图为与图对应的温度传感器俯视图;图为另一实施例中温度传感器侧视图;图为与图对应的温度传感器俯视图。具体实施方式为了便于理解,下面将参照相关附图对进行更的描述。附图中给出了的实施例。但是,可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施例。相反地。提供这些实施例的目的是使对的公开内容更加透彻。除非另有定义。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司经营范围包括:一般经营项目是:电子产品及其配件的技术开发与销售;国内贸易等。本公司主营推广销售AD(亚德诺),LINEAR。凌特)以及TI、MAXIM、NXP等国际品牌集成电路。产品广泛应用于:汽车、通信、消费电子、工业控制、医疗器械、仪器仪表、安防监控等领域。本公司一直秉承优势服务,诚信合作的原则,以现代化管理以及优势的渠道价格、良好的信誉与广大客户建立了长期友好的合作关系,为广大厂商和市场客户提供优势的产品服务。本文所使用的所有的技术和科学术语与属于的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。纯原无拆封的温度传感器,只找深圳美信美科技。北京手机温度传感器精度
本公司主营推广销售AD(亚德诺),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等国际有名品牌集成电路。产品广泛应用于:汽车、通信、消费电子、工业控制、医疗器械、仪器仪表、安防监控等领域。通过热氧化工艺氧化空腔上部的硅片以形成氧化硅薄膜(如图c所示)。在℃~℃的高温环境中,通过外部供给氧气或者水蒸气使之与硅发生化学反应,可以在空腔上方得到一层热生长的氧化层。由于当氧化层达到一定厚度时,氧化反应几乎停止,因此当难以通过一次氧化工艺将空腔上方的硅全部氧化成氧化硅时,需要通过多次氧化步骤实现将空腔上方的硅全部氧化,具体为,进行次热氧化生成一层氧化硅薄膜后,空腔上方为残留的未氧化的硅以及在硅上生成的氧化硅薄膜,通过刻蚀工艺去除上方的氧化硅薄膜,保留空腔上方的硅,此时硅的厚度减小,继续通过上述热氧化、刻蚀和热氧化的循环工艺逐渐减小空腔上方硅的厚度,直至后一次热氧化后空腔上方的硅全部生成氧化硅薄膜,由此实现上层氧化硅薄膜与下层硅通过空腔隔离。此时,温度传感器的基作完成。在一实施例中,在得到上述氧化硅薄膜后还可在氧化硅薄膜上形成氮化硅薄膜或者聚酰亚胺薄膜,由于氧化硅内部存在较大的应力,氧化硅薄膜容易断裂。深圳热电偶温度传感器原理担心买不到原装的温度传感器?找深圳市美信美科技。
基底包括硅片和在硅片上形成的氧化硅薄膜,硅片和氧化硅薄膜之间形成有空腔;和测温单元,测温单元形成于所述空腔上方的氧化硅薄膜上,所述测温单元用于感测环境温度。如图c所示,基底包括硅片和氧化硅薄膜,硅片和氧化硅薄膜之间形成有空腔。测温单元是温度传感器的工作单元,温度传感器通过该测温单元感知温度后形成电信号并输出,在本方案中,测温单元形成于氧化硅薄膜上且位于空腔上方。在一实施例中,测温单元为一热电阻传感结构,包括:金属层,金属层为金属铂层,金属铂层呈连续弓字形结构;和第二金属层,位于金属铂层外侧两端,用于引出温度传感器的输出端子。如图和图所示,氧化硅薄膜上淀积有一层金属层,该金属层为金属铂层,即热电阻传感结构选用铂热电阻。在另一实施例中,也可选用其他电阻温度系数较高的材料如镍、铁等。为减小温度传感器的尺寸,在小尺寸的基底上增大铂热电阻的接触面积,铂热电阻呈连续弓字形结构(如图所示)。金属铂层外侧两端淀积有一层第二金属层。该第二金属层可为金属铝层,用于从金属铝处引出该温度传感器的输出端子。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。
