企业商机
二极管基本参数
  • 产地
  • 上海
  • 品牌
  • 藤谷
  • 型号
  • 齐全
  • 是否定制
二极管企业商机

本发明实施例通过在n型ge层淀积氮化硅层产生压应力从而使n型ge层内产生压应力,n型ge层内通过施加压应力引起能带结构的调制,反映在能带图上就是导带底的曲率发生改变,即改变了导带电子的有效质量,引起各散射机制中散射概率的改变,进而提高了n型ge层内的电子迁移率。进一步地,将ge层中引入应力的方式还有通过掺杂和热失配等,与通过掺杂和热失配等引入应变的方式相比而言,氮化硅层致ge层应变的工艺更加简单,且不会因为晶格失配产生大量缺陷,故而能够得到质量更好的压应变ge层,因此可以提高制备的肖特基二极管器件的性能。具体地,在ge层002中的应力大小与压应力层003的制备条件相关,具体地,其他工艺条件不变的情况下,压应力层003反应温度越高,压应力层003使ge层002中的产生的应力越大,且呈一定的线性关系。在其他工艺条件不变的情况下,压应力层003使ge层002中的产生的应力越小。在其他工艺条件不变的情况下,低频功率越大,形成压应力层003使ge层002中的产生的应力越大。设fwg为氮化硅层使所述ge层002中产生的压应力大小,则fwg和温度tp的关系满足:fwg=×fwg的单位为pa,twg的单位为摄氏度。具体地,在其他工艺条件不变的情况下,压强越高。上海藤谷电子科技有限公司为您提供二极管,有想法的不要错过哦!内蒙古二极管二极管价目

为了保障可靠性,还会降额设计。3.什么是二极管的正向冲击电流?开关电源在开机或者其他瞬态情况下,需要二极管能够承受很大的冲击电流而不坏,当然这种冲击电流应该是不重复性,或者间隔时间很长的。通常二极管的数据手册都有定义这个冲击电流,其测试条件往往是单个波形的冲击电流,比如单个正弦波,或者方波。其电流值往往可达几百。4.什么是二极管的正向导通压降?二极管在正向导通,流过电流的时候会产生压降。这个压降和正向电流以及温度有关。通常硅二极管,电流越大,压降越大。温度越高,压降越小。但是碳化硅二极管却是温度越高,压降越大。5.什么是二极管的反向漏电流?二极管在反向截止的时候,并不是完全理想的截止。在承受反压得时候,会有些微小的电流从阴极漏到阳极。这个电流通常很小,而且反压越高,漏电流越大,温度越高,漏电流越的漏电流会带来较大的损耗,特别在高压应用场合。6.什么是二极管的反向恢复时间和反向恢复电流?这个是二极管的重要指标,所谓的快恢复,慢恢复二极管就是以此为标准。二极管在从正偏转换到反偏的时候,会出现较大的反向恢复电流从阴极流向阳极,其反向电流先上升到峰值,然后下降到零。四川品质二极管价格便宜二极管,就选上海藤谷电子科技有限公司,让您满意,期待您的光临!

13.什么是碳化硅二极管?通常大家所用的基本都是以硅为原料的二极管,但是近比较热门的碳化硅二极管是用碳化硅为原料的二极管。目前常见的多为高压的肖特基碳化硅二极管,其优点:反向恢复特性很好,媲美肖特基硅二极管。但是可以做高压的二极管。在PFC中已有较多应用。缺点:正向导通压降比较大。还有一点与硅二极管不同的是其导通压降随温度上升反而增大。早期的碳化硅二极管,还有可承受冲击电流小,可靠性不高等缺点。但是目前已有很大改善。14.什么是砷化镓二极管?说实话,我听说砷化镓材料早于碳化硅,但是后来就较少听说了。目前砷化镓在LED上似乎有些应用,但是功率器件上却还比较少。15.二极管适合并联么?理论上来说硅二极管,由于导通压降随温度上升而下降,所以是不适合并联的,但是现在很多二极管会把两个单管封装在一起,这样温升相对均匀,给并联带来好处。但是碳化硅是的压降是随温度上升而上升,理论上是适合并联的。

