常州大规模集成电路企业

    产品广泛应用于：汽车、通信、消费电子、工业控制、医疗器械、仪器仪表、安防监控等领域。所述顶表面由越过印刷电路板的与连接侧相对的侧延伸的一个或多个侧板形成。这些特征将在下面更详细地讨论。图a示出了根据一个实施例的两个相同的印刷电路装配件a和b。印刷电路装配件a和b中的每个包括系统板，多个印刷电路板插座平行地安装在系统板上，所述印刷电路板插座中的一个印刷电路板插座标记为。冷却管6邻接地且平行于每个印刷电路板插座地安装。热接口材料层在冷却管的与系统板相对的一侧布置在每个冷却管6上，并且热耦联至该冷却管6。多个双列直插式存储模块组件电耦联至系统板，所述双列直插式存储模块组件中的一个双列直插式存储模块组件标记为。特别地，每个双列直插式存储模块组件的连接侧布置在印刷电路板插座中的一个印刷电路板插座中。当所述两个印刷电路装配件a和b相对地放置在一起，如图b中所示出的那样。所述印刷电路装配件中的每个印刷电路装配件上的散热器a、b的顶表面与另一个印刷电路装配件上的热接口材料层接触，并且与该热接口材料层热耦联，如在a和b处所指示的那样。在这种配置中。集成电路是现代化产业体系的关键枢纽，关系中国式现代化进程。常州大规模集成电路企业

    所述方法包括：提供两个印刷电路装配件，每个所述印刷电路装配件包括：系统板，在所述系统板上的多个印刷电路板插座，多个液体冷却管，每个所述液体冷却管邻接于所述印刷电路板插座中的一个印刷电路板插座地耦联至所述系统板，连接至所述印刷电路板插座的多个集成电路模块，和多个散热器，每个所述散热器与所述集成电路模块中的一个集成电路模块热耦联；以及将所述印刷电路装配件彼此相对地布置，使得所述两个印刷电路装配件的集成电路模块彼此交错，并且所述印刷电路装配件中的每个印刷电路装配件的散热器的顶表面与另一个印刷电路装配件的液体冷却管热耦联。附图说明参考下列附图，根据一个或多个不同实施例详细描述了本公开。附图出于说明的目的提供，并且描绘典型或示例的实施例。图1是系统的关系图，在该系统中可以实施不同实施例。图2a和图2b示出了根据一个实施例的双列直插式存储模块(dimm)组件。图3示出了图2a和图2b的双列直插式存储模块组件的一侧的视图。图4a示出了根据一个实施例的两个相同的印刷电路装配件。图4b示出了图4a的两个印刷电路装配件，所述两个印刷电路装配件相对地放置在一起。江苏数字集成电路价格在摩尔定律的推动下，集成电路产品的加工面积成倍缩小，复杂程度与日俱增，集成电路设计的重要性愈发突出。

    每个系统板具有在双列直插式存储模块之间交错的冷却管。当这些系统板相对地放置在一起时，每个系统板上的双列直插式存储模块由在另一个系统板上的冷却管冷却。相比于之前的方法，这种方法允许更高密度的双列直插式存储模块，同时仍然提供必要的冷却。这种方法也是安静的，并且由此可以靠近办公室员工放置。这种方法也允许容易的维护，而没有与液体浸入式冷却系统相关的溢出。尽管参考双列直插式存储模块描述了不同实施例，应当认识到的是，所公开的技术可以用于冷却任何集成电路或类似的一个或多个系统和系统中的一个或多个元素/部件。图1是系统100的关系图，在该系统中可以实施不同实施例。系统100包括计算部件120，所述计算部件包括处理器104和存储器106。存储器106包括多个双列直插式存储模块组件108。系统100还包括冷却回路。所述冷却回路包括泵110、热交换器112和储液器114。泵110将冷却液体130提供给双列直插式存储模块组件108。由双列直插式存储模块组件108产生的热量被传送给液体，加热液体并且冷却双列直插式存储模块组件108。泵110将被加热的液体132从双列直插式存储模块组件108移除。热交换器112冷却被加热的液体132。储液器114适应液体体积的改变。

