企业商机
温度传感器基本参数
  • 品牌
  • 齐全
  • 型号
  • 齐全
  • 输出信号
  • 开关型,数字型
  • 制作工艺
  • 薄膜
  • 感温元件
  • 热敏电阻
  • 材料物理性质
  • 半导体
温度传感器企业商机

    会在半导体内部产生温差电动势,不同类型的半导体其温差电动势不同,将两种半导体两端连接形成闭合回路时,在回路中有电流产生,半导体两端的温差不同时,所产生的电动势不同。在本方案中,采用n型半导体和p型半导体构成塞贝克结构且多个塞贝克结构串联,可以增强温度传感器的灵敏度。在一实施例中,可以将温度传感器两输出端子作为冷端且保持冷端温度恒定,将串联的多晶硅层作为热端感测实际环境温度,当环境温度发生变化时,冷端和热端的温差发生变化,因此冷端的电势会发生变化,与显示仪表连接后,显示仪表会显示热电偶受当前环境温度影响得到的电势所对应的热端温度,即当前环境温度。通常,形成测温单元还包括钝化步骤,即,步骤s136:在金属层上形成钝化层,并在钝化层上对应温度传感器引出输出端子处设有通孔。因上述热电偶传感器中上层有金属结构如金属铝层,对于直接暴露在空气中时容易氧化的金属层,其上还形成一层钝化层,可对金属结构进行保护。同时,需要在对应温度传感器引出端子处开设通孔,通过通孔可引出输出端子。在本实施例中,是在外侧多晶硅端部的金属铝上方的钝化层开设通孔。钝化层可为氧化硅层或氮化硅层,也可为叠设的氧化硅层和氮化硅层。好的的温度传感器供应,信任深圳市美信美科技有限公司。太原模拟温度传感器精度

    半导体两端的温差不同时,所产生的电动势不同。在本方案中,采用n型半导体和p型半导体构成塞贝克结构且多个塞贝克结构串联,可以增强温度传感器的灵敏度。在一实施例中,可以将温度传感器两输出端子作为冷端且保持冷端温度恒定,将串联的多晶硅层作为热端感测实际环境温度,当环境温度发生变化时,冷端和热端的温差发生变化,因此冷端的电势会发生变化,与显示仪表连接后,显示仪表会显示热电偶受当前环境温度影响得到的电势所对应的热端温度,即当前环境温度。因上述热电偶传感器中上层有金属结构,对于直接暴露在空气中时容易氧化的金属层,其上还需形成有一层钝化层,可对金属结构进行保护。同时,需要在对应温度传感器引出端子处开设有通孔,通过通孔可引出输出端子。在本实施例中,是在外侧多晶硅端部的金属铝上方的钝化层开设有通孔。广东红外 温度传感器工艺温度传感器厂家就找深圳美信美。

    显示仪表会显示受温度影响得到的铂电阻对应的温度值。通常。形成测温单元还包括钝化步骤,即,步骤s:在金属层上形成钝化层。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司经营范围包括:一般经营项目是:电子产品及其配件的技术开发与销售;国内贸易等。本公司主营推广销售AD(亚德诺),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等国际品牌集成电路。产品广泛应用于:汽车、通信、消费电子、工业控制、医疗器械、仪器仪表、安防监控等领域。本公司一直秉承优势服务。诚信合作的原则,以现代化管理以及优势的渠道价格、良好的信誉与广大客户建立了长期友好的合作关系,为广大厂商和市场客户提供优势的产品服务。并在钝化层上对应所述温度传感器引出输出端子处设有通孔。因上述热电阻传感器中上层有金属结构如金属铝和金属铂,对于直接暴露在空气中时容易氧化的金属层,其上还形成一层钝化层,可对金属层进行保护。同时,需要在对应温度传感器引出端子处开设通孔,通过通孔可引出输出端子。在本实施例中,是在两端的金属铝上方的钝化层开设通孔。钝化层可为氧化硅层或氮化硅层,也可为叠设的氧化硅层和氮化硅层。在一实施例中,测温单元为一热电偶传感结构。

    本文所使用的所有的技术和科学术语与属于的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。本申请提供一种温度传感器的制备方法,如图所示,其步骤包括:步骤s:在硅片上形成若干沟槽。结合图a所示,获取一硅晶片,从硅片上方垂直向下开设若干并列的沟槽形成沟槽阵列。在一实施例中,先在硅片上形成具有阵列图案的光刻胶层,再以光刻胶作为掩膜版对硅片进行刻蚀形成若干沟槽。在本实施例中,刻蚀可为常规的干法刻蚀,具体为深度离子刻蚀。干法刻蚀具有更高的刻蚀精度和更好的各向异性性能,其精度可达亚微米级别,通过干法刻蚀,可以得到形态较好的沟槽,尤其是沟槽尺寸较小时利用干法刻蚀效果更佳。可通过调节掩膜板图案和控制刻蚀参数得到不同形态的沟槽,其中,沟槽的宽度可为~μm,沟槽的深度可为~μm,相邻沟槽之间的间隔可为~μm。沟槽的俯视形貌可以为圆形、方形或其他形状。沟槽的宽度为沟槽侧壁的大距离。如果沟槽为圆形,则沟槽的宽度为其直径,如果沟槽为正方形,则沟槽的宽度为其对角的距离。靠谱温度传感器供应商,美信美科技就是牛。

    n型多晶硅可为在多晶硅内部掺杂ⅴ族元素形成导电类型为n型的多晶硅,且其内部掺杂均匀;p型多晶硅可为在多晶硅内部掺杂ⅲ族元素形成导电类型为p型的多晶硅,且其内部掺杂均匀。n型多晶硅条和p型多晶硅条形状相同,在本方案中,n型多晶硅条和p型多晶硅条为长条型,多晶硅条平行设置,具有相同的间距。在多晶硅层上淀积有第三金属层,第三金属层包括金属结构和第二金属结构。金属结构位于相邻多晶硅条之间,该多晶硅条通过金属结构连接,金属结构具体为位于相邻多晶硅条端部位置,所有n型多晶硅条和p型多晶硅条通过该金属结构形成一串联结构,因此,当具有m个多晶硅条时,需要m-个金属结构使多晶硅条串联起来。一个n型多晶硅条与一个p型多晶硅条串联形成一个塞贝克(seebeck)结构,在本方案中,是多个塞贝克结构串联形成一个测温单元,因此。m需为偶数。第二金属结构淀积于多晶硅层外侧的两端,以便于引出温度传感器的输出端子。在本实施例中,第三金属层为金属铝层。上述热电偶传感结构,利用两不同类型的半导体两端的温度不同时,会在半导体内部产生温差电动势,不同类型的半导体其温差电动势不同。将两种半导体两端连接形成闭合回路时,在回路中有电流产生。长期稳定的温度传感器渠道,就找深圳市美信美科技有限公司。武汉双列直插型温度传感器原理

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    钝化层可为氧化硅层或氮化硅层,也可为叠设的氧化硅层和氮化硅层。上述温度传感器,测温单元设于氧化硅薄膜上,氧化硅薄膜具有较低的导热率,因此不会影响测温单元的测温效果。且氧化硅薄膜与硅之间形成有空腔,空腔下方的硅不会影响空腔上方的氧化硅的隔离效果,在温度传感器的制备过程中,无需通过深槽刻蚀工艺将多余的硅刻蚀掉,因此简化了温度传感器的制备时间,节约了成本。以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。以上实施例表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。太原模拟温度传感器精度

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