北京双列直插型集成电路公司

    本申请涉及一种集成电路封装结构，尤其是集成电路的小型化与高功率密度化的封装结构。背景技术：集成电路在满足摩尔定律的基础上尺寸越做越小。尺寸越小，技术进步越困难。而设备的智能化，小型化，功率密度的程度越来越高，为解决设备小型化，智能化，超高功率密度这些问题，不但需要提升各种功能的管芯的功能，效率，缩小其面积，体积；还需要在封装技术层面上完成小型化，集成化，高功率密度化等技术要求，并解决由此带来的集成电路的散热问题，生产工艺复杂，生产周期长，生产成本高等问题。现有很多集成电路封装结构，有沿用常规的封装方式，采用框架安装各种管芯，采用线材键合作电气联结，在功率较大时，常常采用较粗的键合线和较多的键合线。此类封装方式有比如ipm模组的dip封装，单颗mosfet的to220封装等，此类封装体积通常都比较大，不适宜小型化应用。由于需要多根键合线，键合工序周期长，成本高，从而导致总体性价比不高。而为了解决高功率密度的问题，qfn封装方式由于带有较大散热片常常在一些要求高功率密度的产品上得到广泛的应用；在qfn封装内部，键合线由金线，铜线，铝线转向具有大通流能力的铝片，铜片，并由此减少了接触电阻，降低了封装的寄生参数。靠谱集成电路，找深圳美信美科技帮你解决。北京双列直插型集成电路公司

    在一些实施例中，调节访问装置可以包括与工作mtj器件并联连接的薄膜电阻器和薄膜电阻器。在各个实施例中，调节访问装置可以包括具有基本类似的尺寸或具有不同的尺寸的电阻器。存储器阵列通过多条位线bl至bl和多条字线wl至wl连接至控制电路。在一些实施例中，控制电路包括连接至多条位线bl至bl的位线解码器和连接至多条字线wl至wl的字线解码器。调节访问装置连接在字线wlx(x＝或)和工作mtj器件之间，而工作mtj器件连接在调节访问装置和位线bly(y＝或)之间。为了访问工作mtj器件。位线解码器被配置为基于从控制单元接收的地址saddr选择性地向一条或多条位线bl至bl提供信号(例如，电压)。而字线解码器被配置为基于从控制单元接收的地址saddr选择性地向一条或多条字线wl至wl提供信号(例如，电压)。调节访问装置被配置为调节电流(提供给相关的工作mtj器件的信号)，并且由此选择性地对相关的工作mtj器件提供访问。例如，在写入操作期间，存储器阵列内的调节访问装置可以对选择的存储单元内的工作mtj器件提供大于或等于小切换电流(即，足以使存储单元的数据状态改变的电流)电流，而对未选择的存储单元内的工作mtj器件提供小于小切换电流的电流。广东圆形集成电路芯片集成电路是现代化产业体系的关键枢纽，关系中国式现代化进程。

    在多个底电极通孔正上方形成多个mtj器件。多个mtj器件包括工作mtj器件和一个或多个调节mtj器件。出了对应于步骤的一些实施例的截面图。在步骤中，在多个mtj器件正上方形成多个顶电极通孔。出了对应于步骤的一些实施例的截面图。在步骤中，在多个顶电极通孔上方形成具有多个互连结构的互连层。多个互连结构限定位线和一条或多条字线。出了对应于步骤的一些实施例的截面图。步骤至在衬底上方形成存储单元。在一些实施例中，可以重复步骤至(如步骤所示)以在存储单元上方形成存储单元。出了对应于步骤的一些实施例的截面图。虽然方法描述了包括具有调节访问装置(包括mtj器件)的存储单元(例如。mram单元)的方法存储器电路，但是应该理解，在其它实施例中，调节装置可以包括电阻器(例如，薄膜电阻器)。在这样的实施例中，工作mtj器件可以通过组操作(在步骤中)形成，而包括电阻器的调节装置可以通过组单独的操作(在步骤和步骤之间发生)形成。例如，在工作mtj的形成(在步骤中)之后，可以通过一个或多个沉积和蚀刻工艺形成电阻器。因此，在一些实施例中。涉及不具有驱动晶体管(即。存取晶体管)的存储单元(例如，mram单元)。而且，存储单元包括调节访问装置。

