本发明要解决的技术问题通过以下技术方案实现:本发明实施例提供了一种用于整流电路的肖特基二极管,包括:衬底层001、ge层002、压应力层003、金属电极a1、第二金属电极a2,其中,所述ge层002、所述氮化硅层依次层叠设置于所述衬底层001的表面,所述压应力层003设置有电极孔,所述金属电极a1设置于所述ge层002上且设置于所述电极孔中,所述第二金属电极a2设置于所述衬底层001与所述表面相对设置的第二表面。在本发明的一个实施例中,所述ge层002为n型ge层,掺杂浓度为×1014~2×1014cm-3。在本发明的一个实施例中,所述压应力层003为氮化硅层。在本发明的一个实施例中,所述氮化硅层为si3n4膜。在本发明的一个实施例中,所述压应力层003使所述ge层002内产生压应力,所述ge层002中的压应力的大小与制备所述压应力层003的反应温度相关,其中,所述反应温度越高,所述ge层002中的压应力越大。在本发明的一个实施例中,所述ge层002的厚度为700~800nm。在本发明的一个实施例中,所述衬底层001为n型单晶ge层。在本发明的一个实施例中,所述金属电极a1为钨电极。在本发明的一个实施例中,所述电极孔贯穿所述压应力层003且设置于所述压应力层003中部。上海藤谷电子科技有限公司是一家专业提供二极管的公司,期待您的光临!福建现代二极管价目
一些较大值的功率二极管被设计为“螺柱安装”在散热器上,从而将其热阻降低至oC/Watt。如果在功率二极管上施加交流电压,则在正半周期间,二极管将传导通过的电流,而在负半周期间,二极管将不会传导,从而阻止电流流动。然后,通过功率二极管的导通在正半周期内发生,因此是单向的,即如图所示为DC。功率二极管整流器功率二极管可如上所述单独使用或连接在一起以产生各种整流器电路,例如“半波”,“全波”或“桥式整流器”。每种类型的整流器电路都可以分为非控制型,半控制型或完全控制型,其中非控制型整流器使用功率二极管,完全控制型整流器使用晶闸管(SCR),而半控制型整流器则是二极管和晶闸管的混合体。基本电子应用中常用的单个功率二极管是通用1N400x系列玻璃钝化型整流二极管,其标准额定连续正向整流电流约为,反向阻断电压额定值从1N4001的50v到1N4007的1000v小型1N4007GP是通用电源电压整流器中很受欢迎的产品。半波整流整流器是其转换电路交流(AC)输入功率转换成一个直流(DC)输出功率。输入电源可以是单相或多相电源,所有整流器电路中简单的是半波整流器。半波整流器电路中的功率二极管使交流电源的每个完整正弦波的一半通过。海南模拟二极管价格便宜上海藤谷电子科技有限公司致力于提供二极管,有需要可以联系我司哦!
主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。面接触型晶体二极管比较适用于大电流开关。平面型二极管平面型二极管是一种特制的硅二极管,得名于半导体表面被制作得平整。初,对于被使用的半导体材料是采用外延法形成的,故又把平面型称为外延平面型。在半导体单晶片(主要地是N型硅单晶片)上,扩散P型杂质,利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用,在N型硅单晶片上选择性地扩散一部分而形成的PN结。因PN结合的表面被氧化膜覆盖,稳定性好和寿命长。它不能通过较大的电流,而且性能稳定可靠,多用于开关、脉冲及高频电路中。晶体二极管主要特性二极管的伏安特性曲线如下:外加电压Uw方向为P→N时,Uw大于起动电压,二极管导通;外加电压Uw方向为N→P时,Uw大于反向击穿电压,二极管击穿。晶体二极管性能参数比较大整流电流Idm:二极管连续工作允许通过的比较大正向电流;电流过大,二极管会因过热烧毁;大电流整流可加装散热片。比较大反向电压Urm:Urm一般小于反向击穿电压,选规格以Urm为准,并留有余量;过电压易损坏二极管。反向饱和电流Is:二极管外加反向电压时的电流值;Is反向击穿前很小,变化也很小;Is会随温度的升高而升高,一般地,常温下硅管Is<1μA。
即便环境中存在水汽,水汽在侵入时也会聚集在防水凹槽,不会进入到肖特基结,确保肖特基二极管不会失效。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,应当理解,以下附图示出了本申请的某些实施例,因此不应被看作是对范围的限定,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他相关的附图。图1为本申请实施例提供的一种肖特基二极管的结构示意图之一;图2为本申请实施例提供的一种肖特基二极管的结构示意图之二;图3为本申请实施例提供的制造图1中肖特基二极管的方法流程示意图;图4a-图4f为本申请实施例提供的制造图1中肖特基二极管的制造工艺示意图;具体实施方式下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例是本申请的一部分实施例,而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围,而是表示本申请的选定实施例。基于本申请的实施例。上海藤谷电子科技有限公司是一家专业提供二极管的公司,欢迎新老客户来电!
本发明属于无线传输技术领域,具体涉及一种用于整流电路的肖特基二极管。背景技术:整流电路是无线传输接收端整流天线的一个重要组成部分,同时也是决定整流天线整流效率的重要的一个因素。整流电路中重要的组成部分为整流二极管,它也是决定整流效率的重要因素。常用的整流二极管为肖特基二极管,肖特基二极管使采用金属和半导体接触形成的金属-半导体结原理制成,其功耗低、电流大,反向恢复时间极短,正向导通电压低,使其成为中、小功率的整流二极管。整肖特基二极管即整流天线内的肖特基二极管的性能,决定着无线传输系统中的比较高转换效率的大小。现有技术中对肖特基二极管如何提高电子迁移率的研究稀少,且制在通过对肖特基二极管的结构采用特殊设计以提高电子迁移率的研究上,该种方法通常制备的肖特基二极管器件结构复杂,元件封装结构、互连复杂。如何提高肖特基二极管的电子迁移率且制备的肖特基二极管结构简单以提高整流电路的转换效率具有研究的必要。技术实现要素:为了解决现有技术中存在的上述问题,本发明提供了一种用于整流电路的肖特基二极管及整流电路。二极管,就选上海藤谷电子科技有限公司。西藏标准二极管制品价格
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5+)的半导体。由P型半导体和N型半导体相接触时,就产生一个独特的PN结界面,在界面的两侧形成空间电荷层,构成自建电场。当外加电压等于零时,由于PN结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态,这也是常态下的PN结。以PN结为结构,加上引线或引脚形成单向导电的二极管。当外加电压方向由P极指向N极时,导通。晶体二极管分类晶体二极管可按材料不同和PN结结构不同,进行分类。01点接触型二极管点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后,再通过电流法而形成的。其PN结的静电容量小,适用于高频电路。因为构造简单,所以价格便宜。对于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一般用途而言,它是应用范围较广的类型。与面结型相比较,点接触型二极管正向特性和反向特性都差,因此不能使用于大电流和整流。制作工艺:将细铝丝的一端接在阳极引线上,另一端压在掺杂过的N型半导体上。加上电压后,细铝丝在接触点处融化并渗入融化部分的中。这样,接触点实际上是P型半导体,并附着在N型半导体上形成PN结。02面接触型二极管面接触型二极管的“PN结”面积较大,允许通过较大的电流(几安到几十安)。福建现代二极管价目
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