本发明要解决的技术问题通过以下技术方案实现:本发明实施例提供了一种用于整流电路的肖特基二极管,包括:衬底层001、ge层002、压应力层003、金属电极a1、第二金属电极a2,其中,所述ge层002、所述氮化硅层依次层叠设置于所述衬底层001的表面,所述压应力层003设置有电极孔,所述金属电极a1设置于所述ge层002上且设置于所述电极孔中,所述第二金属电极a2设置于所述衬底层001与所述表面相对设置的第二表面。在本发明的一个实施例中,所述ge层002为n型ge层,掺杂浓度为×1014~2×1014cm-3。在本发明的一个实施例中,所述压应力层003为氮化硅层。在本发明的一个实施例中,所述氮化硅层为si3n4膜。在本发明的一个实施例中,所述压应力层003使所述ge层002内产生压应力,所述ge层002中的压应力的大小与制备所述压应力层003的反应温度相关,其中,所述反应温度越高,所述ge层002中的压应力越大。在本发明的一个实施例中,所述ge层002的厚度为700~800nm。在本发明的一个实施例中,所述衬底层001为n型单晶ge层。在本发明的一个实施例中,所述金属电极a1为钨电极。在本发明的一个实施例中,所述电极孔贯穿所述压应力层003且设置于所述压应力层003中部。上海藤谷电子科技有限公司是一家专业提供二极管的公司,欢迎您的来电哦!二极管二极管价格便宜
击穿电压V(BR)器件在发生击穿的区域内,在规定的试验电流I(BR)下,测得器件两端的电压称为击穿电压,在此区域内,二极管成为低阻抗的通路。2.比较大反向脉冲峰值电流IPP在反向工作时,在规定的脉冲条件下,器件允许通过的比较大脉冲峰值电流。IPP与比较大箝位电压Vc(MAX)的乘积,就是瞬态脉冲功率的比较大值。使用时应正确选取TVS,使额定瞬态脉冲功率PPR大于被保护器件或线路可能出现的比较大瞬态浪涌功率。当瞬时脉冲峰值电流出现时,TVS被击穿,并由击穿电压值上升至比较大箝位电压值,随着脉冲电流呈指数下降,箝位电压亦下降,恢复到原来状态。因此,TVS能可能出现的脉冲功率的冲击,从而有效地保护电子线路。峰值电流波形A.正弦半波B.矩形波C.标准波(指数波形)D.三角波TVS峰值电流的试验波形采用标准波(指数波形),由TR/TP决定。峰值电流上升时间TR:电流从10%IPP开始达到90%IPP的时间。半峰值电流时间TP:电流从零开始通过比较大峰值后,下降到。下面列出典型试验波形的TR/TP值:/1000nsB.闪电波:8μs/20μsC.标准波:10μs/1000μs3.比较大反向工作电压VRWM(或变位电压)器件反向工作时,在规定的IR下,器件两端的电压值称为比较大反向工作电压VRWM。通常VRWM=()V(BR)。重庆智能二极管进货价二极管,就选上海藤谷电子科技有限公司,用户的信赖之选,欢迎您的来电!
