成都小规模集成电路封装

    图a至图b示出了包括存储器电路的集成芯片的一些额外实施例，该存储器电路具有被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问的调节访问装置。图a示出了具有调节访问装置的存储器电路的一些额外实施例的示意图，调节访问装置包括调节mtj器件、调节mtj器件和第三调节mtj器件。调节mtj器件连接在字线(例如，wl)和偏置电压线(例如，bvl)之间，调节mtj器件连接在字线(例如，wl)和偏置电压线(例如，bvl)之间，第三调节mtj器件连接在偏置电压线(例如，bvl)和工作mtj器件之间。工作mtj器件连接在第三调节mtj器件和位线(例如，bl)之间。包含第三调节mtj器件在产生不同的电阻来控制相关的工作mtj器件内的电流方面赋予调节访问装置更大的灵活性。图b示出了对应于图a的存储器电路的集成电路的一些实施例的截面图。虽然关于具有调节mtj器件的调节访问装置描述了图至图b中示出的操作和/或装置，但是应该理解，公开的存储单元不限于这样的实施例。而且，在可选实施例中，图至图b的操作和/或装置可以实施和/或包括具有调节薄膜电阻器(例如，包括钽、氮化钽、钛、钨等)的调节访问装置。图至出了形成具有存储器电路的集成芯片的方法的一些实施例的截面图至，该存储器电路包括存储单元(例如。极大规模集成电路：逻辑门10,001~1M个或 晶体管100,001~10M个。成都小规模集成电路封装

    然后在开口内沉积导电材料(例如，铜和/或铝)，以及随后的平坦化工艺(例如，化学机械平坦化工艺)以形成互连层b。的截面图所示，可以在存储单元a,上方形成存储单元b,。存储单元b。可以包括工作mtj器件和调节访问装置，调节访问装置具有形成在第三互连层c和第四互连层d之间的调节mtj器件和。存储单元b,可以根据与关于图至图描述的那些类似的步骤形成。出了形成具有存储器电路的集成芯片的方法的一些实施例的流程图，该存储器电路包括具有调节访问装置的存储单元(例如，mram单元)，该调节访问装置被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问。虽然方法示出和描述为一系列步骤或事件，但是应该理解，这些步骤或事件的示出的顺序不被解释为限制意义。例如，一些步骤可以以不同的顺序发生和/或与除了此处示出的和/或描述的一些的其它步骤或事件同时发生。此外，可能不是所有示出的步骤对于实施此处描述的一个或多个方面或实施例都是需要的，并且此处描述的一个或多个步骤可以在一个或多个单独的步骤和/或阶段中实施。在步骤中，在衬底上方形成互连层。互连层可以形成在衬底上方的ild层内。出了对应于步骤的一些实施例的截面图。在步骤中。沈阳大规模集成电路器件从进口情况来看，集成电路行业已成为我国进口依赖程度较高的行业之一。

    调节访问装置包括调节mtj器件和调节mtj器件。调节mtj器件、调节mtj器件和工作mtj器件分别包括垂直布置在底电极通孔和顶电极通孔之间的mtj。在一些实施例中，顶电极通孔可以通过通孔(例如，铜通孔)连接至上面的互连层。在一些实施例中，底电极通孔和顶电极通孔可以包括金属，诸如氮化钛(tin)、氮化钽(tan)、钛(ti)、钽(ta)等。在一些实施例中，互连层b从调节mtj器件正上方连续延伸至调节mtj器件正上方。调节mtj器件、调节mtj器件和工作mtj器件分别包括由介电遂穿阻挡层分隔开的自由层和固定层。自由层具有被配置为响应于电信号(例如，电流)而改变的磁矩。固定层具有固定的磁取向，该磁取向被配置为用作参考磁方向和/或减少对自由层的磁冲击。在一些实施例中，mtj中的一个或多个可以包括附加层。例如，在一些实施例中，mtj中的一个或多个可以包括位于底电极通孔和固定层之间的反铁磁层。在其它实施例中，mtj中的一个或多个可以包括以各种方式布置的附加固定层(例如，附加固定层、附加固定层等)和/或附加自由层(例如，附加自由层、附加自由层等)以改进mtj的性能。图b示出了对应于图的存储器阵列的集成芯片的一些可选实施例的截面图。集成芯片包括布置在衬底上方的介电结构。