    公司经营范围包括：一般经营项目是：电子产品及其配件的技术开发与销售；国内贸易等。本公司主营推广销售AD（亚德诺）,LINEAR（凌特）以及TI、MAXIM、NXP等国际品牌集成电路。产品广泛应用于：汽车、通信、消费电子、工业控制、医疗器械、仪器仪表、安防监控等领域。本公司一直秉承优势服务，诚信合作的原则，以现代化管理以及优势的渠道价格、良好的信誉与广大客户建立了长期友好的合作关系，为广大厂商和市场客户提供优势的产品服务。的实施例总体涉及半导体领域，更具体地，涉及集成电路及其形成方法。背景技术：许多现代电子器件包含配置为存储数据的电子存储器。电子存储器可以是易失性存储器或非易失性存储器。易失性存储器在上电时存储数据，而非易失性存储器能够在断开电源时存储数据。磁阻式随机存取存储器(mram)是用于下一代非易失性存储器技术的一种有前景的候选。技术实现要素：根据的一个方面，提供了一种集成芯片，包括：工作磁隧道结(mtj)器件，连接至位线，其中，所述工作磁隧道结器件被配置为存储数据状态；以及调节访问装置，连接在所述工作磁隧道结器件和字线之间，其中。集成电路可以把很大数量的微晶体管集成到一个小芯片，是一个巨大的进步；

    产品广泛应用于：汽车、通信、消费电子、工业控制、医疗器械、仪器仪表、安防监控等领域。所述顶表面由越过印刷电路板的与连接侧相对的侧延伸的一个或多个侧板形成。这些特征将在下面更详细地讨论。图a示出了根据一个实施例的两个相同的印刷电路装配件a和b。印刷电路装配件a和b中的每个包括系统板，多个印刷电路板插座平行地安装在系统板上，所述印刷电路板插座中的一个印刷电路板插座标记为。冷却管6邻接地且平行于每个印刷电路板插座地安装。热接口材料层在冷却管的与系统板相对的一侧布置在每个冷却管6上，并且热耦联至该冷却管6。多个双列直插式存储模块组件电耦联至系统板，所述双列直插式存储模块组件中的一个双列直插式存储模块组件标记为。特别地，每个双列直插式存储模块组件的连接侧布置在印刷电路板插座中的一个印刷电路板插座中。当所述两个印刷电路装配件a和b相对地放置在一起，如图b中所示出的那样。所述印刷电路装配件中的每个印刷电路装配件上的散热器a、b的顶表面与另一个印刷电路装配件上的热接口材料层接触，并且与该热接口材料层热耦联，如在a和b处所指示的那样。在这种配置中。而根据处理信号的不同，可以分为模拟集成电路、数字集成电路、和兼具模拟与数字的混合信号集成电路。长沙混合集成电路引脚

电路设计的模块化方法确保了快速采用标准化集成电路代替了设计使用离散晶体管；北京双列直插型集成电路公司

    铜通孔)连接至上面的互连层。在一些实施例中，底电极通孔和顶电极通孔可以包括金属，诸如氮化钛(tin)、氮化钽(tan)、钛(ti)、钽(ta)等。在一些实施例中，互连层b从调节mtj器件正上方连续延伸至调节mtj器件正上方。调节mtj器件、调节mtj器件和工作mtj器件分别包括由介电遂穿阻挡层分隔开的自由层和固定层。自由层具有被配置为响应于电信号(例如，电流)而改变的磁矩。固定层具有固定的磁取向，该磁取向被配置为用作参考磁方向和/或减少对自由层的磁冲击。在一些实施例中，mtj中的一个或多个可以包括附加层。例如，在一些实施例中。mtj中的一个或多个可以包括位于底电极通孔和固定层之间的反铁磁层。在其它实施例中，mtj中的一个或多个可以包括以各种方式布置的附加固定层(例如，附加固定层、附加固定层等)和/或附加自由层(例如，附加自由层、附加自由层等)以改进mtj的性能。图b示出了对应于图的存储器阵列的集成芯片的一些可选实施例的截面图。集成芯片包括布置在衬底上方的介电结构。介电结构围绕存储单元a,。存储单元a,包括工作mtj器件和具有调节mtj器件和调节mtj器件的调节访问装置。介电结构还围绕多个导电互连层a至f。多个导电互连层a至f包括互连层a。北京双列直插型集成电路公司