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空心阴极霍尔离子源基本参数
  • 品牌
  • 锦成国泰
  • 型号
  • 空心阴极霍尔离子源
空心阴极霍尔离子源企业商机

【溅镀工艺的原理】以几十电子伏特或更高动能的荷电粒子轰击材料表面,使其溅射出进入气相,可用来刻蚀和镀膜。入射一个离子所溅射出的原子个数称为溅射产额(Yield)产额越高溅射速度越快,以Cu,Au,Ag等高,Ti,Mo,Ta,W等低。一般在0.1-10原子/离子。离子可以直流辉光放电(glowdischarge)产生,在10-1—10Pa真空度,在两极间加高压产生放电,正离子会轰击负电之靶材而溅射也靶材,而镀至被镀物上。正常辉光放电(glowdischarge)的电流密度与阴极物质与形状、气体种类压力等有关。溅镀时应尽可能维持其稳定。任何材料皆可溅射镀膜,即使高熔点材料也容易溅镀,但对非导体靶材须以射频(RF)或脉冲(pulse)溅射;且因导电性较差,溅镀功率及速度较低。金属溅镀功率可达10W/cm2,非金属<5W/cm2。真空镀膜机真空度多少?成都红外镀膜空心阴极霍尔离子源

【真空镀膜机常见故障】:一、当正在镀膜室真空突然下降1.蒸发源水路胶圈损坏(更换胶圈)2.坩埚被打穿(更换坩埚)3.高压电极密封处被击穿(更换胶圈)4.工转动密封处胶圈损坏(更换胶圈)5.预阀突然关闭可能是二位五通阀损坏(更换二位五通阀)6.高阀突然关闭可能是二位五通阀损坏(更换二位五通阀)7.机械泵停机可能是继电器断开(检查继电器是否工作正常)8.烘烤引入线电极密封处被击穿(更换胶圈)9.挡板动密封处胶圈损坏(更换胶圈)10.玻璃观察视镜出现裂纹、炸裂(更换玻璃)二、长期工作的镀膜机抽真空的时间很长且达不到工作真空、恢复真空、极限真空、保真空:1.蒸发室有很多粉尘(应清洗)2.扩散泵很久未换油(应清洗换油)3.前级泵反压强da太机械泵真空度太低(应清洗换油)4.各动密封胶圈损坏(更换胶圈)5.由于蒸发室长期温度过高使其各密封胶圈老化(更换胶圈)6.蒸发室各引入水路密封处是否有胶圈损坏(更换胶圈)7.各引入座螺钉、螺母有无松动现象(重新压紧)8.高低预阀是否密封可靠(注油)江苏真空镀膜空心阴极霍尔离子源批发价格真空镀膜机厂家排名。

【真空镀膜的膜层结构分布】基材:ABS、PC、ABS+PC、PP、PPMA、POM等树脂类均可成型真空电镀,要求底材为纯原料,电镀级别更佳,不可加再生材;底漆:UV底漆,对基材表面做预处理,为膜层的附著提供活性界面,底漆厚度一般在5-10um,特殊情况可酌情加厚;膜层:靶材蒸发的结果,VM膜层可导电,NCVM镀层不导电,且抗干扰性效果很好,膜层厚度0.3um以下。面漆:面漆利用三基色原理可与色浆搭配出各类顏色,同時对真空膜层起保护作用,再加上UV、PU的表面装饰,效果更漂亮,厚度一般在8-10um,特殊情況可酌情加厚。

【不同类型镀膜机应用范围介绍】不同类型镀膜机的适用范围介绍1.磁控溅射镀膜设备:应用于信息存储领域,如磁信息存储、磁光信息存储等2.磁控溅射镀膜机:应用于防护涂层,如飞机发动机的叶片、汽车钢板、散热片等3.磁控溅射镀Al膜生产线:应用于太阳能利用领域,如太阳能集热管、太阳能电池等4.AZO透明导电膜磁控溅射镀膜生产线:应用于信息显示领域,如液晶屏、等离子屏等5.触摸屏连续式镀膜生产线:应用于触摸屏领域,如手机、电脑、MP4等数码产品屏幕等。6.磁控中频多弧离子镀膜设备:应用于硬质涂层,如切削工具、模具和耐磨耐腐蚀零件等。7.PECVD磁控生产线:应用于集成电路制造,如薄膜电阻器、薄膜电容器、薄膜温度传感器等。8.蒸发式真空镀膜设备:应用于在装饰饰品上,如手机壳、表壳、眼镜架、五金、小饰品等镀膜。9.低辐射玻璃镀膜生产线:应用于建筑玻璃方面,如阳光控制膜、低辐射玻璃、防雾防露和自清洁玻璃等。10.抗反射导电膜连续磁控溅射生产线:应用于电子产品领域,如液晶显示器、液晶电视、MP4、车载显示、手机显示、数码相机和掌上电脑等。离子真空镀膜机是什么?

【真空镀膜机清洗工艺之紫外线辐照清洗】利用紫外辐照来分解表面上的碳氢化合物。例如,在空气中照射15h就可产生清洁的玻璃表面。如果把适当预清洗的表面放在一个产生臭氧的紫外线源中.要不了几分钟就可以形成清洁表面(工艺清洁)。这表明臭氧的存在增加了清洁速率。其清洗机理是:在紫外线照射下,污物分子受激并离解,而臭氧的生成和存在产生高活性的原子态氧。受激的污物分子和由污物离解产生的自由基与原子态氧作用.形成较简单易挥发分子.如H203、CO2和N2.其反应速率随温度的增加而增加。真空镀膜机类型推荐。陕西真空镀膜空心阴极霍尔离子源自主研发设计生产

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【真空镀膜之磁控溅射镀膜】磁控溅射对阴极溅射中电子使基片温度上升过快的缺点加以改良,形成了电场和磁场方向相互垂直的特点。在正交的电磁场的作用下,电子以摆线的方式沿着靶表面前进,从而xianzhu地延长了电子的运动路程,增加了同工作气体分子的碰撞几率,提高了电子的电离效率。由于电子每经过一次碰撞损失一部分动能,经过多次碰撞后,丧失了能量成为“终电子”进入离阴极靶面较远的弱电场区,后到达阳极时已经是能量消耗殆尽的低能电子,也就不再会使基片过热。同时高密度等离子体被束缚在靶面附近,又不与基片接触,这样电离产生的正离子能十分有效地轰击靶面,而基片又可免受等离子体的轰击,因而基片温度又可降低。在溅射仪起辉以后,并不把样品转入阳极的生长位置,也不通循环水,使样品随放电的热能而逐渐升高至一定温度后,才开始生长,以减小应力,获得牢固度较高的薄膜。另外在样品盘中还安装了温控仪(精度小于1℃)以监控薄膜生长过程中的样品温度。成都红外镀膜空心阴极霍尔离子源

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