公司经营范围包括:一般经营项目是:电子产品及其配件的技术开发与销售;国内贸易等。本公司主营推广销售AD(亚德诺),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等国际品牌集成电路。产品广泛应用于:汽车、通信、消费电子、工业控制、医疗器械、仪器仪表、安防监控等领域。本公司一直秉承优势服务,诚信合作的原则,以现代化管理以及优势的渠道价格、良好的信誉与广大客户建立了长期友好的合作关系,为广大厂商和市场客户提供优势的产品服务。即温度传感器的输出导线与铝层连接以通过铝层与金属铂层连接。上述铂热电阻传感器,利用金属铂在温度变化时自身电阻值也会随着温度改变的特性来测量温度,温度传感器的输出端子与显示仪表连接,显示仪表会显示受温度影响得到的铂电阻对应的温度值。在一实施例中,因上述热电阻传感器中上层有金属结构如金属铝和金属铂,对于直接暴露在空气中时容易氧化的金属层,其上还形成有一层钝化层,可对金属层进行保护。同时,需要在对应温度传感器引出端子处开设有通孔,通过通孔可引出输出端子。在本实施例中,是在两端的金属铝上方的钝化层开设有通孔。钝化层可为氧化硅层或氮化硅层,也可为叠设的氧化硅层和氮化硅层。在一实施例中。温度传感器哪家质量过关?认准深圳美信美科技有限公司。
空腔上方为残留的未氧化的硅以及在硅上生成的氧化硅薄膜,通过刻蚀工艺去除上方的氧化硅薄膜,保留空腔上方的硅,此时硅的厚度减小,继续通过上述热氧化、刻蚀和热氧化的循环工艺逐渐减小空腔上方硅的厚度,直至后一次热氧化后空腔上方的硅全部生成氧化硅薄膜,由此实现上层氧化硅薄膜与下层硅通过空腔隔离。此时,温度传感器的基作完成。在一实施例中,在得到上述氧化硅薄膜后还可在氧化硅薄膜上形成氮化硅薄膜或者聚酰亚胺薄膜,由于氧化硅内部存在较大的应力,氧化硅薄膜容易断裂。在氧化硅薄膜上面再淀积一层氮化硅薄膜或者聚酰亚胺薄膜,可以平衡氧化硅内部应力。使氧化硅薄膜结构更加稳定。步骤s:在所述氧化硅薄膜上形成测温单元,所述测温单元用于感测环境温度。在温度传感器基作完成后,需要做基底上形成测温单元,测温单元是温度传感器的工作单元。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司经营范围包括:一般经营项目是:电子产品及其配件的技术开发与销售;国内贸易等。本公司主营推广销售AD(亚德诺),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等国际品牌集成电路。产品广泛应用于:汽车、通信、消费电子、工业控制、医疗器械、仪器仪表、安防监控等领域。深圳市美信美科技有限公司,你的好的温度传感器供应商。成都温度传感器精度哪家好
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且所述硅片在空腔上方连接起来,将所述空腔封闭。对开设有沟槽的硅片进行适当的热处理,当硅片被加热到一定温度时,硅原子的振动能较大,导致原子的移动能加强,硅原子会发生迁移。由于硅片上开设有沟槽,且沟槽侧壁的间距较小,当硅原子迁移运动达到一定程度时,硅原子会进入沟槽内,硅片内部的沟槽会发生形变,沟槽上部被硅封闭,若干沟槽中间部位相互连通,形成一空腔(如图b所示)。即空腔处于硅片的中间,空腔的上部和下部均具有硅结构,上下硅结构被空腔隔离开。在一实施例中,热退火的温度可为℃。改变沟槽的间距,可以得到不同形态的空腔,且间距越大,所需的退火温度就越高,但是退火的持续时间不超过min。在本实施例中,沟槽阵列中沟槽之间的间距大于内部沟槽的间距,如此可以避免在空腔边缘处形成缺口。同时,热退火需要在一隔离环境中进行,如真空环境或者惰性气体环境,保证在热退火过程中硅不会与环境中的物质发生化学反应。在本实施例中。热退火在氢气环境中进行。步骤s:氧化所述空腔上部的硅片得到氧化硅薄膜。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司经营范围包括:一般经营项目是:电子产品及其配件的技术开发与销售;国内贸易等。北京手机温度传感器精度