所述ge层002、所述压应力层003依次层叠设置于所述衬底层001的表面,所述压应力层003设置有电极孔,所述金属电极a1设置于所述ge层002上所述电极孔中,所述第二金属电极a2设置于所述衬底层001与所述表面相对设置的第二表面。所述衬底层001为锗衬底层,具体地,可以为n型掺杂浓度为1020cm-3的n型单晶锗(ge)。需要说明的是,作为衬底材料,ge材料相对于si材料来说,在ge衬底上生长ge层比si上生长ge层更容易得到高质量ge层。所述ge层002为n型ge层,掺杂浓度为×1014~2×1014cm-3,厚度为形成700~800nm。需要说明的是,n型ge外延层的厚度如果低于700nm制作的肖特基二极管器件如果应用于无线充电和无线传输系统极易发生击穿,同时为了器件整体性能和体积考虑n型ge外延层的厚度也不易太厚,因为,为了降低器件的厚度,且制作的肖特基二极管用于无线充电后的器件性能考虑,将n型ge外延层的厚度设置为700~800nm。所述压应力层003为氮化硅层,所述压应力层003使所述ge层002产生压应力。需要说明的是,所述压应力层003也可以是sin、si3n4等能产生压应力的半导体层,此处不做过多限制。地,所述氮化硅层为压应力si3n4膜。需要说明的是。二极管,就选上海藤谷电子科技有限公司,让您满意,有想法可以来我司咨询!

还是快管?RCD电路常用于一些需要钳位的场合,比如flyback原边MOS的电压钳位,次级整流管的电压钳位。有些技术文献说应该用慢恢复管,理由是慢恢复管由于其反向恢复时间比较长,这样钳位电容中的一部分能量会在二极管反向恢复过程中回馈给电路,这样整个RCD电路的损耗可以降低。不过这个只适合小电流,低di/dt的场合。比如小功率flyback的原边钳位电路。但是不适合大电流,高di/dt的钳位场合,比如大电流输出的电源的次级钳位电路。因为,慢恢复管在导通的时候会产生很高导通压降尖峰,导致虽然钳位电容上的电压很低,但是却没法钳住尖峰电压。所以应该选择肖特基二极管之类。12.什么是肖特基二极管?肖特基二极管是一种利用肖特基势垒工艺的二极管,和普通的PN结二极管相比,其优点:更快的反向恢复时间,很多称之为0反向恢复时间。虽然并不是真的0反向恢复时间,但是相对普通二极管要快非常多。其缺点:反向漏电流比较大,所以没法做成高压的二极管。目前的肖特基二极管,基本都是200V以下的。虽然有些公司可以提供高压的肖特基硅二极管,但是也是将几个二极管串联之后封装在一起。当然也有公司称有独特的工艺,可以制造高压肖特基二极管,但并不知晓是什么样的工艺。上海藤谷电子科技有限公司致力于提供二极管,有需求可以来电咨询!天津二极管二极管均价

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用两个半桥可组成一个桥式整流电路,一个半桥也可以组成变压器带中心抽头的全波整流电路;在整流桥的每个工作周期内,同一时间只有两个肖特基二极管进行工作,通过肖特基二极管的单向导通功能,把交流电转换成单向的直流脉动电压。2、肖特基二极管的作用及其接法-开关肖特基二极管在正向电压作用下电阻很小,处于导通状态,相当于一只接通的开关;在反向电压作用下,电阻很大,处于截止状态,如同一只断开的开关。利用肖特基二极管的开关特性,可以组成各种逻辑电路。由于肖特基二极管具有单向导电的特性,在正偏压下PN结导通,在导通状态下的电阻很小,约为几十至几百欧;在反向偏压下,则呈截止状态,其电阻很大,一般硅肖特基二极管在10ΜΩ以上,锗管也有几十千欧至几百千欧。利用这一特性,肖特基二极管将在电路中起到控制电流接通或关断的作用,成为一个理想的电子开关。基本的开关电路如图所示,在这个电路中,肖特基二极管的两端分别通过电阻连接到Vcc和GND上,肖特基二极管处于反向偏置的状态,不会导通。通过C1点施加的交流电压就无法通过肖特基二极管,在C2后无法检测到交流成分。在这张图中,肖特基二极管的接法与上图相反。内蒙古二极管二极管价目

上海藤谷电子科技有限公司总部位于淞滨路500号6幢D397室,是一家上海藤谷电子科技有限公司,位于上海市宝山区,依托**科研院所,从事半导体集成电路设计开发,电子元器件,功率器件相关芯片,陶瓷覆铜板的研发与应用,以及相关半导体设备,材料的技术支持,销售。公司秉承“以创新求发展,以质量求生存,以诚信至上为宗旨”,将以严谨、务实的管理,创新、开拓的风貌,竭诚为各方客户服务。 的公司。公司自创立以来,投身于功率器件芯片,IGBT器件模块,trench MOS器件,功率二极管,是电子元器件的主力军。上海藤谷电子科技致力于把技术上的创新展现成对用户产品上的贴心,为用户带来良好体验。上海藤谷电子科技创始人谷健,始终关注客户,创新科技,竭诚为客户提供良好的服务。

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