为了保障可靠性,还会降额设计。3.什么是二极管的正向冲击电流?开关电源在开机或者其他瞬态情况下,需要二极管能够承受很大的冲击电流而不坏,当然这种冲击电流应该是不重复性,或者间隔时间很长的。通常二极管的数据手册都有定义这个冲击电流,其测试条件往往是单个波形的冲击电流,比如单个正弦波,或者方波。其电流值往往可达几百。4.什么是二极管的正向导通压降?二极管在正向导通,流过电流的时候会产生压降。这个压降和正向电流以及温度有关。通常硅二极管,电流越大,压降越大。温度越高,压降越小。但是碳化硅二极管却是温度越高,压降越大。5.什么是二极管的反向漏电流?二极管在反向截止的时候,并不是完全理想的截止。在承受反压得时候,会有些微小的电流从阴极漏到阳极。这个电流通常很小,而且反压越高,漏电流越大,温度越高,漏电流越的漏电流会带来较大的损耗,特别在高压应用场合。6.什么是二极管的反向恢复时间和反向恢复电流?这个是二极管的重要指标,所谓的快恢复,慢恢复二极管就是以此为标准。二极管在从正偏转换到反偏的时候,会出现较大的反向恢复电流从阴极流向阳极,其反向电流先上升到峰值,然后下降到零。
以便将其转换为直流电源。然后将这种类型的电路称为“半波”整流器,因为它通过输入交流电源的一半,如下所示。半波整流电路在交流正弦波的每个“正”半周期内,由于阳极相对于阴极为正,因此二极管正向偏置,导致电流流过二极管。由于直流负载是电阻性的(电阻器R),因此负载电阻器中流动的电流与电压成比例(欧姆定律),因此负载电阻器两端的电压将与电源电压Vs相同(减去Vƒ),即负载两端的“DC”电压为正弦波的个半周期只所以成为Vout=Vs的。在交流正弦输入波形的每个“负”半周期内,由于阳极相对于阴极为负,因此二极管被反向偏置。因此,没有电流流过二极管或电路。然后,在电源的负半周期中,由于没有电压流过负载电阻,因此没有电流流入负载电阻,因此Vout=0。在电路的直流侧的电流在一个方向上使电路中流动的单向。当负载电阻器从二极管接收到波形的正半部分,零伏,波形的正半部分,零伏等时,此不规则电压的值将等于等效的直流电压*Vmax输入正弦波形的正弦波或输入正弦波形的*Vrms。负载电阻两端的等效直流电压VDC计算如下。VDC和电流IDC,流过连接到240Vrms单相半波整流器的100Ω电阻,如上所示。还要计算负载消耗的直流功率。在整流过程中。上海藤谷电子科技有限公司为您提供二极管。
本发明的另一个实施例提供了一种整流电路,包括上述任一实施例所述的用于整流电路的肖特基二极管。与现有技术相比,本发明的有益效果:本发明通过对肖特基二极管的材料进行设计,采用应变ge层作为肖特基接触的半导体层,通过对ge材料的能带结构进行调制,使肖特基二极管具有更高的电子迁移率和能带优势,使用该肖特基二极管制备的整流电路具有更高的转换效率;本发明在ge层上增加通过压应力层施加压应力,工艺简单,且生成的应变ge层不会因为晶格失配产生大量缺陷,因此得到的应变ge层质量更好,因此,肖特基二极管的器件性能也更优;本发明的肖特基二极管结构简单,无需设计复杂的二极管结构,元件的互连结构简单。附图说明图1为本发明实施例提供的一种用于整流电路的肖特基二极管的结构示意图;图2为本发明实施例提供的一种用于整流电路的肖特基二极管的制备工艺的流程示意图;图3a~3h为本发明实施例提供的一种用于整流电路的肖特基二极管的工艺示意图。具体实施方式下面结合具体实施例对本发明做进一步详细的描述,但本发明的实施方式不限于此。实施例一请参见图1,图1为本发明实施例提供的一种用于整流电路的肖特基二极管的结构示意图。二极管,就选上海藤谷电子科技有限公司,用户的信赖之选,有需要可以联系我司哦!四川功率二极管咨询报价
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2020年销量将达到140万辆,2025年突破550万辆。作为与新能源汽车高度相关的互补品,充电桩进一步推动了功率半导体市场的进一步扩大。目前充电桩的功率模块有两种解决方案,一是采用MOSFET芯片,另一种是采用IGBT芯片。其中IGBT适用于1000V以上、350A以上的大功率直流快充,其成本可达充电桩总成本的20-30%;当下基于充电桩功率、工作频率、电压、电流、性价比等综合因素考量,MOSFET暂时成为充电桩的主流应用功率半导体器件,随着技术的发展,IGBT有望成为未来充电桩的器件。2015年11月,工信部等四部委联合印发《电动汽车充电基础设施发展指南》通知,明确到2020年,新增集中式充换电站超过万座,分散式充电桩超过480万个,以满足全国500万辆电动汽车充电需求。据信息产业研究院统计数据,截至2018年4月,中国大陆在运营公共充电桩约为262,058台,同比增长114,472台、直流充电桩81492台、交直流一体充电桩66,094台;另外还投建有281847台私人充电桩,同时国家政策也在向私人充电桩倾斜,按照规划需新建的充电桩超过400万个,市场空间巨大。全球通信领域功率半导体市场规模预测:随着5G时代来临,基站建设与建设通信设备市场规模提升,直接促进了功率半导体行业的繁荣。二极管二极管价格便宜
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