企业商机
集成电路基本参数
  • 品牌
  • 亚德诺,凌特,SCT芯洲
  • 型号
  • SCT2650STER/SCT2620MRER
  • 类型
  • 化合物半导体材料,元素半导体材料
  • 材质
集成电路企业商机

    字线解码器和偏置电路可以包括相同的电路元件(即,字线解码器可以将信号施加至偏置电压线bvly)。在操作期间,为了访问工作mtj器件,偏置电路和字线解码器可以将电压施加至偏置电压线bvly和字线wlx,以设置存储器阵列的行内的调节mtj器件的值。随后,位线解码器可以施加位线电压,该位线电压允许访问多个存储单元a,至c,中的选择的存储单元,而不访问多个存储单元a,至c,中的未选择的存储单元。例如,为了将数据写入存储单元a,内的工作mtj器件,可以将组偏置电压施加至字线wl和偏置电压线bvl。组偏置电压赋予行内的调节访问装置低电阻。可以将组偏置电压施加至其它行中的偏置电压线bvl和字线wl,以赋予其它行内的调节访问装置高电阻。然后将位线电压施加至位线bl。存储单元a,内的调节访问装置的低电阻使得大电流(例如,大于切换电流)流过存储单元a,内的工作mtj器件,同时存储单元a,内的调节访问装置的高电阻使得小电流(例如,小于切换电流)流过存储单元a,内的工作mtj器件。图b示出了对应于图a的存储器电路的集成电路的一些实施例的截面图。图a至图b示出了包括存储器电路的集成芯片的一些额外实施例,该存储器电路具有被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问的调节访问装置。当今半导体工业大多数应用的是基于硅的集成电路;深圳专业控制集成电路测试

    亚德诺),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等国际有名品牌集成电路。产品广泛应用于:汽车、通信、消费电子、工业控制、医疗器械、仪器仪表、安防监控等领域。使得在所述印刷电路装配件中的每个印刷电路装配件上的散热器的顶表面与另一个印刷电路装配件上的热接口材料层接触,并且与所述热接口材料层热耦联。图是移除了双列直插式存储模块组件的印刷电路装配件的图。图6是印刷电路装配件的图,包括已安装在印刷电路板插座中的双列直插式存储模块组件并且包括已附接的分流管。图a和图b示出了根据一个实施例的、特征在于外部铰链的双列直插式存储模块组件。图a和图b示出了根据一个实施例的、特征在于内部铰链的双列直插式存储模块组件。图示出了根据一个实施例的流程。附图是非详尽的,并且不限制本公开至所公开的精确形式。具体实施方式诸如双列直插式存储模块(dimm)的集成电路产生大量的热量,特别是在高密度配置中。现有许多技术对集成电路进行冷却,但是存在许多与这些现有技术相关的缺点。空气冷却是嘈杂的,并且因此当靠近办公室人员/在工作环境中布置时是不期望的。当需要维护双列直插式存储模块时,液体浸入式冷却是杂乱的。重庆大规模集成电路公司靠谱集成电路,找深圳美信美科技帮你解决。

    调节mtj器件具有比调节mtj器件更大的尺寸。在一些实施例中,调节访问装置还包括连接在位线和工作mtj器件之间的调节mtj器件,字线连接至字线解码器,并且位线和位线连接至位线解码器。在一些实施例中,工作mtj器件不位于存取晶体管器件正上方。在一些实施例中,集成芯片还包括连接在调节mtj器件和工作mtj器件之间的偏置电压线。在一些实施例中。工作mtj器件通过设置在衬底上方的介电结构与调节mtj器件横向分隔开。在一些实施例中,集成芯片还包括布置在位于工作mtj器件正上方的存储单元内的工作mtj器件,工作mtj器件被配置为存储数据状态。在一些实施例中,工作mtj器件通过不延伸穿过衬底的连续导电路径连接在位线和字线之间。在其它实施例中,涉及集成电路。集成电路包括布置在衬底上方的介电结构内的互连层,互连层通过介电结构与衬底分隔开;以及调节mtj器件,布置在互连层正上方并且被配置为存储数据状态,工作mtj器件通过包括多个互连层并且不延伸穿过衬底的连续导电路径电连接在位线和字线之间。在一些实施例中,集成电路还包括调节访问装置,其具有连接在字线和工作mtj器件之间的调节mtj器件,调节mtj器件具有通过介电阻挡层与自由层分隔开的固定层。在一些实施例中。

