电路时需要满足三个必定条件，下面正高电气带您来看看这三个条件是什么？一、可控硅模块触发电路的触发脉冲信号应有足够的功率和宽度为了使全部的元件在各种可能的工作条件下均能可靠的触发，可控硅模块触发电路所送出的触发电压和电流，必须大于元件门极规定的触发电压UGT与触发电流IGT的较大值，并且留有足够的余量。另外，由于可控硅的触发是有一个过程的，也就是可控硅触发电路的导通需要一定的时间，不是一触即通，只有当可控硅的阳极电流即主回路电流上升到可控硅的擎住电流IL以上时，管子才能导通，所以触发脉冲信号应有一定的宽度才能保证被触发的可控硅可靠导通。例如：一般可控硅的导通时间在6μs左右，故触发脉冲的宽度至少在6μs以上，一般取20～50μs，对于大电感负载，由于电流上升较慢，触发脉冲宽度还应加大，否则脉冲终止时主回路电流还未上升到可控硅的擎任电流以上，则可控硅又重新关断，所以脉冲宽度下应小于300μs，通常取1ms，相当广50Hz正弦波的18°电角度。广西小功率晶闸管移相调压模块价格
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