企业商机
温度传感器基本参数
  • 品牌
  • 齐全
  • 型号
  • 齐全
  • 输出信号
  • 开关型,数字型
  • 制作工艺
  • 薄膜
  • 感温元件
  • 热敏电阻
  • 材料物理性质
  • 半导体
温度传感器企业商机

    深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司经营范围包括:一般经营项目是:电子产品及其配件的技术开发与销售;国内贸易等。本公司主营推广销售AD(亚德诺),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等国际有名品牌集成电路。产品广泛应用于:汽车、通信、消费电子、工业控制、医疗器械、仪器仪表、安防监控等领域。本发明涉及温度传感器领域,特别是涉及一种温度传感器制备方法及温度传感器。背景技术:温度传感器包括测温单元和承载该测温单元的基底。温度传感器通常以导热率低的材料做基底,如在二氧化硅上淀积测温材料形成温度传感器。在工艺制程中,通过氧化硅片以在硅片表面生产一层二氧化硅,其中,二氧化硅的导热率较低,但是硅的导热率较高,为避免通过基底下部的硅导热,通常还需通过深槽刻蚀的方式对氧化硅层背面的硅进行刻蚀,如通过氢氧化钾的刻蚀液进行湿法刻蚀,也可用深反应离子刻蚀(deepreactiveionetching)工艺进行干法刻蚀。无论是湿法刻蚀还是干法刻蚀,其工艺时间都会较长且成本较高。技术实现要素:基于此,有必要针对传统技术中温度传感器以二氧化硅为基底时获取基底的工艺时间较长且成本较高的问题,提出了一种新的温度传感器制备方法。车内温度传感器主要安装在汽车车厢内的通风道中,一般有1-2个。广东热电偶温度传感器哪家划算

    如图c所示,基底包括硅片和氧化硅薄膜,硅片和氧化硅薄膜之间形成有空腔。测温单元是温度传感器的工作单元,温度传感器通过该测温单元感知温度后形成电信号并输出,在本方案中,测温单元形成于氧化硅薄膜上且位于空腔上方。在一实施例中,测温单元为一热电阻传感结构,包括:金属层,金属层为金属铂层,金属铂层呈连续弓字形结构;和第二金属层,位于金属铂层外侧两端,用于引出温度传感器的输出端子。如图和图所示,氧化硅薄膜上淀积有一层金属层,该金属层为金属铂层,即热电阻传感结构选用铂热电阻。在另一实施例中,也可选用其他电阻温度系数较高的材料如镍、铁等。为减小温度传感器的尺寸,在小尺寸的基底上增大铂热电阻的接触面积,铂热电阻呈连续弓字形结构(如图所示)。金属铂层外侧两端淀积有一层第二金属层。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司经营范围包括:一般经营项目是:电子产品及其配件的技术开发与销售;国内贸易等。本公司主营推广销售AD(亚德诺),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等国际有名品牌集成电路。产品广泛应用于:汽车、通信、消费电子、工业控制、医疗器械、仪器仪表、安防监控等领域。该第二金属层可为金属铝层。沈阳小米温度传感器IC温度传感器现货厂家,美信美科技就是牛。

    即氧化硅薄膜和硅通过空腔隔开,基底下部的硅不会影响上部氧化硅的隔热效果,因此无需通过刻蚀工艺将基底下部的硅刻蚀掉,从而缩短产品制备的时间,且节约了成本。在其中一个实施例中,所述沟槽的宽度范围为μm~μm,所述沟槽的深度范围为μm~μm,所述相邻沟槽之间的间隔范围为μm~μm。在其中一个实施例中,所述热退火具体为在氢气环境中热退火,所述热退火的温度为℃。在其中一个实施例中,在得到所述氧化硅薄膜后还包括在所述氧化硅薄膜上形成氮化硅薄膜或者聚酰亚胺薄膜。在其中一个实施例中,在所述氧化硅薄膜上形成测温单元具体为:在所述氧化硅薄膜上淀积一层金属层,所述金属层为金属铂层,所述金属铂层呈连续弓字形结构。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司经营范围包括:一般经营项目是:电子产品及其配件的技术开发与销售;国内贸易等。本公司主营推广销售AD(亚德诺),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等国际有名品牌集成电路。产品广泛应用于:汽车、通信、消费电子、工业控制、医疗器械、仪器仪表、安防监控等领域。在所述金属铂层外侧两端各淀积一层第二金属层,用于引出所述温度传感器的输出端子。在其中一个实施例中。