    在各个实施例中，互连层a可以是互连线层、互连层、第三互连线层或更高金属互连线层。的截面图所示，在互连层a的上表面上方形成多个底电极通孔。多个底电极通孔由介电层围绕。在一些实施例中，介电层可以沉积在互连层a上方，并且然后选择性地被图案化以限定底电极通孔开口。然后通过在底电极通孔开口内的沉积工艺形成多个底电极通孔。在各个实施例中，介电层可以包括碳化硅、富硅氧化物、teos(正硅酸乙酯)等的一种或多种。在各个实施例中，多个底电极通孔可以包括导电材料，诸如钛、氮化钛、钽等。在多个底电极通孔上方形成多个mtj器件、和。多个mtj器件、和分别包括mtj，mtj具有通过介电遂穿阻挡层与自由层分隔开的固定层。在一些实施例中，固定层可以形成为接触底电极通孔。在其它实施例中，自由层可以形成为接触底电极通孔。多个mtj器件、和中的一个包括被配置为存储数据状态的工作mtj器件。多个mtj器件、和中的一个或多个包括设置在调节访问装置内的调节mtj器件和，调节访问装置被配置为控制(即，调节)提供给相关的工作mtj器件的电流。在一些实施例中，可以同时形成多个mtj器件、和。例如，在一些实施例中，可以通过在介电层和多个底电极通孔上方沉积磁固定膜。靠谱的深圳市美信美科技有限公司，只做原装进口集成电路。

    图至图中公开的结构不限于这种方法，而且可以作为于该方法的结构而单独存在。的截面图所示，在衬底上方形成互连层a。在一些实施例中，通过在衬底上方形成层间介电(ild)层来形成互连层a。在一些实施例中，ild层可以通过一个或多个附加介电层与衬底分隔开。图案化ild层以限定沟槽。在一些实施例中，可以通过在ild层上方形成图案化的掩模层(未示出)并且实施蚀刻工艺来去除ild层的未由图案化的掩模层覆盖的各部分来图案化ild层。在沟槽内形成导电材料，以及随后是平坦化工艺(例如。化学机械平坦化工艺)以形成互连层a。在各个实施例中，衬底可以是任何类型的半导体主体(例如。硅、sige、soi等)，诸如半导体晶圆和/或晶圆上的一个或多个管芯，以及任何与其相关的其它类型的半导体和/或外延层。在一些实施例中，ild层可以包括一种或多种介电材料，诸如二氧化硅(sio)、sicoh、氟硅酸盐玻璃、磷酸盐玻璃(例如，硼磷硅酸盐玻璃)等。在一些实施例中，导电材料可以包括通过沉积工艺(例如，cvd、pvd、pe-cvd、ald等)形成的金属(例如，钨、铝等)。在各个实施例中，互连层a可以是互连线层、互连层、第三互连线层或更高金属互连线层。的截面图所示。中国集成电路是世界上少有的具有设计、制造、封测、装备和材料五大板块齐整的产业。佛山半导体集成电路哪家好

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    图a示出了具有调节访问装置的存储器电路的一些额外实施例的示意图，调节访问装置包括调节mtj器件、调节mtj器件和第三调节mtj器件。调节mtj器件连接在字线(例如，wl)和偏置电压线(例如，bvl)之间，调节mtj器件连接在字线(例如，wl)和偏置电压线(例如，bvl)之间，第三调节mtj器件连接在偏置电压线(例如，bvl)和工作mtj器件之间。工作mtj器件连接在第三调节mtj器件和位线(例如，bl)之间。包含第三调节mtj器件在产生不同的电阻来控制相关的工作mtj器件内的电流方面赋予调节访问装置更大的灵活性。图b示出了对应于图a的存储器电路的集成电路的一些实施例的截面图。虽然关于具有调节mtj器件的调节访问装置描述了图至图b中示出的操作和/或装置，但是应该理解，公开的存储单元不限于这样的实施例。而且，在可选实施例中，图至图b的操作和/或装置可以实施和/或包括具有调节薄膜电阻器(例如，包括钽、氮化钽、钛、钨等)的调节访问装置。图至出了形成具有存储器电路的集成芯片的方法的一些实施例的截面图至，该存储器电路包括存储单元(例如。mram单元)，各存储单元具有被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问的调节访问装置。虽然关于方法描述了图至图，但是应该理解。成都小规模集成电路封装