深圳中规模集成电路分类

    在所述互连层正上方形成多个mtj器件，其中，所述多个mtj器件包括工作mtj器件和一个或多个调节mtj器件，所述一个或多个调节mtj器件被配置为选择性地控制流至所述工作mtj器件的电流；以及在所述多个mtj器件上方形成互连层，其中，所述互连层和所述互连层中的一个或两个限定位线和一条或多条字线。附图说明当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可佳理解的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。出了具有调节访问装置的存储器电路的一些实施例的示意图，该调节访问装置被配置为选择性地对操作磁隧道结(mtj)器件提供访问。出了具有调节访问装置的存储器电路的一些额外实施例的示意图，该调节访问装置包括调节mtj器件，该调节mtj器件被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问。图a至图c示出了图的公开的存储器电路的读取和写入操作的一些实施例的示意图。图a至图b示出了对应于图的公开的存储器电路的集成芯片的截面图的一些实施例。图a至图b示出了具有调节访问装置的存储器电路的一些额外实施例。该调节访问装置被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问。进口的德州集成电路，就找深圳美信美科技。深圳中规模集成电路分类

    本申请涉及一种集成电路封装结构，尤其是集成电路的小型化与高功率密度化的封装结构。背景技术：集成电路在满足摩尔定律的基础上尺寸越做越小。尺寸越小，技术进步越困难。而设备的智能化，小型化，功率密度的程度越来越高，为解决设备小型化，智能化，超高功率密度这些问题，不但需要提升各种功能的管芯的功能，效率，缩小其面积，体积；还需要在封装技术层面上完成小型化，集成化，高功率密度化等技术要求，并解决由此带来的集成电路的散热问题，生产工艺复杂，生产周期长，生产成本高等问题。现有很多集成电路封装结构，有沿用常规的封装方式，采用框架安装各种管芯，采用线材键合作电气联结，在功率较大时，常常采用较粗的键合线和较多的键合线。此类封装方式有比如ipm模组的dip封装，单颗mosfet的to220封装等，此类封装体积通常都比较大，不适宜小型化应用。由于需要多根键合线，键合工序周期长，成本高，从而导致总体性价比不高。而为了解决高功率密度的问题，qfn封装方式由于带有较大散热片常常在一些要求高功率密度的产品上得到广泛的应用；在qfn封装内部，键合线由金线，铜线，铝线转向具有大通流能力的铝片，铜片，并由此减少了接触电阻，降低了封装的寄生参数。郑州射频集成电路美信美科技是公认的好的供货商。

    所述第二热接口材料层与所述集成电路热耦联，和能够移除的散热器，所述散热器与所述第二热接口材料层热耦联，所述散热器具有越过印刷电路板的与所述连接侧相对的侧延伸的顶表面；其中，所述两个印刷电路装配件被相对地放置在一起，使得在所述印刷电路装配件中的每个印刷电路装配件上的散热器的顶表面与另一个印刷电路装配件的所述热接口材料层接触，并且与该热接口材料层热耦联。在另一个方面中，本公开的实施方式提供一种用于冷却集成电路的装置，所述装置包括：两个印刷电路装配件，每个所述印刷电路装配件包括：系统板，所述系统板上的多个印刷电路板插座，多个液体冷却管，每个所述液体冷却管邻接于所述印刷电路板插座中的一个印刷电路板插座地耦联至所述系统板，连接至所述印刷电路板插座的多个集成电路模块，和多个散热器，每个所述散热器与所述集成电路模块中的一个集成电路模块热耦联；其中，所述印刷电路装配件彼此相对地布置，使得所述两个印刷电路装配件的集成电路模块彼此交错，并且所述印刷电路装配件中的每个印刷电路装配件的散热器的顶表面与另一个印刷电路装配件的液体冷却管热耦联。在又一个方面中，本公开的实施方式提供一种用于冷却集成电路的方法。