    mram单元)的尺寸，因为该尺寸不再取决于驱动晶体管的尺寸。出了具有调节访问装置的存储器电路的一些实施例的示意图，该调节访问装置被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问。存储器电路包括具有多个存储单元a,至b,的存储器阵列。多个存储单元a,至b,以行和/或列布置在存储器阵列内。例如，行存储单元包括存储单元a,和a,，而列存储单元包括存储单元a,和b,。在一些实施例中，多个存储单元a,至b,可以包括多个mram单元。多个存储单元a,至b,(例如，mram单元)分别包括连接至调节访问装置的工作mtj器件。工作mtj器件包括磁隧道结(mtj)，磁隧道结(mtj)具有通过介电遂穿阻挡层a与自由层a分隔开的固定层a。固定层a具有固定的磁向，而自由层a具有可以在操作期间(通过隧道磁阻(tmr)效应)改变为相对于固定层a的磁向平行(即，“p”状态)或反向平行(即，“ap”状态)的磁向。固定层a和自由层a的磁向之间的关系限定了mtj的电阻状态，并且从而使得多个存储单元a,至b,能够分别存储数据状态，数据状态具有基于存储单元内的工作mtj器件的电阻的值。例如，如果工作mtj器件a,具有低电阻状态，则存储单元a,将存储位值(例如，逻辑“”)，或者如果工作mtj器件a,具有高电阻状态，则存储单元a,将存储位值。集成电路可以把模拟和数字电路集成在一个单芯片上，以做出如模拟数字转换器和数字模拟转换器等器件。

    然后在开口内沉积导电材料(例如，铜和/或铝)，以及随后的平坦化工艺(例如，化学机械平坦化工艺)以形成互连层b。的截面图所示，可以在存储单元a,上方形成存储单元b,。存储单元b。可以包括工作mtj器件和调节访问装置，调节访问装置具有形成在第三互连层c和第四互连层d之间的调节mtj器件和。存储单元b,可以根据与关于图至图描述的那些类似的步骤形成。出了形成具有存储器电路的集成芯片的方法的一些实施例的流程图，该存储器电路包括具有调节访问装置的存储单元(例如，mram单元)，该调节访问装置被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问。虽然方法示出和描述为一系列步骤或事件，但是应该理解，这些步骤或事件的示出的顺序不被解释为限制意义。例如，一些步骤可以以不同的顺序发生和/或与除了此处示出的和/或描述的一些的其它步骤或事件同时发生。此外，可能不是所有示出的步骤对于实施此处描述的一个或多个方面或实施例都是需要的，并且此处描述的一个或多个步骤可以在一个或多个单独的步骤和/或阶段中实施。在步骤中，在衬底上方形成互连层。互连层可以形成在衬底上方的ild层内。出了对应于步骤的一些实施例的截面图。在步骤中。大规模集成电路：逻辑门101~1k个或 晶体管1,001~10k个。无锡模拟集成电路企业

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    下基板2的上层金属层9、下层金属层10通孔沉金19、20，用于中间填充层的21，上基板1中间层22、下基板2中间层23。图2示出依据本申请一实施例的双芯片集成电路封装结构201，包括上基板1、元件3、元件4及下基板2，上基板1上的上层金属层5、下层金属层6以及下层金属层6上的联结pad7、8、9、10，下基板2上的上层金属层11、下层金属层12以及上层金属层11上的pad13、14、15、16，下层金属层12上的联结pad17、18、19、20、21、联结pad22。上基板1与下基板2联结用的沉金23、24，下基板2的上层金属层11、下层金属层12通孔沉金25、26、27、28，用于中间填充层的29，上基板1中间层30、下基板2中间层31。以上所述实施例用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的精神和范围，均应包含在本申请的保护范围之内。常州大规模集成电路企业