由于晶闸管在导通期间，载流子充满元件内部，在关断过程中，管子在反向作用下，正向电流下降到零时，元件内部残存着载流子。这些载流子在反向电压作用下瞬时出现较大的反向电流，使残存的载流子迅速消失，这时反向电流减小即diG/dt极大，产生的感应电势很大，这个电势与电源串联，反向加在已恢复阻断的元件上，可导致晶闸管反向击穿。这就是关断过电压（换相过电压）。数值可达工作电压的5~6倍。保护措施：在晶闸管两端并接阻容吸收电路。2．交流侧过电压及其保护由于交流侧电路在接通或断开时出现暂态过程，会产生操作过电压。高压合闸的瞬间，由于初次级之间存在分布电容，初级高压经电容耦合到次级，出现瞬时过电压。措施：在三相变压器次级星形中点与地之间并联适当电容，就可以减小这种过电压。与整流器并联的其它负载切断时，因电源回路电感产生感应电势的过电压。变压器空载且电源电压过零时，初级拉闸，因变压器激磁电流的突变，在次级感生出很高的瞬时电压，这种电压尖峰值可达工作电压的6倍以上。交流电网遭雷击或电网侵入干扰过电压，即偶发性浪涌电压，都必须加阻容吸收路进行保护。3．直流侧过电压及保护当负载断开时或快熔断时。淄博正高电气以快的速度提供好的产品质量和好的价格及完善的售后服务。辽宁整流可控硅调压模块厂家
4：光控电子开关光控电子开关，它的“开”和“关”是靠可控硅的导通和阻断来实现的，而可控硅的导通和阻断又是受自然光的亮度（或人为亮度）的大小所控制的。该装置适合作为街道、宿舍走廊或其它公共场所照明灯，起到日熄夜亮的控制作用，以节约用电。工作原理：电路如上图所示，220V交流电通过灯泡H及整流全桥后，变成直流脉动电压，作为正向偏压，加在可控硅VS及R支路上。白天，亮度大于一定程度时，光敏二极管D呈现底阻状态≤1KΩ，使三极管V截止，其发射极无电流输出，单向可控硅VS因无触发电流而阻断。此时流过灯泡H的电流≤，灯泡H不能发光。电阻R1和稳压二极管DW使三极管V偏压不超过，对三极管起保护作用。夜晚，亮度小于一定程度时，光敏二极管D呈现高阻状态≥100KΩ，使三极管V正向导通，发射极约有，使可控硅VS触发导通，灯泡H发光。RP是清晨或傍晚实现开关转换的亮度选择元件。安装与调试：安装时，将装焊好的印制板放入透明塑料盒内并固定好，将它与受控电灯H串联，并让它正对着天幕或房子采光窗前较明亮的空间，避免3米以内夜间灯光的直接照射。调试宜傍晚时进行，调节RP阻值的大小，使受控电灯H在适当的亮度下始点亮。5：自动延时照明开关夜晚离开房间。重庆双向可控硅调压模块分类淄博正高电气是多层次的模式与管理模式。
鉴别可控硅三个极的方法很简单，根据P-N结的原理，只要用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以。阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上，阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上（它们之间有两个P-N结，而且方向相反，因此阳极和控制极正反向都不通）。控制极与阴极之间是一个P-N结，因此它的正向电阻大约在几欧-几百欧的范围，反向电阻比正向电阻要大。可是控制极二极管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻断状态的，可以有比较大的电流通过，因此，有时测得控制极反向电阻比较小，并不能说明控制极特性不好。另外，在测量控制极正反向电阻时，万用表应放在R*10或R*1挡，防止电压过高控制极反向击穿。若测得元件阴阳极正反向已短路，或阳极与控制极短路，或控制极与阴极反向短路，或控制极与阴极断路，说明元件已损坏。可控硅是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。实际上，可控硅的功用不只是整流，它还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路，实现将直流电变成交流电的逆变，将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电，等等。可控硅和其它半导体器件一样，其有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。