    可在各个实施例中重复参考标号和/或字符。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。而且，为便于描述，在此可以使用诸如“且，为便于描述，在此可以使用诸如个实施例和和布置的具体实例等空间相对术语，以描述所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)原件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其它方式定向(旋转度或在其它方位上)，而本文使用的空间相对描述符可以同样地做出相应的解释。磁阻式随机存取存储器(mram)单元包括垂直布置在导电电极之间的磁隧道结(mtj)。mtj包括通过隧穿阻挡层与自由层分隔开的固定层。固定层的磁取向是静态的(即，固定的)，而自由层的磁取向能够在相对于固定层的磁取向的平行配置和反平行配置之间切换。平行配置提供低电阻状态，低电阻状态数字化地将数据存储为位值(例如，逻辑“”)。反平行配置提供高电阻状态，高电阻状态数字化地将数据存储为位值(例如，逻辑“”)。随着集成芯片的功能增多。对更多的存储器的需求也增加，从而使得集成芯片设计者和制造商必须增加可用存储器的量，同时减小集成芯片的尺寸和功耗。超大规模集成电路：逻辑门1,001~10k个或 晶体管10,001~100k个。

    调节mtj器件具有比调节mtj器件更大的尺寸。在一些实施例中，调节访问装置还包括连接在位线和工作mtj器件之间的调节mtj器件，字线连接至字线解码器，并且位线和位线连接至位线解码器。在一些实施例中，工作mtj器件不位于存取晶体管器件正上方。在一些实施例中，集成芯片还包括连接在调节mtj器件和工作mtj器件之间的偏置电压线。在一些实施例中。工作mtj器件通过设置在衬底上方的介电结构与调节mtj器件横向分隔开。在一些实施例中，集成芯片还包括布置在位于工作mtj器件正上方的存储单元内的工作mtj器件，工作mtj器件被配置为存储数据状态。在一些实施例中，工作mtj器件通过不延伸穿过衬底的连续导电路径连接在位线和字线之间。在其它实施例中，涉及集成电路。集成电路包括布置在衬底上方的介电结构内的互连层，互连层通过介电结构与衬底分隔开；以及调节mtj器件，布置在互连层正上方并且被配置为存储数据状态，工作mtj器件通过包括多个互连层并且不延伸穿过衬底的连续导电路径电连接在位线和字线之间。在一些实施例中，集成电路还包括调节访问装置，其具有连接在字线和工作mtj器件之间的调节mtj器件，调节mtj器件具有通过介电阻挡层与自由层分隔开的固定层。在一些实施例中。集成电路产业是数字经济的基础产业，是构筑我国经济未来竞争新优势的基础力量来源之一。沈阳中规模集成电路分类

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    图至图中公开的结构不限于这种方法，而且可以作为于该方法的结构而单独存在。的截面图所示，在衬底上方形成互连层a。在一些实施例中，通过在衬底上方形成层间介电(ild)层来形成互连层a。在一些实施例中，ild层可以通过一个或多个附加介电层与衬底分隔开。图案化ild层以限定沟槽。在一些实施例中，可以通过在ild层上方形成图案化的掩模层(未示出)并且实施蚀刻工艺来去除ild层的未由图案化的掩模层覆盖的各部分来图案化ild层。在沟槽内形成导电材料，以及随后是平坦化工艺(例如。化学机械平坦化工艺)以形成互连层a。在各个实施例中，衬底可以是任何类型的半导体主体(例如。硅、sige、soi等)，诸如半导体晶圆和/或晶圆上的一个或多个管芯，以及任何与其相关的其它类型的半导体和/或外延层。在一些实施例中，ild层可以包括一种或多种介电材料，诸如二氧化硅(sio)、sicoh、氟硅酸盐玻璃、磷酸盐玻璃(例如，硼磷硅酸盐玻璃)等。在一些实施例中，导电材料可以包括通过沉积工艺(例如，cvd、pvd、pe-cvd、ald等)形成的金属(例如，钨、铝等)。在各个实施例中，互连层a可以是互连线层、互连层、第三互连线层或更高金属互连线层。的截面图所示。深圳中规模集成电路分类