    本公司一直秉承优势服务,诚信合作的原则,以现代化管理以及优势的渠道价格、良好的信誉与广大客户建立了长期友好的合作关系,为广大厂商和市场客户提供优势的产品服务。温度传感器通过该测温单元感知温度后形成电信号并输出。在一实施例中,测温单元为一热电阻传感结构,其具体形成过程为:步骤s:在氧化硅薄膜上淀积一层金属层,金属层为金属铂层,金属铂层呈连续弓字形结构。参考图所示,在氧化硅薄膜上淀积一层金属层,该金属层可为金属铂层,即热电阻传感结构选用铂热电阻。在另一实施例中,也可选用其他电阻温度系数较高的材料如镍、铁等。为减小温度传感器的尺寸,在小尺寸的基底上增大铂热电阻的接触面积,将铂热电阻做成连续弓字形结构(如图所示)。步骤s:在所述金属铂层外侧两端各淀积一层第二金属层,用于引出所述温度传感器的输出端子。继续参见图和图,在金属铂层外侧两端淀积一层第二金属层,该第二金属层可为金属铝层,从金属铝处引出该温度传感器的输出端子,即温度传感器的输出导线与铝层连接以通过铝层与金属铂层连接。上述铂热电阻传感器。利用金属铂在温度变化时自身电阻值也会随着温度改变的特性来测量温度,温度传感器的输出端子与显示仪表连接。长期稳定的温度传感器渠道,就找深圳市美信美科技有限公司。

    步骤s:热退火使所述若干沟槽变形后相互连通形成一空腔,且所述硅片在空腔上方连接起来,将所述空腔封闭。对开设有沟槽的硅片进行适当的热处理,当硅片被加热到一定温度时,硅原子的振动能较大,导致原子的移动能加强,硅原子会发生迁移。由于硅片上开设有沟槽,且沟槽侧壁的间距较小,当硅原子迁移运动达到一定程度时,硅原子会进入沟槽内,硅片内部的沟槽会发生形变,沟槽上部被硅封闭,若干沟槽中间部位相互连通,形成一空腔(如图b所示)。即空腔处于硅片的中间,空腔的上部和下部均具有硅结构,上下硅结构被空腔隔离开。在一实施例中,热退火的温度可为℃。改变沟槽的间距,可以得到不同形态的空腔,且间距越大,所需的退火温度就越高,但是退火的持续时间不超过min。在本实施例中,沟槽阵列中沟槽之间的间距大于内部沟槽的间距,如此可以避免在空腔边缘处形成缺口。同时,热退火需要在一隔离环境中进行,如真空环境或者惰性气体环境,保证在热退火过程中硅不会与环境中的物质发生化学反应。在本实施例中。热退火在氢气环境中进行。步骤s:氧化所述空腔上部的硅片得到氧化硅薄膜。通过热氧化工艺氧化空腔上部的硅片以形成氧化硅薄膜(如图c所示)。在℃~℃的高温环境中。温度传感器厂家就找美信美。佛山光纤温度传感器厂家

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    再在高温环境下进行退火,由于高温环境下硅原子会发生迁移,硅原子发生迁移后硅片内部的结构会发生改变,之前的若干沟槽会相互连通以在硅片内部形成一空腔结构。氧化空腔上部的硅片部分可以得到所需的氧化硅薄膜,然后在氧化硅薄膜上淀积测温材料形成测温单元,测温单元用于感测环境温度,从而得到温度传感器。通过本方案得到的温度传感器,其基底包含一空腔以及位于空腔上部的氧化硅薄膜和位于空腔下部的硅,即氧化硅薄膜和硅通过空腔隔开,基底下部的硅不会影响上部氧化硅的隔热效果,因此无需通过刻蚀工艺将基底下部的硅刻蚀掉,从而缩短产品制备的时间,且节约了成本。在其中一个实施例中,所述沟槽的宽度范围为μm~1μm,所述沟槽的深度范围为1μm~10μm,所述相邻沟槽之间的间隔范围为μm~1μm。在其中一个实施例中,所述热退火具体为在氢气环境中热退火,所述热退火的温度为1000℃。在其中一个实施例中,在得到所述氧化硅薄膜后还包括在所述氧化硅薄膜上形成氮化硅薄膜或者聚酰亚胺薄膜。在其中一个实施例中,在所述氧化硅薄膜上形成测温单元具体为:在所述氧化硅薄膜上淀积一层金属层,所述金属层为金属铂层,所述金属铂层呈连续弓字形结构。广东热电偶温度传感器哪家划算

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