连接至字线wl和wl的工作mtj器件也不受写入操作的步骤的影响。b的示意图所示,通过将数据状态写入存储器阵列的行中的存储单元a,内的工作mtj器件来实施写入操作的步骤。通过将非零偏置电压v(例如,v)施加至字线wl和wl,将非零偏置电压v(例如,v)施加至位线bl和bl并且将第三偏置电压v(例如,v)施加至位线bl来实施写入操作的步骤。非零偏置电压v(例如,v)和第三偏置电压v(例如,v)之间的差异使得电流i流过存储单元a,内的调节mtj器件。电流i小于切换电流isw,使得存储单元a,内的调节mtj器件的状态不变。然而,电流i(其流过存储单元a。内的工作mtj器件)的两倍大于切换电流isw,以将数据状态写入存储单元a,内的工作mtj器件。存储单元a,和第三存储单元a,内的工作mtj器件不受写入操作的步骤的影响,因为非零偏置电压v(例如,v)和非零偏置电压v。例如,v)之间的差异使得小于切换电流的电流i流过存储单元a,和第三存储单元a。内的调节mtj器件。然而,电流i的两倍小于切换电流isw,使得没有将数据状态写入至存储单元a,和第三存储单元a,内的工作mtj器件。图c示出了示出从工作mtj器件读取数据状态的读取操作的示意图的一些实施例。如示意图所示,通过将非零偏置电压v(例如。我国的集成电路产业起步较晚,因此发展集成电路显得越来越重要。长春集成电路芯片
图a示出了具有调节访问装置的存储器电路的一些额外实施例的示意图,调节访问装置包括调节mtj器件、调节mtj器件和第三调节mtj器件。调节mtj器件连接在字线(例如,wl)和偏置电压线(例如,bvl)之间,调节mtj器件连接在字线(例如,wl)和偏置电压线(例如,bvl)之间,第三调节mtj器件连接在偏置电压线(例如,bvl)和工作mtj器件之间。工作mtj器件连接在第三调节mtj器件和位线(例如,bl)之间。包含第三调节mtj器件在产生不同的电阻来控制相关的工作mtj器件内的电流方面赋予调节访问装置更大的灵活性。图b示出了对应于图a的存储器电路的集成电路的一些实施例的截面图。虽然关于具有调节mtj器件的调节访问装置描述了图至图b中示出的操作和/或装置,但是应该理解,公开的存储单元不限于这样的实施例。而且,在可选实施例中,图至图b的操作和/或装置可以实施和/或包括具有调节薄膜电阻器(例如,包括钽、氮化钽、钛、钨等)的调节访问装置。图至出了形成具有存储器电路的集成芯片的方法的一些实施例的截面图至,该存储器电路包括存储单元(例如。mram单元),各存储单元具有被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问的调节访问装置。虽然关于方法描述了图至图,但是应该理解。中规模集成电路排名集成电路行业具有生产技术工序难度高、芯片品类众多、技术迭代速度快、高投入与高风险并存等特点。
字线解码器被配置为选择性地将信号施加至连接至存储器阵列的一条或多条字线wl至wl,并且位线解码器被配置成选择性地将信号施加至连接至存储器阵列的一条或多条位线bl至bl。通过选择性地将信号施加至一条或多条字线wl至wl和一条或多条位线bl至bl,可以在相互排斥的情况下选择性地访问多个工作mtj器件中的不同工作mtj器件。例如,图a至图b示出了图的存储器电路的写入操作的一些实施例的示意图和。示意图和所示的写入操作是实施写入操作的方法的非限制性实例。在其它实施例中,可以可选地使用实施写入操作的其它方法。图a至图b中示出的写入操作在步骤。图a所示)期间将数据状态写入至存储器阵列的一行中的一个或多个存储单元,并且在随后的步骤(图b所示)期间将数据状态写入至存储器阵列的该行中的一个或多个存储单元,以使用两步工艺将数据写入至存储器阵列的整个行。应该理解,为了将数据写入mtj器件。提供的通过mtj器件的电流必须大于切换电流(即,临界切换电流)。不大于切换电流的电流将不会导致电阻状态之间的切换,并且因此不会将数据写入存储器阵列内的mtj器件。在一些实施例中。公开的写入操作可以在调节mtj器件(例如,图中的至)处于高电阻状态来实施。
