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    热退火在氢气环境中进行。步骤s130：氧化所述空腔上部的硅片得到氧化硅薄膜。通过热氧化工艺氧化空腔上部的硅片以形成氧化硅薄膜23(如图2c所示)。在900℃～1200℃的高温环境中，通过外部供给氧气或者水蒸气使之与硅发生化学反应，可以在空腔上方得到一层热生长的氧化层。由于当氧化层达到一定厚度时，氧化反应几乎停止，因此当难以通过一次氧化工艺将空腔上方的硅全部氧化成氧化硅时，需要通过多次氧化步骤实现将空腔上方的硅全部氧化，具体为，进行次热氧化生成一层氧化硅薄膜后，空腔上方为残留的未氧化的硅以及在硅上生成的氧化硅薄膜，通过刻蚀工艺去除上方的氧化硅薄膜，保留空腔上方的硅，此时硅的厚度减小，继续通过上述热氧化、刻蚀和热氧化的循环工艺逐渐减小空腔上方硅的厚度，直至后一次热氧化后空腔上方的硅全部生成氧化硅薄膜，由此实现上层氧化硅薄膜与下层硅通过空腔隔离。此时，温度传感器的基作完成。在一实施例中，在得到上述氧化硅薄膜后还可在氧化硅薄膜上形成氮化硅薄膜或者聚酰亚胺薄膜，由于氧化硅内部存在较大的应力，氧化硅薄膜容易断裂，在氧化硅薄膜上面再淀积一层氮化硅薄膜或者聚酰亚胺薄膜，可以平衡氧化硅内部应力。深圳美信美温度传感器服务好。广东热电偶温度传感器公司

    在所述金属铂层外侧两端各淀积一层第二金属层，用于引出所述温度传感器的输出端子。在其中一个实施例中，在所述氧化硅薄膜上形成测温单元具体为：在所述氧化硅薄膜上淀积一层多晶硅层，所述多晶硅层包括并排且间隔设置的n型多晶硅条和p型多晶硅条；在所述多晶硅上淀积第三金属层，所述第三金属层包括位于相邻多晶硅条之间的金属结构，所述n型多晶硅条和p型多晶硅条通过所述金属结构串联，所述第三金属层还包括位于所述多晶硅层外侧两端的第二金属结构，用于引出所述温度传感器的输出端子。在其中一个实施例中，所述制备方法还包括：在所述金属层上形成钝化层，并在所述钝化层上对应所述温度传感器引出输出端子处设有通孔。还公开了一种温度传感器，包括：基底，所述基底包括硅片和在所述硅片上形成的氧化硅薄膜，所述硅片与所述氧化硅薄膜之间形成有空腔；和测温单元，所述测温单元形成于所述空腔上方的氧化硅薄膜上，所述测温单元用于感测环境温度。上述温度传感器，由于其基底中氧化硅薄膜与硅之间形成有空腔，空腔下部的硅不会影响上部氧化硅的隔热效果，因此无需通过刻蚀工艺将基底下部的硅刻蚀掉，从而缩短产品制备的时间，且节约了成本。由于基底隔热效果较好。广东超大规模温度传感器原理温度传感器现货厂家，美信美科技就是牛。

    沟槽的宽度为沟槽侧壁的大距离，如果沟槽为圆形，则沟槽的宽度为其直径，如果沟槽为正方形，则沟槽的宽度为其对角的距离。步骤s120：热退火使所述若干沟槽变形后相互连通形成一空腔，且所述硅片在空腔上方连接起来，将所述空腔封闭。对开设有沟槽21的硅片20进行适当的热处理，当硅片被加热到一定温度时，硅原子的振动能较大，导致原子的移动能加强，硅原子会发生迁移。由于硅片上开设有沟槽，且沟槽侧壁的间距较小，当硅原子迁移运动达到一定程度时，硅原子会进入沟槽21内，硅片内部的沟槽21会发生形变，沟槽21上部被硅封闭，若干沟槽21中间部位相互连通，形成一空腔22(如图2b所示)。即空腔22处于硅片的中间，空腔22的上部和下部均具有硅结构，上下硅结构被空腔22隔离开。在一实施例中，热退火的温度可为1000℃。改变沟槽21的间距，可以得到不同形态的空腔，且间距越大，所需的退火温度就越高，但是退火的持续时间不超过20min。在本实施例中，沟槽阵列中沟槽之间的间距大于内部沟槽的间距，如此可以避免在空腔边缘处形成缺口。同时，热退火需要在一隔离环境中进行，如真空环境或者惰性气体环境，保证在热退火过程中硅不会与环境中的物质发生化学反应。在本实施例中。

    p型多晶硅可为在多晶硅内部掺杂ⅲ族元素形成导电类型为p型的多晶硅，且其内部掺杂均匀。n型多晶硅条和p型多晶硅条形状相同，在本方案中，n型多晶硅条和p型多晶硅条为长条型，多晶硅条平行设置，具有相同的间距。步骤s135：在多晶硅层上淀积第三金属层，第三金属层包括位于相邻多晶硅条之间的金属结构，n型多晶硅条和p型多晶硅条通过金属结构串联，第三金属层还包括位于多晶硅层外侧两端的第二金属结构，用于引出温度传感器的输出端子。继续参见图5和图6，在多晶硅层50上淀积第三金属层60，第三金属层60包括金属结构61和第二金属结构62。金属结构61位于相邻多晶硅条之间以连接该多晶硅条，具体为位于相邻多晶硅条端部位置，所有n型多晶硅条51和p型多晶硅条52通过该金属结构61形成一串联结构，因此，当具有m个多晶硅条时，需要m-1个金属结构61使多晶硅条串联起来。一个n型多晶硅条与一个p型多晶硅条串联形成一个塞贝克(seebeck)结构，在本方案中，是多个塞贝克结构串联形成一个测温单元，因此，m需为偶数。第二金属结构62淀积于多晶硅层外侧的两端，以便于引出温度传感器的输出端子。在本实施例中，第三金属层60为金属铝层。上述热电偶传感结构，利用半导体两端的温度不同时。温度传感器供货商深圳美信美科技有公司连续两年获得好的供应商称号。

    钝化层可为氧化硅层或氮化硅层，也可为叠设的氧化硅层和氮化硅层。上述温度传感器，测温单元设于氧化硅薄膜上，氧化硅薄膜具有较低的导热率，因此不会影响测温单元的测温效果。且氧化硅薄膜与硅之间形成有空腔，空腔下方的硅不会影响空腔上方的氧化硅的隔离效果，在温度传感器的制备过程中，无需通过深槽刻蚀工艺将多余的硅刻蚀掉，因此简化了温度传感器的制备时间，节约了成本。以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。以上实施例表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。靠谱的深圳市美信美科技有限公司，只做原装进口温度传感器。广东单极型温度传感器精度哪家好

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