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【真空镀膜二极溅射与磁控溅射对比】： 靶材利用率（TU）：是指发生溅射的靶材质量占原靶材质量的比率。 公式表示：靶材利用率={原靶材质量（Kg）—溅射后靶材质量}/原靶材质量 注：①：磁控溅射靶材利用率稍低，电压要求低，电流会高，溅射率提高，增加生产效率，降低成本。 ②：靶材使用寿命结素之前必须及时更换新靶材，防止靶材周围物质发生溅射（金属箔片、连接片、阴极） 两种溅射技术的区别： ①：靶材利用率不同 ②：溅射腔室和阴极设计要求不同 ③：放电电流和放电电压不同 ④：溅射率不同：磁控溅射有更短的沉积时间，更高的沉积量和更短沉积周期。真空镀膜设备技术教程。中国台湾驰诚真空镀膜设备赵先生

【真空镀膜改善外层膜表面硬度】： 减反膜一般外层选用MgF2,该层剖面是较为松散的柱状结构，表面硬度不高，容易擦拭出道子。改善外层表面硬度的方法包括： 1. 在膜系设计允许的条件下，膜外层加10nm左右的二氧化硅膜层，二氧化硅的表面光滑度优于氟化镁（但二氧化硅表面耐磨度、硬度不如氟化镁）。镀膜后离子轰击几分钟，牢固度效果会更好。（但表面会变粗） 2. 镜片取出真空室后，放置在较为干燥洁净的地方，防止镜片快速吸潮，表面硬度降低。辽宁真空镀膜设备技术成都真空镀膜设备厂家有哪些？

【磁控溅射镀膜的历史】： 磁控溅射技术作为一种十分有效的薄膜沉积方法,被普遍地应用于许多方面，特别是在微电子、光学薄膜和材料表面处理等领域。1852年Grove首ci描述溅射这种物理现象,20世纪40年代溅射技术作为一种沉积镀膜方法开始得到应用和发展。60年代后随着半导体工业的迅速崛起,这种技术在集成电路生产工艺中,用于沉积集成电路中晶体管的金属电极层,才真正得以普及和guang泛的应用。磁控溅射技术出现和发展,以及80年代用于制作CD的反射层之后,磁控溅射技术应用领域得到极大地扩展,逐步成为制造许多产品的一种常用手段。 【磁控溅射原理】: 电子在电场的作用下加速飞向基片的过程中与氩原子发生碰撞，电离出大量的氩离子和电子。氩离子在电场作用下加速轰击靶材，溅射出大量的靶原子，靶原子沉积在基片表面形成膜。二次电子受到磁场影响，被束缚在靶面的等离子体区域，二次电子在磁场作用下绕靶面做圆周运动，在运动过程中不断和氩原子发生撞击，电离出大量氩离子轰击靶材。 【磁控溅射优缺点】： 优点：工艺重复性好，薄膜纯度高，膜厚均匀，附着力好。 缺点：设备结构复杂，靶材利用率低。

【真空镀膜磁控溅射法】： 溅射镀膜Zui初出现的是简单的直流二极溅射，它的优点是装置简单，但是直流二极溅射沉积速率低；为了保持自持放电，不能在低气压(<0．1 Pa)下进行；不能溅射绝缘材料等缺点限制了其应用。 磁控溅射是由二极溅射基础上发展而来，在靶材表面建立与电场正交磁场，解决了二极溅射沉积速率低，等离子体离化率低等问题，成为目前镀膜工业主要方法之一。磁控溅射与其它镀膜技术相比具有如下特点：可制备成靶的材料广，几乎所有金属，合金和陶瓷材料都可以制成靶材；在适当条件下多元靶材共溅射方式，可沉积配比精确恒定的合金；在溅射的放电气氛中加入氧、氮或其它活性气体，可沉积形成靶材物质与气体分子的化合物薄膜；通过精确地控制溅射镀膜过程，容易获得均匀的高精度的膜厚；通过离子溅射靶材料物质由固态直接转变为等离子态，溅射靶的安装不受限制，适合于大容积镀膜室多靶布置设计；溅射镀膜速度快，膜层致密，附着性好等特点，很适合于大批量，高效率工业生产。近年来磁控溅射技术发展很快，具有代表性的方法有射频溅射、反应磁控溅射、非平衡磁控溅射、脉冲磁控溅射、高速溅射等。真空镀膜设备认准成都国泰真空设备有限公司。

    【真空镀膜产品常见不良分析及改善对策之膜外自雾】：现象：镀膜完成后，表面有一些淡淡的白雾，用丙tong或混合液擦拭，会有越擦越严重的现象。用氧化铈粉擦拭，可以擦掉或减轻。可能成因有：1.膜结构问题，外层膜的柱状结构松散，外层膜太粗糙2.蒸发角过大，膜结构粗糙3.温差：镜片出罩时内外温差过大4.潮气：镜片出罩后摆放环境的潮气5.真空室内POLYCOLD解冻时水汽过重6.蒸镀中充氧不完全，膜结构不均匀。7.膜与膜之间的应力改善思路：膜外白雾成因很多但各有特征，尽量对症下药。主要思路，一是把膜做的致密光滑些不容易吸附，二是改善环境减少吸附的对象。改善对策：1.改善膜系，外层加二氧化硅，使膜表面光滑，不易吸附。2.降低出罩时的镜片温度3.改善充氧（加大），改善膜结构4.适当降低蒸发速率，改善柱状结构5.离子辅助镀膜，改善膜结构6.加上Polycold解冻时的小充气阀7.从蒸发源和夹具上想办法改善蒸发角8.改善基片表面粗糙度9.注意Polycold解冻时的真空度。 锦成国泰真空镀膜设备怎么样？中国台湾驰诚真空镀膜设备赵先生

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【真空镀膜电子束蒸发法】： 电子束蒸发法是将蒸发材料放入水冷铜坩锅中，直接利用电子束加热，使蒸发材料气化蒸发后凝结在基板表面形成膜，是真空蒸发镀膜技术中的一种重要的加热方法和发展方向。电子束蒸发克服了一般电阻加热蒸发的许多缺点，特别适合制作熔点薄膜材料和高纯薄膜材料。 【真空镀膜激光蒸发法】： 采用激光束蒸发源的蒸镀技术是一种理想的薄膜制备方法。这是由于激光器是可以安装在真空室之外，这样不但简化了真空室内部的空间布置，减少了加热源的放气，而且还可完全避免了蒸发气对被镀材料的污染，达到了膜层纯洁的目的。此外，激光加热可以达到极高的温度，利用激光束加热能够对某些合金或化合物进行快速蒸发。这对于保证膜的成分，防止膜的分馏或分解也是极其有用的。激光蒸发镀的缺点是制作大功率连续式激光器的成本较高，所以它的应用范围有一定的限制，导致其在工业中的guang泛应用有一定的限制。中国台湾驰诚真空镀膜设备赵先生