该调节访问装置具有被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问的一个或多个调节mtj器件。在一些实施例中,涉及集成芯片。集成芯片包括连接至位线的工作磁隧道结(mtj)器件,工作mtj器件被配置为存储数据状态;以及连接在工作mtj器件和字线之间的调节访问装置,调节访问装置包括被配置为控制提供给工作mtj器件的电流的一个或多个调节mtj器件。在一些实施例中,一个或多个调节mtj器件分别包括固定层、介电阻挡层和通过介电阻挡层与固定层分隔开的自由层。在一些实施例中,调节访问装置还包括连接在字线和工作mtj器件之间的调节mtj器件,字线和字线连接至字线解码器。在一些实施例中。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司经营范围包括:一般经营项目是:电子产品及其配件的技术开发与销售;国内贸易等。本公司主营推广销售AD(亚德诺),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等国际品牌集成电路。产品广泛应用于:汽车、通信、消费电子、工业控制、医疗器械、仪器仪表、安防监控等领域。本公司一直秉承优势服务,诚信合作的原则,以现代化管理以及优势的渠道价格、良好的信誉与广大客户建立了长期友好的合作关系,为广大厂商和市场客户提供优势的产品服务。集成电路哪家靠谱?深圳美信美科技有限公司。
在一些实施例中,集成芯片还包括布置在位于工作mtj器件正上方的存储单元内的工作mtj器件,工作mtj器件被配置为存储数据状态。在一些实施例中,工作mtj器件通过不延伸穿过衬底的连续导电路径连接在位线和字线之间。在其它实施例中,涉及集成电路。集成电路包括布置在衬底上方的介电结构内的互连层,互连层通过介电结构与衬底分隔开;以及调节mtj器件,布置在互连层正上方并且被配置为存储数据状态,工作mtj器件通过包括多个互连层并且不延伸穿过衬底的连续导电路径电连接在位线和字线之间。在一些实施例中,集成电路还包括调节访问装置,其具有连接在字线和工作mtj器件之间的调节mtj器件,调节mtj器件具有通过介电阻挡层与自由层分隔开的固定层。在一些实施例中,互连层从工作mtj器件正下方连续延伸至调节mtj器件正下方。在一些实施例中,集成电路还包括连接在字线和工作mtj器件之间的调节mtj器件,字线和字线连接至字线解码器。在一些实施例中,调节mtj器件与调节mtj器件具有不同的尺寸。在一些实施例中。集成电路还包括连接在位线和工作mtj器件之间的调节mtj器件,字线连接至字线解码器并且位线连接至位线解码器。在一些实施例中。集成电路厂家就找深圳美信美!常州通讯集成电路技术
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提供的通过mtj器件的电流必须大于切换电流(即,临界切换电流)。不大于切换电流的电流将不会导致电阻状态之间的切换,并且因此不会将数据写入存储器阵列内的mtj器件。在一些实施例中。公开的写入操作可以在调节mtj器件(例如,图中的至)处于高电阻状态来实施,以在选择和未选择的单元之间提供隔离。a的示意图所示,写入操作的步骤通过将数据状态写入存储器阵列的行中的存储单元a,和第三存储单元a,内的工作mtj器件来实施。通过将非零偏置电压v(例如,v)施加至字线wl和wl,将非零偏置电压v(例如,v)施加至字线wl,将第三非零偏置电压v(例如,v)施加至位线bl和bl,并且将第四非零偏置电压v(例如,v)施加至位线bl来实施写入操作的步骤。非零偏置电压v(例如,v)和第三非零偏置电压v(例如,v)之间的差异使得电流i流过存储单元a,和第三存储单元a,内的调节mtj器件。电流i小于切换电流isw,使得存储单元a,和第三存储单元a,内的调节mtj器件的状态不变。然而,来自调节mtj器件的电流加在一起,使得为电流i的两倍的电流流过存储单元a,和第三存储单元a,内的工作mtj器件。电流i的两倍的电流大于切换电流isw,以将数据状态写入存储单元a,和第三存储单元a,内的工作mtj器件。存储单元a。长春集成电路芯片