    图a至图b示出了具有调节访问装置的存储器电路的一些额外实施例,该调节访问装置被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问。图a至图b示出了具有调节访问装置的存储器电路的一些额外实施例,该调节访问装置被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问。图a至图b示出了具有调节访问装置的存储器电路的一些额外实施例,该调节访问装置被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问。图至出了形成具有存储器电路的集成芯片的方法的一些实施例,该存储器电路包括存储单元,该存储单元包括被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问的调节访问装置。出了形成具有存储器电路的集成芯片的方法的一些实施例的流程图,该存储器电路包括存储单元,该存储单元包括被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问的调节访问装置。具体实施方式以下公开内容提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化。当然,这些是实例,而不旨在限制。例如,以下描述中,在部件上方或者上形成部件可以包括部件和部件直接接触形成的实施例。并且也可以包括在部件和部件之间可以形成额外的部件,从而使得部件和部件可以不直接接触的实施例。此外。中型集成电路:逻辑门11~100个或 晶体管101~1k个。

    可以对磁固定膜、介电阻挡层和磁自由膜实施一个或多个图案化工艺以限定多个mtj器件、和。在其它实施例中,可以在不同时间形成多个mtj器件、和。的截面图所示,在多个mtj器件、和上方形成多个顶电极通孔。多个顶电极通孔由ild层围绕。在一些实施例中。可以在多个mtj器件、和上方沉积ild层,并且然后选择性地图案化ild层以限定顶电极通孔开口。然后通过沉积工艺在顶电极通孔开口内形成多个顶电极通孔。在各个实施例中,ild层可以包括一种或多种介电材料,诸如二氧化硅(sio)、sicoh、氟硅酸盐玻璃、磷酸盐玻璃(例如,硼磷硅酸盐玻璃)等。在各个实施例中,多个顶电极通孔可以包括导电材料,诸如钛、氮化钛、钽等。在多个mtj器件、和上方的第三ild层内形成互连层b。在一些实施例中,互连层b包括限定存储单元a,的位线bl和一条或多条字线wl至wl的多个互连结构。在一些实施例中,第三ild层可以包括通过一个或多个沉积工艺(例如,pvd、cvd、pe-cvd等)形成的电介质(例如,氧化物、低k电介质或k电介质)。可以通过选择性地蚀刻第三ild层以在第三ild层内形成开口来形成互连层b。然后在开口内沉积导电材料(例如,铜和/或铝),以及随后的平坦化工艺(例如。深圳美信美集成电路品质棒棒的。太原射频集成电路器件

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    并且因此热耦联至热接口材料806。侧板808可以由铝制成。然而,可以使用其他材料来形成侧板808。能够移除的一个或多个弹性夹810可定位在侧板808周围,以将侧板808压靠在热接口材料806上,以确保合适的热耦联。图9示出了根据一个实施例的流程900。尽管流程的步骤以特定顺序示出,这些步骤的部分或全部可以以其他顺序执行、并行地执行或两者的组合。一些步骤可以被省略。参考图9,在902处,提供两个印刷电路装配件400。每个印刷电路装配件400包括:系统板402;平行地安装在系统板402上的多个印刷电路板插座404;和多个冷却管406,每个所述冷却管安装在系统板402上、平行且邻接于所述印刷电路板插座404中对应的一个印刷电路板插座404,所述冷却管406中的每个冷却管406具有在冷却管406与系统板402相对的一侧上粘附至冷却管406的热接口材料层408。在904处,流程900包括提供多个集成电路模块。例如,集成电路模块可以包括一个或多个双列直插式存储模块组件200。每个集成电路模块包括:印刷电路板202,所述印刷电路板202具有布置在印刷电路板插座404中的一个印刷电路板插座中的连接侧304;安装在印刷电路板202上的一个或多个集成电路204。深圳专业控制集成电路测试

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