在多个底电极通孔正上方形成多个mtj器件。多个mtj器件包括工作mtj器件和一个或多个调节mtj器件。出了对应于步骤的一些实施例的截面图。在步骤中,在多个mtj器件正上方形成多个顶电极通孔。出了对应于步骤的一些实施例的截面图。在步骤中,在多个顶电极通孔上方形成具有多个互连结构的互连层。多个互连结构限定位线和一条或多条字线。出了对应于步骤的一些实施例的截面图。步骤至在衬底上方形成存储单元。在一些实施例中,可以重复步骤至(如步骤所示)以在存储单元上方形成存储单元。出了对应于步骤的一些实施例的截面图。虽然方法描述了包括具有调节访问装置(包括mtj器件)的存储单元(例如。mram单元)的方法存储器电路,但是应该理解,在其它实施例中,调节装置可以包括电阻器(例如,薄膜电阻器)。在这样的实施例中,工作mtj器件可以通过组操作(在步骤中)形成,而包括电阻器的调节装置可以通过组单独的操作(在步骤和步骤之间发生)形成。例如,在工作mtj的形成(在步骤中)之后,可以通过一个或多个沉积和蚀刻工艺形成电阻器。因此,在一些实施例中。涉及不具有驱动晶体管(即。存取晶体管)的存储单元(例如,mram单元)。而且,存储单元包括调节访问装置。深圳美信美集成电路品质好。太原双列直插型集成电路芯片
调节访问装置包括调节mtj器件和调节mtj器件。调节mtj器件、调节mtj器件和工作mtj器件分别包括垂直布置在底电极通孔和顶电极通孔之间的mtj。在一些实施例中,顶电极通孔可以通过通孔(例如,铜通孔)连接至上面的互连层。在一些实施例中,底电极通孔和顶电极通孔可以包括金属,诸如氮化钛(tin)、氮化钽(tan)、钛(ti)、钽(ta)等。在一些实施例中,互连层b从调节mtj器件正上方连续延伸至调节mtj器件正上方。调节mtj器件、调节mtj器件和工作mtj器件分别包括由介电遂穿阻挡层分隔开的自由层和固定层。自由层具有被配置为响应于电信号(例如,电流)而改变的磁矩。固定层具有固定的磁取向,该磁取向被配置为用作参考磁方向和/或减少对自由层的磁冲击。在一些实施例中,mtj中的一个或多个可以包括附加层。例如,在一些实施例中,mtj中的一个或多个可以包括位于底电极通孔和固定层之间的反铁磁层。在其它实施例中,mtj中的一个或多个可以包括以各种方式布置的附加固定层(例如,附加固定层、附加固定层等)和/或附加自由层(例如,附加自由层、附加自由层等)以改进mtj的性能。图b示出了对应于图的存储器阵列的集成芯片的一些可选实施例的截面图。集成芯片包括布置在衬底上方的介电结构。沈阳特大规模集成电路厂家集成电路哪家靠谱?深圳美信美科技有限公司。
调节mtj器件的尺寸赋予调节mtj器件更大的切换电流,这可以允许更大的电流。在一些实施例中,工作mtj器件具有与尺寸和尺寸不同的第三尺寸(例如,第三宽度w)。图a至图b示出了包括存储器电路的集成芯片的一些额外实施例,存储器电路具有被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问的调节访问装置。图a示出了具有以行和列布置的多个存储单元a,至c,的存储器电路的示意图。多个存储单元a,至c,分别包括被配置为存储数据的工作mtj器件和被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问的调节访问装置。调节访问装置包括连接在字线wlx(x=,,)和偏置电压线bvly(y=,。)之间的调节mtj器件。工作mtj器件连接在偏置电压线bvly(y=,,)和位线blz(z=,,)之间。多个存储单元a,至c,连接至控制电路。控制电路包括被配置为选择性地将信号施加至一条或多条位线blz的位线解码器、被配置为选择性地将信号施加至一条或多条字线wlx的字线解码器以及被配置为选择性地将信号施加至一条或多条偏置电压线bvly的偏置电路。在一些实施例中。字线解码器和偏置电路可以包括相同的电路元件(即,字线解码器可以将信号施加至偏置电压线bvly)。在操作期间,为了访问工作mtj器件。