且随着管子正向阳极电压升高而增大。当阳极电压升到足够大时，会使晶闸管导通，称为正向转折或“硬开通”。多次硬开通会损坏管子。2．晶闸管加上正向阳极电压后，还必须加上触发电压，并产生足够的触发电流，才能使晶闸管从阻断转为导通。触发电流不够时，管子不会导通，但此时正向漏电流随着增大而增大。晶闸管只能稳定工作在关断和导通两个状态，没有中间状态，具有双稳开关特性。是一种理想的无触点功率开关元件。3．晶闸管一旦触发导通，门极完全失去控制作用。要关断晶闸管，必须使阳极电流《维持电流，对于电阻负载，只要使管子阳极电压降为零即可。为了保证晶闸管可靠迅速关断，通常在管子阳极电压互降为零后，加上一定时间的反向电压。晶闸管主要特性参数1．正反向重复峰值电压——额定电压（VDRM、VRRM取其小者）2．额定通态平均电流IT（AV）——额定电流（正弦半波平均值）3．门极触发电流IGT，门极触发电压UGT，（受温度变化）4．通态平均电压UT（AV）即管压降5．维持电流IH与掣住电流IL6．开通与关断时间晶闸管合格证基本参数晶闸管关断过电压（换流过电压、空穴积蓄效应过电压）及保护晶闸管从导通到阻断。线路电感（主要是变压器漏感LB）释放能量产生过电压。淄博正高电气始终坚持以人为本，恪守质量为金，同建雄绩伟业。
六)晶闸管正向平均电压降VF正向平均电压降VF也称通态平均电压或通态压降VT，是指在规定环境温度和标准散热条件下，当通过晶闸管的电流为额定电流时，其阳极A与阴极K之间电压降的平均值，通常为。(七)晶闸管门极触发电压VGT门极触发VGT，是指在规定的环境温度和晶闸管阳极与阴极之间为一定值正向电压的条件下，使晶闸管从阻断状态转变为导通状态所需要的小门极直流电压，一般为。(八)晶闸管门极触发电流IGT门极触发电流IGT，是指在规定环境温度和晶闸管阳极与阴极之间为一定值电压的条件下，使晶闸管从阻断状态转变为导通状态所需要的小门极直流电流。(九)晶闸管门极反向电压门极反向电压是指晶闸管门极上所加的额定电压，一般不超过10V。(十)晶闸管维持电流IH维持电流IH是指维持晶闸管导通的小电流。当正向电流小于IH时，导通的晶闸管会自动关断。(十一)晶闸管断态重复峰值电流IDR断态重复峰值电流IDR，是指晶闸管在断态下的正向大平均漏电电流值，一般小于100μA(十二)晶闸管反向重复峰值电流IRRM反向重复峰值电流IRRM，是指晶闸管在关断状态下的反向大漏电电流值，一般小于100μA。淄博正高电气累积点滴改进，迈向优良品质！北京单向可控硅调压模块供应商
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可控硅模块的控制方法我们都知道，可控硅模块在电子电气行业中非常受欢迎，它是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，可控硅模块的的应用范围十分的广大。可控硅模块众所周知，任何的设备只有正确操作才能发挥它应有的作用，可控硅模块在使用的时候一定要进行有效的控制才能发挥良好的运行性能。下面，就让正高的小编来给您讲讲控制可控硅模块的有效方法。1可控硅模块控制方法：经过输入模块控制接口一个可调的电压或者电流信号，通过调整该信号的大小即可对模块的输出电压大小进行平滑调节，实现模块输出电压从0V至任一点或全部导通的过程，电压或者是电流信号可取自各种控制仪表、计算机D/A输出，电位器直接从直流电源分压等各种方法；控制信号采用0-5V，0-10V，4-20mA三大类十分常见的控制方式。2可控硅模块控制端口和控制线：模块控制端接口有5脚、9脚以及15脚三大类，对应5芯、9芯以及15芯的控制线，使用电压信号的产品只只使用前面五脚端口，别的是空脚，使用电流信号的9脚是信号输入，控制线的屏蔽层铜线要焊接到直流电源地线上，连接的时候不能和别的端子短路，防止不可以正常工作或者是可能烧坏可控硅模块。辽宁整流可控硅调压模块厂家
淄博正高电气有限公司坐落于交通便利、经济发达、文化底蕴深厚的淄博市临淄区，是专业从事电力电子产品、及其相关产品的开发、生产、销售及服务为一体的高科技企业。主要生产各类规格型号的晶闸管智能模块、固态继电器模块、桥臂模块、整流桥模块、各类控制柜和配套模块使用的触发板、控制板等产品，并可根据用户需求进行产品设计加工。近年来，本公司坚持以人为本，始终立足于科技的前沿，狠抓产品质量，产品销往全国各地，深受用户的好评。 淄博正高电气有限公司伴随着发展的脚步，在社会各界及客户的大力支持下，生机勃发，春意盎然。面向未来，前程似锦，豪情满怀。今后，我们将进一步优化产品品质，坚持科技创新，一切为用户着想，以前列的服务为社会奉献高、精、尖的优良产品，不断改进、不断提高是我们不变的追求，用户满意是我们追求的方向。正高电气全体员工恭候各界朋友前来我公司参观指导，恰谈业务！
