可控硅调压模块基本参数
  • 产地
  • 山东淄博
  • 品牌
  • 正高电气
  • 型号
  • 齐全
  • 是否定制
可控硅调压模块企业商机

也可用于控制电热毯、小功率电暖器等家用电器。电路图温度控制器电路如图工作原理220V交流电压经Cl降压、VD,和VD。整流、C2滤波及VS稳压后,一路作为IC(TL431型三端稳压集成电路)的输入直流电压;另一路经RT、R3和RP分压后,为IC提供控制电压。在被测温度低于RP的设定温度时,NTC502型负温度系数热敏电阻器Rr的电阻值较大,IC的控制电压高于其开启电压,IC导通,使LED点亮,VS受触发而导通,电热器EH通电开始加热。随着温度的不断上升,Rr的电阻值逐渐减小,同时IC的控制电压也随之下降。当被测温度高于设定温度时,IC截止,使LED熄灭,VS关断,EH断电而停止加热。随后温度又开始缓慢下降,当被测温度低于设定温度时,IC又导通,EH又开始通电加热。如此循环不止,将被测温度控制在设定的范围内。可控硅调压器电路图(四)一般书刊介绍的大功率可控硅触发电路都比较复杂,而且有些元件难以购买。笔者只花几元钱制作的触发电路已成功触发100A以上的可控硅模块,用于工业淬火炉上调节380V电压,又装一套用于大功率鼓风机作无级调速用,效果非常好。本电路也可用作调节220V交流供电的用电器。将两只单向可控硅SCRl、SCR2反向并联.再将控制板与本触发电路连接。淄博正高电气永远是您身边的行业**!重庆整流可控硅调压模块组件

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并不能说明控制极特性不好。因此,两个互相复合的晶体管电路,当有足够的门机电流Ig流入时,就会形成强烈的正反馈,造成两晶体管饱和导通,晶体管饱和导通。对过压保护可采用两种措施:在中频电源的主电路中,瞬时反相电压是靠阻容吸收来吸收的。如果吸收电路中电阻、电容开路均会使瞬时反相电压过高烧坏可控硅。用万用表电阻档测量晶闸管有无击穿。在断电的情况下用东台表测量吸收电阻阻值、吸收电容容量,判断是否阻容吸收回路出现故障。在设备运行时如果突然丢失触发脉冲,将造成逆变开路,中频电源输出端产生高压,烧坏可控硅元件。原因及处理方法:(1)整流触发脉冲缺失。这种故障一般是逆变脉冲形成、输出电路故障,可用示波器进行检查,也可能是逆变脉冲引线接触不良,可用手摇晃导线接头,找出故障位置。贵州双向可控硅调压模块供应商淄博正高电气尊崇团结、信誉、勤奋。

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可控硅从外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三种,螺旋式的应用较多。可控硅有三个电极---阳极(A)阴极(C)和控制极(G)。它有管芯是P型导体和N型导体交迭组成的四层结构,共有三个PN结。可控硅和只有一个PN结的硅整流二极度管在结构上迥然不同。可控硅的四层结构和控制极的引用,为其发挥“以小控大”的优异控制特性奠定了基础。在应用可控硅时,只要在控制极加上很小的电流或电压,就能控制很大的阳极电流或电压。目前已能制造出电流容量达几百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。可控硅为什么其有“以小控大”的可控性呢?下面简单分析可控硅的工作原理。可以把从阴极向上数的、二、三层看面是一只NPN型号晶体管,而二、三四层组成另一只PNP型晶体管。其中第二、第三层为两管交迭共用。当在阳极和阴极之间加上一个正向电压Ea,又在控制极G和阴极C之间(相当BG1的基一射间)输入一个正的触发信号,BG1将产生基极电流Ib1,经放大,BG1将有一个放大了β1倍的集电极电流IC1。因为BG1集电极与BG2基极相连,IC1又是BG2的基极电流Ib2。

将焊接好的电路板装进合适的塑料肥皂盒或原调速器盒中,将原分线器开关拆除不用,留出空余位置便于安装印制板电路。一般风扇用电抗器均采取5挡。不妨利用其中①、③、⑤挡,将强风(第1挡)、中风(第2挡)弱风(第3挡)分别接到电抗器的各挡中。若有的调速器中无电抗器,风扇电机则是采取抽头方式改变风速的,同样将三种风速分别接至分线器的三极引线中。在改装中特别要注意安全,印制板上220V交流电源接线端及所有导电部位应与调整器盒的金属件严格隔离。改装完毕,可用测电笔碰触调速器有否漏电。否则应进一步采取绝缘措施。通电试验时,用万用表DC10V档测C2两端电压应为5V-6V之间,若不正常,应重点检查整流稳压电路,然后再分别按动SB1-SB4开关,观察各路指示管VD1-VD8应按对应的选择功能发光或熄灭,风扇也应同步工作于不同状态。淄博正高电气重信誉、守合同,严把产品质量关,热诚欢迎广大用户前来咨询考察,洽谈业务!

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可控硅模块属于一种使用模块封装形式,拥有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件,这种可控硅模块的体积非常的小,结构也十分的紧凑,对于维修与安装都有很大的作用,可控硅模块的类型非常的多,比方说压接式可控硅模块、焊接式可控硅模块等,很多人不是很清楚两者之间的差异,下面详细的进行区分一下。①从电流方面来讲,焊接式可控硅模块可以做到160A电流,同时压接式模块的电流就能够达到1200A,这就是讲低于160A的模块,不只是有焊接式的,同时也有压接式的。可控硅模块②从外形方面来讲,焊接式的可控硅模块远远没有压接式的外形比较好,压接式的属于一体成型,技术十分的标准,焊接式的局部地区可能有焊接的痕迹,但是在使用的时候是没有任何的影响的。③众所周知,压接式可控硅模块的市场占有率是非常大的,有不少的公司都会使用压接式可控硅模块,这其中的原因可能使由于其外形十分的美观,除此之外从价格方面来讲,焊接式可控硅模块的成本远远要比压接式可控硅模块的成本低。淄博正高电气有限公司是专门从事电力电子产品及其相关产品开发、生产、销售及服务为一体的科技型企业。公司主要生产各类规格型号的晶闸管智能模块、稳流、稳压模块、多功能触发板、控制板。淄博正高电气展望未来,信心百倍,追求高远。重庆整流可控硅调压模块组件

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可控硅可控硅简称SCR,是一种大功率电器元件,也称晶闸管。它具有体积小、效率高、寿命长等优点。在自动控制系统中,可作为大功率驱动器件,实现用小功率控件控制大功率设备。它在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统中得到了的应用。可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种。双向可控硅也叫三端双向可控硅,简称TRIAC。双向可控硅在结构上相当于两个单向可控硅反向连接,这种可控硅具有双向导通功能。其通断状态由控制极G决定。在控制极G上加正脉冲(或负脉冲)可使其正向(或反向)导通。这种装置的优点是控制电路简单,没有反向耐压问题,因此特别适合做交流无触点开关使用。IGBTIGBT绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。IGBT非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。晶闸管等元件通过整流来实现。重庆整流可控硅调压模块组件

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