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本发明的另一个实施例提供了一种整流电路，包括上述任一实施例所述的用于整流电路的肖特基二极管。与现有技术相比，本发明的有益效果：本发明通过对肖特基二极管的材料进行设计，采用应变ge层作为肖特基接触的半导体层，通过对ge材料的能带结构进行调制，使肖特基二极管具有更高的电子迁移率和能带优势，使用该肖特基二极管制备的整流电路具有更高的转换效率；本发明在ge层上增加通过压应力层施加压应力，工艺简单，且生成的应变ge层不会因为晶格失配产生大量缺陷，因此得到的应变ge层质量更好，因此，肖特基二极管的器件性能也更优；本发明的肖特基二极管结构简单，无需设计复杂的二极管结构，元件的互连结构简单。附图说明图1为本发明实施例提供的一种用于整流电路的肖特基二极管的结构示意图；图2为本发明实施例提供的一种用于整流电路的肖特基二极管的制备工艺的流程示意图；图3a～3h为本发明实施例提供的一种用于整流电路的肖特基二极管的工艺示意图。具体实施方式下面结合具体实施例对本发明做进一步详细的描述，但本发明的实施方式不限于此。实施例一请参见图1，图1为本发明实施例提供的一种用于整流电路的肖特基二极管的结构示意图。二极管，就选上海藤谷电子科技有限公司，用户的信赖之选，欢迎您的来电！广东数字二极管进货价

淀积的金属和硅形成金属硅化物，形成肖特基结108，再使用王水去除表面未发生反应的多余金属。步骤s305，请参照图4e，在肖特基结108及靠近肖特基结108的氧化层103上制作金属层105，并在衬底101远离外延层102的一侧制作第二金属层106。在本申请实施例中，金属层105覆盖在肖特基结108及半导体环104上，并部分延伸至氧化层103。通常金属层105和第二金属层106可以采用tiniag、tiniau、tinial或tinialag等多层金属。具体地，在制作金属层105，在真空度为3e-6torr、温度为190℃的环境下持续加热45分钟，依次在肖特基结108及靠近肖特基结108的氧化层103上沉积多层金属，制作形成金属层105。蒸发过程真空必须保持高真空状态，避免蒸发金属过程中金属被氧化，导致金属间接触不良。采用相同的工艺在衬底101远离外延层102的一侧制作第二金属层106。步骤s306，请参照图4f，在氧化层103远离肖特基结108的两端进行蚀刻形成防水槽1031。在氧化层103远离肖特基结108两端的表面涂覆光刻胶层。通过带有防水槽图案的掩模对光刻胶层进行光刻，在光刻胶层上刻出防水槽图案。再接着，用腐蚀溶剂进行腐蚀，将防水槽图案转移到氧化层103。，蚀刻防水槽图案对应区域的氧化层103，形成防水槽1031。河南专业二极管规范二极管，就选上海藤谷电子科技有限公司，用户的信赖之选，有需要可以联系我司哦！

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一些较大值的功率二极管被设计为“螺柱安装”在散热器上，从而将其热阻降低至oC/Watt。如果在功率二极管上施加交流电压，则在正半周期间，二极管将传导通过的电流，而在负半周期间，二极管将不会传导，从而阻止电流流动。然后，通过功率二极管的导通在正半周期内发生，因此是单向的，即如图所示为DC。功率二极管整流器功率二极管可如上所述单独使用或连接在一起以产生各种整流器电路，例如“半波”，“全波”或“桥式整流器”。每种类型的整流器电路都可以分为非控制型，半控制型或完全控制型，其中非控制型整流器使用功率二极管，完全控制型整流器使用晶闸管（SCR），而半控制型整流器则是二极管和晶闸管的混合体。基本电子应用中常用的单个功率二极管是通用1N400x系列玻璃钝化型整流二极管，其标准额定连续正向整流电流约为，反向阻断电压额定值从1N4001的50v到1N4007的1000v小型1N4007GP是通用电源电压整流器中很受欢迎的产品。半波整流整流器是其转换电路交流（AC）输入功率转换成一个直流（DC）输出功率。输入电源可以是单相或多相电源，所有整流器电路中简单的是半波整流器。半波整流器电路中的功率二极管使交流电源的每个完整正弦波的一半通过。上海藤谷电子科技有限公司为您提供二极管，有想法的不要错过哦！

本发明实施例通过在n型ge层淀积氮化硅层产生压应力从而使n型ge层内产生压应力，n型ge层内通过施加压应力引起能带结构的调制，反映在能带图上就是导带底的曲率发生改变，即改变了导带电子的有效质量，引起各散射机制中散射概率的改变，进而提高了n型ge层内的电子迁移率。进一步地，将ge层中引入应力的方式还有通过掺杂和热失配等，与通过掺杂和热失配等引入应变的方式相比而言，氮化硅层致ge层应变的工艺更加简单，且不会因为晶格失配产生大量缺陷，故而能够得到质量更好的压应变ge层，因此可以提高制备的肖特基二极管器件的性能。具体地，在ge层002中的应力大小与压应力层003的制备条件相关，具体地，其他工艺条件不变的情况下，压应力层003反应温度越高，压应力层003使ge层002中的产生的应力越大，且呈一定的线性关系。在其他工艺条件不变的情况下，压应力层003使ge层002中的产生的应力越小。在其他工艺条件不变的情况下，低频功率越大，形成压应力层003使ge层002中的产生的应力越大。设fwg为氮化硅层使所述ge层002中产生的压应力大小，则fwg和温度tp的关系满足：fwg＝×fwg的单位为pa，twg的单位为摄氏度。具体地，在其他工艺条件不变的情况下，压强越高。上海藤谷电子科技有限公司二极管值得用户放心。江西二极管二极管费用

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而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。肖特基二极管和稳压二极管的区别肖特基二极管不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。广东数字二极管进货价

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