然后在开口内沉积导电材料(例如,铜和/或铝),以及随后的平坦化工艺(例如,化学机械平坦化工艺)以形成互连层b。的截面图所示,可以在存储单元a,上方形成存储单元b,。存储单元b。可以包括工作mtj器件和调节访问装置,调节访问装置具有形成在第三互连层c和第四互连层d之间的调节mtj器件和。存储单元b,可以根据与关于图至图描述的那些类似的步骤形成。出了形成具有存储器电路的集成芯片的方法的一些实施例的流程图,该存储器电路包括具有调节访问装置的存储单元(例如,mram单元),该调节访问装置被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问。虽然方法示出和描述为一系列步骤或事件,但是应该理解,这些步骤或事件的示出的顺序不被解释为限制意义。例如,一些步骤可以以不同的顺序发生和/或与除了此处示出的和/或描述的一些的其它步骤或事件同时发生。此外,可能不是所有示出的步骤对于实施此处描述的一个或多个方面或实施例都是需要的,并且此处描述的一个或多个步骤可以在一个或多个单独的步骤和/或阶段中实施。在步骤中,在衬底上方形成互连层。互连层可以形成在衬底上方的ild层内。出了对应于步骤的一些实施例的截面图。在步骤中。深圳市美信美科技有限公司,只做靠谱的原装进口集成电路。
本申请涉及一种集成电路封装结构,尤其是集成电路的小型化与高功率密度化的封装结构。背景技术:集成电路在满足摩尔定律的基础上尺寸越做越小。尺寸越小,技术进步越困难。而设备的智能化,小型化,功率密度的程度越来越高,为解决设备小型化,智能化,超高功率密度这些问题,不但需要提升各种功能的管芯的功能,效率,缩小其面积,体积;还需要在封装技术层面上完成小型化,集成化,高功率密度化等技术要求,并解决由此带来的集成电路的散热问题,生产工艺复杂,生产周期长,生产成本高等问题。现有很多集成电路封装结构,有沿用常规的封装方式,采用框架安装各种管芯,采用线材键合作电气联结,在功率较大时,常常采用较粗的键合线和较多的键合线。此类封装方式有比如ipm模组的dip封装,单颗mosfet的to220封装等,此类封装体积通常都比较大,不适宜小型化应用。由于需要多根键合线,键合工序周期长,成本高,从而导致总体性价比不高。而为了解决高功率密度的问题,qfn封装方式由于带有较大散热片常常在一些要求高功率密度的产品上得到广泛的应用;在qfn封装内部,键合线由金线,铜线,铝线转向具有大通流能力的铝片,铜片,并由此减少了接触电阻,降低了封装的寄生参数。深圳美信美科技有限公司是靠谱的集成电路现货供应商。惠州特大规模集成电路公司
进口的德州集成电路,就找深圳美信美科技。太原双列直插型集成电路芯片
偏置电路和字线解码器可以将电压施加至偏置电压线bvly和字线wlx,以设置存储器阵列的行内的调节mtj器件的值。随后,位线解码器可以施加位线电压,该位线电压允许访问多个存储单元a,至c,中的选择的存储单元,而不访问多个存储单元a,至c,中的未选择的存储单元。例如,为了将数据写入存储单元a,内的工作mtj器件,可以将组偏置电压施加至字线wl和偏置电压线bvl。组偏置电压赋予行内的调节访问装置低电阻。可以将组偏置电压施加至其它行中的偏置电压线bvl和字线wl,以赋予其它行内的调节访问装置高电阻。然后将位线电压施加至位线bl。存储单元a,内的调节访问装置的低电阻使得大电流(例如。大于切换电流)流过存储单元a,内的工作mtj器件,同时存储单元a,内的调节访问装置的高电阻使得小电流(例如,小于切换电流)流过存储单元a,内的工作mtj器件。图b示出了对应于图a的存储器电路的集成电路的一些实施例的截面图。图a至图b示出了包括存储器电路的集成芯片的一些额外实施例,该存储器电路具有被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问的调节访问装置。图a示出了具有以行和列布置的多个存储单元a,至c,的存储器电路的一些额外实施例的示意图。多个存储单元a,至c。太原双列直插型集成电路芯片